一、计算机硬件的组成 构成计算机系统的元器件、部件和设备 以及它们的工程实现(设计、制造和检测)。 元器件:集成电路、印制电路板、磁性 元件、电子元件、光电子元件、接插件等。 :、 部件和设备:运算器、控制器、主存储 器、辅助存储器、输入和输出设备、电源等

《DSP 器件与应用》课程教学大纲 《EDA 技术》课程教学大纲 《PLC 原理与应用》课程教学大纲 《VC 程序设计》课程教学大纲 《MATLAB 基础》课程教学大纲 《半导体器件及应用》课程教学大纲 《测控电路》课程教学大纲 《传感器与检测技术》课程教学大纲 《大学生心理健康教育》课程教学大纲 《大学生职业发展与就业指导》课程教学大纲 《大学物理 A》课程教学大纲 《单片机原理与应用》课程教学大纲 《电磁场与电磁波》课程教学大纲 《电机及拖动基础》课程教学大纲 《电力电子技术》课程教学大纲 《电路分析》课程教学大纲 《电气控制技术》课程教学大纲 《电视原理与技术》课程教学大纲 《电子测量技术》课程教学大纲 《高频电子线路》课程教学大纲 《机械制图》课程教学大纲 《控制电机》课程教学大纲 《模拟电子技术基础》课程教学大纲 《数字电子技术基础》课程教学大纲 《数字系统设计与 Verilog HDL》课程教学大纲 《数字信号处理》课程教学大纲 《通信原理》课程教学大纲 《微机原理与接口技术》课程教学大纲 《信号与系统》课程教学大纲 《自动控制原理》课程教学大纲 《LabVIEW 虚拟仪器》课程教学大纲 《电磁兼容基础》课程教学大纲 《高速 PCB 设计》课程教学大纲 《光电检测技术》课程教学大纲 《光电子技术》课程教学大纲 《集成电路概论》课程教学大纲 《科技写作基础》课程教学大纲 《模式识别》课程教学大纲 《嵌入式系统设计》课程教学大纲 《软件无线电基础》课程教学大纲 《视频监控系统》课程教学大纲 《数值分析》课程教学大纲 《数字图像处理》课程教学大纲 《随机信号分析》课程教学大纲 《微波技术基础》课程教学大纲 《信息论基础》课程教学大纲 《语音信号处理》课程教学大纲 《专业英语》课程教学大纲 《专业见习》教学大纲 《专业实习》教学大纲 《毕业设计》教学大纲 《金工实习》教学大纲 《电子技术工艺》教学大纲 《数字电子技术课程设计》教学大纲 《模拟电子技术课程设计》教学大纲

思想道德修养与法律基础Ａ 中国近现代史纲要 A 马克思主义基本原理 B 毛泽东思想和中国特色社会主义理论体系概论 I 毛泽东思想和中国特色社会主义理论体系概论 II 形势与政策 I~IV 体育 I~IV 外语 AI 外语 AII 外语 AIII 外语 AIV 高等数学 AI 高等数学 AII 线性代数 B 概率论与数理统计 B 大学物理 I 大学物理 II 物理实验 AI 物理实验 AII 创业与企业管理(三级项目) 国防教育与军事训练 思想道德修养与法律基础社会实践 马克思主义基本原理社会实践 中国近现代史纲要社会实践 毛泽东思想和中国特色社会主义理论社会实践 创业与经营实训 计算思维导论 计算思维导论课程实验 计算机技术基础 A 计算机技术基础 A 课程实验 工程化学 工程化学课程实验 C 语言程序设计（三级项目） C 语言程序设计（三级项目）课程实验 光电子器件（三级项目） 光电子器件（三级项目）实验 单片机原理（三级项目） 单片机原理（三级项目）课程实验 电路分析基础（三级项目） 电路分析基础（三级项目）课程实验 光纤传感技术（三级项目） 光纤传感技术（三级项目）课程实验 光学原理（三级项目） 光学原理（三级项目）课程实验 模拟电子技术 B 模拟电子技术 B 课程实验 嵌入式系统（三级项目） 专业综合课程设计—嵌入式系统（二级项目） 嵌入式系统（三级项目）课程实验 通信原理 B 通信原理 B 课程实验 半导体器件物理 常用光电仪器原理及使用 电磁场理论 复变函数 B 工程制图基础（三级项目） 光电成像技术 电子科学与技术工程导论 光纤通信系统 专业综合课程设计-光纤传感与通信 光学材料 红外技术 激光技术 激光原理（三级项目） 职业生涯规划与就业指导Ⅰ 职业生涯规划与就业指导 II 系列专题讲座 量子力学 数理方程 数字电子技术 A 数字信号处理 无线传感网络 信号与系统 B（三级项目） 专业英语 EDA课程设计（三级项目） 常用光电仪器原理及使用课程实验 电子工艺实习 B 电子线路 CAD（三级项目） 光学系统设计（三级项目） 金工实习 D 生产实习（二级项目） 毕业设计（一级项目）

2.5.1 稳压二极管 2.5.2 变容二极管 2.5.3 光电子器件 1. 光电二极管 2. 发光二极管 3. 激光二极管

§6.1 现代MOS器件 §6.2 CCD器件 §6.3 存储器件 §6.4 纳米器件 §6.5 功率器件 §6.6 微波器件 §6.7 光电子器件 §6.8 量子器件

§6.1 现代MOS器件 §6.2 CCD器件 §6.3 存储器件 §6.4 纳米器件 §6.5 功率器件 §6.6 微波器件 §6.7 光电子器件 §6.8 量子器件

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管(稳压二极管) 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电子器件

以燃料电池、光伏电池等为代表的新能源在实际应用中需要大功率DC-DC变换器对其输出电压进行调节,同时对其输出功率进行控制.本文将高效SiC MOSFET应用于燃料电池汽车两相交错式Boost型DC-DC变换器中,基于计算、仿真和实验手段分析了应用SiC功率器件变换器的性能.研究结果表明:在大功率DC-DC变换器中,新型SiC功率器件的应用能够提高变换器功率密度、增强变换器可靠性,提升动力系统工作效率.该研究结果将为新型电力电子器件的应用以及新能源相关领域的研究提供参考

综述了多晶卤化物钙钛矿薄膜的局限性, 卤化物钙钛矿量子点的基本光学性质和制备方法, 以及在光电探测器方面的器件结构研究进展, 并重点介绍了应用在0D-2D混合维度异质结基光电晶体管器件的突破, 包括界面载流子行为和高性能光探测器的构建.最后, 总结了卤化物钙钛矿量子点作为未来商业化应用的光电子器件和电子器件的候选材料所面临的主要问题和挑战, 譬如化学不稳定性、铅毒性问题、量子点与其他材料间界面高效电荷传输等问题, 并提出了解决思路和方法.这为设计和推进高性能、高稳定性卤化物钙钛矿量子点基光电功能化器件的商业化应用指明了方向

基于前驱体合成与氨气氮化两步法，通过对前驱体合成关键参数B源/N源比、分散剂种类、前驱体干燥方式进行调控，实现了大比表面积、少层氮化硼纳米片材料的制备。其优化条件为以硼酸为硼源，尿素为氮源，硼酸与尿素摩尔比为1∶30，甲醇和去离子水作为分散剂，利用真空冷冻干燥方式合成前驱体。将前驱体在氨气气氛下900 ℃保温3 h合成了氮化硼纳米片。利用X射线衍射测试、X射线光电子能谱测试、拉曼光谱测试、热重分析测试等对合成产物进行了物相和结构表征，利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、氮气吸脱附曲线等对合成产物进行了形貌及比表面积表征。结果表明：合成的氮化硼为六方氮化硼纳米片（h-BNNSs），纯度高，形貌类石墨烯，层数为2～4层，厚度平均为1 nm，比表面积为871.8 m2·g?1，单次产物质量平均可达240 mg，合成产物平均产率可达96.7%。该方法简单易操作，实现了大比表面积少层氮化硼的制备，有助于氮化硼在各应用领域的研究，如氮化硼/石墨烯复合材料、纳米电子器件、污染物的吸附、储氢等