1、参变电路与常用参变电路类型 2、时变参量线性电路 3、变频电路 4、变频干扰

4.3.4时变参量电路与变频器 1、参变电路与常用参变电路类型 2、时变参量线性电路 3、变频电路 4、变频干扰

第七章时变电磁场 主要内容 位移电流,麦克斯韦方程,边界条件,位函数能流密度矢量,正弦电磁场,复能流密度矢量。 1.位移电流 位移电流不是电荷的运动,而是一种人为定义的概念

一、概况 该厂日产 1000 吨，二班工作，年最大负荷利用小时 5000h。 二、电源 本厂距上级变电所 5 公里，短路容量

§2.1 电路的分类 §2.2 线性非时变电阻性电路的直接分析法 §2.3 等效电路 §2.4 线性非时变电阻串、并联等的等效简化 §2.5 含独立电源电路的等效变换 § 2.6 含有受控电源电路的简化

成年人顶部的正常颅内压平均值约为3.62kPa,颅内压波动2.5kPa左右时,颅内压轻度异常;当波动值达到3.5kPa左右时,出现脑震荡的症状;当波动值达到5kPa或更高时,人头颈部达到危重度伤.本文在颅内压正常波动值范围内,通过有限元MSC-PATRAN/NASTRAN软件分析了颅骨三层复合结构以及颅骨与硬脑膜组成的四层复合结构的表面应力和应变;同时,随颅内压变化进行了猪颅骨片,以及模拟人体颅脑真实受力的人颅骨和猪颅骨球冠应变实验.分析结果表明:当颅内压轻度异常时颅骨外表面产生的应变约为1.5×10-6,脑部出现脑震荡的症状时颅骨外表面产生的应变约为2.5×10-6,头颈部达到危重度伤时颅骨外表面产生的应变约为4×10-6.因此,随颅内压的变化颅骨外表面的应变是可测的,且在仪器检测范围内;本文所提出的微创颅内压应变电测法是可行的,即在颅骨外表面粘贴应变片,随颅内压的变化测颅骨应变,通过计算机进行数据处理获得颅内压变化量的方法.与临床上测量颅内压时钻孔或穿刺等方法比较,应变电测颅内压法对患者造成的损伤很小,属于微创或无创范围,具有安全易操作、减少感染、对患者创伤小、可长期测量等特点

在提高常规串级凋速装置的功率因数的基础上,研究了能降低逆变电流中谐波成分的逆变控制方案。使用GTO代替常规逆变器中的可控硅,借助次谐波PWM技术选择最佳开关点,并使逆变器触发角α基180°~270°内变化,则能抑制逆变器的谐波电流,还能提高逆变器的功率因数。这套装置用于串级调速的实验表明:电流超前型的功率因数比滞后型的有明显提高,逆变电流中低次谐波大大减少

前面各章我们分别讨论了静电场 静磁场 稳恒电流 电磁感应以及似稳的交变电流的实验规律 因 为它们都是大量的实验事实的总结 从而具有可靠性 但它们又只是在一定的条件下成立 所以具有局限 性 它们不是电磁现象的普遍规律 英国伟大的科学家麦克斯韦在总结了前人得到的实验规律的基础上 以他非凡的智慧 大胆地提出了 变化的磁场产生电场 和 位移电流 的假设 把静电场 静磁场和电 磁感应规律中的核心部分推广到由随时间变化的电荷 电流所产生的迅变电磁场 高度概括为具有优美数 学形式的 4 个方程 称为麦克斯韦方程组 麦克斯韦方程组是电磁场的普遍规律 它不仅可以解释当时已 知的一切电磁现象

第一章 矢量分析 梯度、散度、旋度、亥姆霍兹定理 第二章 静电场 电场强度、电位、介质极化、场方程、边界条件、能量与力 第三章 静电场的边值问题 电位微分方程，镜像法，分离变量法。 第四章 恒定电流场 电流，电动势，电流连续性原理，能量损耗 第五章 恒定磁场 磁通密度，场方程，边界条件 第六章 电磁感应 电磁感应定律，自感与互感，磁场能量与力。 第七章 时变电磁场 位移电流，麦克斯韦方程，边界条件，位函数，能流密度矢量，正弦电磁场，复能流密度矢量。 第八章 平面电磁波 理想介质中的平面波，平面波极化特性，平面边界上的正投射，任意方向传播的平面波的表示，平面边界上的斜投射，各向异性媒质中的平面波

１. 枢纽变电所电气主接线 系统的枢纽变电所汇集多个大电源和大容量联 络线，在系统中处于非常重要的地位，因而对其 供电可靠性要求非常高。 其高压侧常采用一个半断路器接线或双母线 接线，其低压侧常采用双母线接线或者单母线分 段带旁路母线的接线