本章重点： 离子注入工艺机理、注入方法； 核、电子阻止，杂质分布函数、特点； 注入损伤：原因、种类、主要影响因素； 退火：机理、方法； 离子注入和热扩散比较； 6.1 概述 6.2 离子注入原理 6.3 注入离子在靶中的分布 6.4 注入损伤 6.5 退火 6.6 离子注入设备与工艺 6.7 离子注入的其它应用

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绪论 0.前言 1.IC的分类 2.描述IC工艺技术水平的五个技术指标 3.微电子科学技术的发展历史 4.微电子发展的规律 5.半导体IC技术发展趋势 6.我国微电子发展概况

复旦大学：微电子工程教学资源（参考论文）与工艺无关的Rail-to-Rail CMOS运算放大器

从光电子与微电子相似的发展规律出发,阐述微电子对于信息技术的重要作用以及对发展光电子产业的启迪。正确把握光电子与微电子相互促进、相互依存、并行发展的客观规律。信息的需求量仍呈指数增长，必须保持清醒的头脑，“机遇与挑战并存”对发展光电子与信息产业上更具现实意义

微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

以一种特定成分的有机硅为原料,采用溶胶-凝胶法,在硅基片上制备出用于光波导器件的薄膜.通过折射率和厚度测试及XPS成分测试验证了此薄膜具有较好的均匀性、厚度和光学特性,满足光波导器件的要求.分析了溶胶-凝胶法中常见的龟裂现象的原因以及采预防方法.利用这种薄膜结合微电子加工工艺制备出光波导器件阵列波导光栅

一、薄膜制备工艺 二、光刻工艺 三、刻蚀工艺（Etch Process） 四、掺杂工艺 五、氧化工艺 六、其它工艺 • CMP(chemical mechanical planarization) • SOI (silicon on insulator) • 铜互连 • 硅片键合与背面腐蚀技术 • 注氧隔离技术(SIMOX) • 智能剥离技术

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