本章重点： 离子注入工艺机理、注入方法； 核、电子阻止，杂质分布函数、特点； 注入损伤：原因、种类、主要影响因素； 退火：机理、方法； 离子注入和热扩散比较； 6.1 概述 6.2 离子注入原理 6.3 注入离子在靶中的分布 6.4 注入损伤 6.5 退火 6.6 离子注入设备与工艺 6.7 离子注入的其它应用

绪论 0.前言 1.IC的分类 2.描述IC工艺技术水平的五个技术指标 3.微电子科学技术的发展历史 4.微电子发展的规律 5.半导体IC技术发展趋势 6.我国微电子发展概况

复旦大学：微电子工程教学资源（参考论文）与工艺无关的Rail-to-Rail CMOS运算放大器

从光电子与微电子相似的发展规律出发,阐述微电子对于信息技术的重要作用以及对发展光电子产业的启迪。正确把握光电子与微电子相互促进、相互依存、并行发展的客观规律。信息的需求量仍呈指数增长，必须保持清醒的头脑，“机遇与挑战并存”对发展光电子与信息产业上更具现实意义

微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

以一种特定成分的有机硅为原料,采用溶胶-凝胶法,在硅基片上制备出用于光波导器件的薄膜.通过折射率和厚度测试及XPS成分测试验证了此薄膜具有较好的均匀性、厚度和光学特性,满足光波导器件的要求.分析了溶胶-凝胶法中常见的龟裂现象的原因以及采预防方法.利用这种薄膜结合微电子加工工艺制备出光波导器件阵列波导光栅

一、薄膜制备工艺 二、光刻工艺 三、刻蚀工艺（Etch Process） 四、掺杂工艺 五、氧化工艺 六、其它工艺 • CMP(chemical mechanical planarization) • SOI (silicon on insulator) • 铜互连 • 硅片键合与背面腐蚀技术 • 注氧隔离技术(SIMOX) • 智能剥离技术

《工程计算软件（MATLAB）》 《电路原理》 《模拟电子技术》 《数字电子技术》 《工程制图与 AutoCAD》 《应用光学》 《半导体物理》 《科技论文中英文写作》 《波动光学》 《单片机原理及应用》 《微电子技术基础》 《光度学原理与测量技术》 《光学透镜设计（Zemax）》 《半导体照明器件与工艺》 《气体放电光源》 《激光原理与技术》 《电磁场》 《光电功能材料》 《照明设计》 《照明配光设计》 《半导体照明散热设计与分析》 《光电子技术》 《光电传感与检测技术》 《光电显示技术》 《光源电器原理与技术》 《物联网技术》 《计算机视觉》 《虚拟仪器技术（LabVIEW）》 《专利检索与写作》 《科技项目申报与写作》 《工程伦理》 《企业文化与企业管理》 《学科概论》