任何一个电子产品,都由若干相互连接,相互作用 的基本单元电路组成。目前,单个集成电路芯片,集成了 许多不同类型的单元电路。自成一个体系。如:可编程放 大器,功率放大器,运算放大器,比较器、门电路,触发 器,计数器,译码器,A/D,D/A转换器等专用集成电路。 对设计者来讲:这些集成电路都可以从厂商给出的产 品手册中了解其内部特性及外部特性

将去耦电容直接放在IC封装内可以有效控制EMI并提高信号的完整性,本文从IC内 部封装入手,分析EM的来源、IC封装在EM控制中的作用,进而提出11个有效控制EM 的设计规则,包括封装选择、引脚结构考虑、输出驱动器以及去耦电容的设计方法等,有助 于设计工程师在新的设计中选择最合适的集成电路芯片,以达到最佳EM抑制的性能 现有的系统级EM控制技术包括

集成电路的封装方法 双列直插式(DP: Dual In-line- Package) 表面安装封装(SMP: Surface Mounted Package) 球型阵列封装(BGA: Ball Grid Arrag) 芯片尺寸封装(CsP: Chip Scale Package) 晶圆级尺寸封装(LP: Wafer Level CSP) 薄型封装(PtP: Paper Thin Package) 多层薄型封装(Stack PTP) 裸芯片封装(co, Flip chip)

工程坯流片 IC设计者在集成电路设计开发阶段，为了验证自己所 设计的集成电路是否成功，必须进行工程坯流片。 集成电路设计者自己进行工程坯流片时，往往一片晶 圆上只能验证一个设计项目（产品），而每次工程坯 流片FOUNDRY至少提供6-12片，制造出的芯片数量 将达到成千上万片，远多于设计阶段产品测试所需的 数量。如果设计成功，则可以将多余的芯片作为商品 出售，如果设计中存在问题，则所有芯片全部报废。 然而多数情况下，一个设计需要至少进行两次工程坯 流片才能成功，由此造成了极大人力和财力的浪费

第七章中规模通用集成电路及其应用 集成电路由SSI发展到MSI、LSI和VLSI,使单个芯片 容纳的逻辑功能越来越强。 一般来说,在SSI中仅是基本器件(如逻辑门或触发器) 的集成,在MSI中已是逻辑部件(如译码器、寄存器等)的 集成,而在LSI和VLSI中则是一个数字子系统或整个数字 系统(如微处理器)的集成

第一节引言 硅平面工艺是制造 MOS IC的基础。利用不同的 掩膜版,可以获得不同功能的集成电路。因此, 版图设计成为开发新品种和制造合格集成电路的关键。 1、手工设计 人工设计和绘制版图,有利于充分利用芯片面 积,并能满足多种电路性能要求。但是效率低、 周期长、容易出错,特别是不能设计规模很大的 电路版图。因此,该方法多用于随机格式的、产 量较大的MSI和LSI或单元库的建立

系统设计：芯片的功能、尺寸、外部接口、 性能、速度、成本等； 功能设计：系统功能块分割、功能框图 信号流程图、状态转换图等 逻辑设计：各功能块的逻辑表达、逻辑电路图等 功能仿真：不考虑电路连线延时

近年来，随着深亚微米工艺的出现，硅工艺技术将引发一场 TCAD 到 ECAD 的革命。 大家知道，片上系统（system on chip）今天已从概念成为现实。然而，在一个芯片上要嵌入 多种功能并非易事

微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展