4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

决策准则: 一、期望值决策 二、边际分析法 三、效用分析法 决策使用模型形式: 1、决策表 2、决策树 3、矩阵法

§8.1 散射问题的一般描述 §8.2 分波法 §8.3 分波法示例 §8.4 格林函数法与玻恩近似

反馈系统的特性及基本分析 反馈系统的特性及基本分析 性能定义 一阶系统性能分析 二阶系统性能分析 高阶系统吸能分析

8.1 从傅里叶变换到小波变换的时频分析法 8.2 小波变换分类 8.3 小波变换的多分辨分析特性 8.4 尺度函数与小波 8.5 小波变换的快速实现 8.6 图像的多分辨分解与重建 8.7 小波变换在图像边缘检测中的应用 8.8 小波变换在图像去噪中的应用 8.9 小波变换在图像融合中的应用

电解分析和库仑分析所用化学电池是将电能转变为化学能的电解池。 其测量过程是在电解池的两个电极上,外加一定的直流电压,使电解池中 的电化学反应向着非自发的方向进行电解质溶液在两个电极上分别发生 氧化还原反应,此时电解池中有电流通过

第一章 自动控制的一般概念 第二章 控制系统的数学模型 第三章 线性系统的时域分析法 第四章 线性系统的根轨迹法 第五章 线性系统的频域分析法 第六章 控制系统的频域分析法 第七章 非线性控制系统

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定义:伏安法和极谱法是一种特殊的电解方法。以小面积、易极化的电极作工作电极、以大面积、不易极化的电极为参比 电极组成电解池,电解被分析物质的稀溶液,由所测得的电流一电压特性曲线来进行定性和定量分析的方法。 当以滴汞作工作电极时的伏安法,称为极谱法,它是伏安法的特例

第三节放大电路的微变等效电路分析法 一、晶体管微变等效电路分析 二、用微变等效电路分析放大器