本文用薄晶体电镜,x射线衍射形貌和金相腐蚀坑法研究了氢区熔硅单晶热处理缺陷形成机理。通过变温热处理,发现氢区熔硅单晶热处理缺陷主要是由氢沉淀引起的。沉淀过程可能首先是Si-H键分解,然后是氢的扩散聚集,测出沉淀过程激活能是56.000±3000卡/克分子,它可能是Si-H键的分解激活能。沉淀物的析出面是{111}晶面,几何形态起始近似球状,然后变成扁椭球,最后是沿方向拉长的片状沉淀物。随着沉淀物的长大,在一定温度下(约600-700℃)会在沉淀物周围发射稜柱位错环,其分布形态和热处理温度有关。高温热处理时,沉淀物周围能发射出高对称的多组稜柱位错环,形成\星形\位错群。稜柱位错的稜柱面是{111}晶面,柏氏矢量是a╱2。发射方向是方向,位错线是方向

研究了用电镀法从含微量铅的硫酸盐镀液中获得的镀锌层,以及铅对其织构和结晶形态,镀层表面明度、光泽度、粗糙度、摩擦因数和抗黑变性能的影响.结果表明,随着镀液中Pb2+浓度的增加,镀层的表面粗糙度增大,其明度、光泽度、摩擦因数和抗黑变性能明显降低.这主要是由于Pb的存在导致镀锌层（002）晶面取向降低,（101）晶面取向增加的缘故

材料的结合键 1、五种结合键 2、结合键与材料性能的关系 纯金属的晶体结构 1、晶格、晶面、晶向等概念 2、常见的三种金属晶格 3、立方晶格晶面指数与晶向指数的求法 4、晶体缺陷及其对性能的影响

采用脉冲电镀法在黄铜表面制备出具有(111)、(200)和(220)晶面择优生长织构的纳米晶纯镍镀层.采用扫描电镜对镀层的显微形貌进行观察,采用X射线衍射对不同晶面织构的择优性进行表征,并对镀层在3.5%NaCl溶液中的动电位极化曲线和交流阻抗谱进行了测试,研究不同织构镀层的耐蚀性能.不同织构镀层的耐蚀性能存在显著差异:具有(220)强织构的镀层耐蚀性最差,其自腐蚀电流密度最大,为1.23μA·cm-2,镀层的电荷转移电阻为2.09kΩ·cm2;具有(200)强织构的镀层耐蚀性能最佳,镀层的电荷转移电阻为27.32kΩ·cm2,自腐蚀电流密度为0.15μA·cm-2;具有(111)织构镀层的耐蚀性居中.认为织构引起的表面胞状物的差别是造成纯镍镀层耐蚀性能不同的原因

3.1 概述 3.2 晶体结构与空间点阵 3.3 晶系与布拉菲点阵 3.4 布拉菲点阵和复合点阵 3.5 晶向指数和晶面指数 3.6 晶带及晶面间距 3.7 晶胞特征 3.8 密堆结构的间隙 3.9 金属合金的晶体结构 3.10 陶瓷的晶体结构 3.11 高分子的晶体结构

1.3晶向、晶面和它们的标志 1.3.1晶向及晶向指数 1.晶向 通过晶格中任意两个格点 连一条直线称为晶列,晶列的 取向称为晶向,描写晶向的一 组数称为晶向指数(或晶列指数 过一格点可以有无数晶列

第一部分:金属学(60分) 一、画出立方晶系中(011)晶面和[231]晶向。(本题4分) 装 二、试判断位错反应[110]→[121]+[211能否进行?(本题4分)

等轴晶系,四方晶系,斜方晶系:(001)与[001] (010)与[010],[110]与[001],(110)与(010) 单斜晶系:(001)与[001],[100]与[001],(001) 与(100),(100)与(010) 三方与六方晶系:(1010)与(0001),(1010)与 (1120) 等轴晶系的{hh}可能={111}?

⚫金属应变片式传感器 ◼金属丝式应变片 ◼金属箔式应变片 ◼测量电路 ◼应变式传感器应用 ⚫压阻式传感器 ◼压阻效应 ◼晶向、晶面的表示方法 ◼压阻系数 ◼固态压阻器件

一、定性相分析 二、定量相分析 三、晶胞参数精密测定 四、晶粒大小 五、晶面指数的确定