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广东工业大学:《电子元器件及其材料概论》课程教学资源(PPT课件讲稿)第三章 压电元器件及其材料
文档格式:PPT 文档大小:4.59MB 文档页数:171
§3.1 压电效应及压电方程 §3.2 压电振子 §3.3 压电滤波器 §3.4 压电声表面波器件 §3.5 压电变压器 §3.6 热释电红外探测器 §3.7 铁电器件
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电子科技大学:《纳米电子材料与器件》课程教学资源(教材电子书,共十章)
文档格式:PDF 文档大小:27.32MB 文档页数:308
本书由三大部分构成。第1、2章是纳米技术的基本情况;第3~7章主要是纳米电、磁、光功能材料及其在电子元器件中的应用;8~10章则主要是纳米电子学的基本知识。三个部分有一定的独立性联结起来又成一体。可供电子科学技术、材料、物理、化工、冶金等学科和相关技术人员使用
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复旦大学:《材料失效分析 Materials Failure Analysis》课程教学资源(课件讲稿)电子材料与电子元器件腐蚀(主讲:蒋益明)
文档格式:PDF 文档大小:1.06MB 文档页数:23
• 电子材料与器件的可靠性 • 电子材料与器件的失效分析 • 电子材料与器件的腐蚀形态 • 应用举例
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四川大学:《固体物理学》课程教学资源(教案讲义)第七章 半导体电子论
文档格式:PDF 文档大小:586.29KB 文档页数:28
半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料
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四川大学:《固体物理学》课程教学资源(教案讲义)第七章 半导体电子论
文档格式:PDF 文档大小:586.29KB 文档页数:28
半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料
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复旦大学:《光子学器件与工艺 Photonics Devices and Technology》参考教材_光无源器件(PDF电子书,共八章)
文档格式:PDF 文档大小:7.52MB 文档页数:248
光无源器件是光纤通信设备的重要组成部分,也是其它光纤应用领域不可缺少的元器件。本书对光无源器件的基本原理、制造工艺、测试方法和实际应用作了详细的叙述;对当今光无源器件的最新成果作了全面的介绍;对今后的发展方向作了深入的分析和探讨书中对光纤连接器、光衰减器、光耦合器、光波分复用器、光隔离器、光开关、光调制器进行了重点介绍。这些器件有些已大量用于光纤通信系统,有些将逐步用于光纤通信系统。对于这些器件,书中除阐述其原理之外,还重点论述了它们的内部结构并介绍了关键零部件的设计机理材料选用原则以及加工工艺。对器件的国际和国家标准也作了介绍。相信将有助于读者正确地选用器件、合理地使用器件
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河海大学:《高频电子线路》第2章(2-3) 声表面波滤波器(SAW)(声电子器件)
文档格式:PPT 文档大小:659KB 文档页数:31
声表面波滤波器是一种以铌酸锂、锆钛酸铅或石英等压电材料为基体构成 的一种电声换能元件
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清华大学:《模拟电子电路》课程教学资源(PPT课件讲稿)第一章 集成电路元、器件基础(1.1)半导体基础知识
文档格式:PPS 文档大小:400KB 文档页数:19
半导体的概念:导电能力处于导体和绝缘体之间的材料;原子之间的共价键很弱
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西安交通大学:《芯片制造-半导体工艺实用教程》 第二章 半导体材料
文档格式:PPT 文档大小:444.5KB 文档页数:7
第二章半导体材料 一、半导体材料 1.目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) 2.本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体,其纯度在999%(8~10个9)。 3.掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者硼(B),就会使电阻率降低20万倍
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《芯片制造半导体工艺实用教程》PPT教学课件:第二章 半导体材料
文档格式:PPT 文档大小:444.5KB 文档页数:7
半导体材料 目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ·本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体, 其纯度在999%(8~10个9)。 ·掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常 强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者 硼(B),就会使电阻率降低20万倍
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