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采用ODF分析方法,对IF钢热轧钢板在冷轧过程中织构变化进行了分析.结果指出,随冷轧压下量的增加,钢板中晶粒的取向密度主要汇集于α、γ取向线附近,织构的变化也主要表现在α、γ取向线的{001}、{112}、{111}、{111}取向密度的增加上.其趋势是随形变量的增加,{111}、{111}织构增加幅度较大
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测定了半工艺无取向电工钢热轧(终轧温度在Ar1以下)到成品各工序的织构,以取向分布函数(ODF)的形式对加临界变形的半工艺无取向硅钢的织构演变作了分析.发现其热轧板表层织构基本是典型的铁素体再结晶{111}组分,心部和1/4厚度处以铁素体剪切织构和轧制变形织构为主.冷轧变形后,心部和表层织构组分比较接近,{111}、{112}和{100}面织构都增加,但{111}组分增加最明显.软化退火后,{001}与{112}组分迅速降低,织构组分以γ纤维织构为主.通过增加临界变形,在最终去应力退火后,{111}不利面织构大量减少,高斯组分增加明显.Taylor因子可以表征不同取向晶粒对变形能的储存能力,从轧制变形时Taylor因子的分布可以解释该实验结果
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采用取向分布函数法研究了钢板中的轧制织构。其中以{110}滑移系滑移为基本变形机制,利用Sachs、Taylor、RC和PC等模型对轧制织构进行了理论模拟。这些理论模型可以再现体心立方金属冷轧过程中晶粒取向在{112},{111},{111}及{001}附近的聚集过程。分析表明{110}滑移系的滑移是体心立方金属十分重要的变形机制,适当参考各种变形模型可以更为准确地描述冷轧织构的形成过程。还根据冷轧织构的变化过程分析讨论了钢板应力和应变张量连续性等问题
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运用电子背散射花样技术(EBSP)对本钢深冲板St15再结晶退火过程中的织构演变规律进行了研究.当加热速率为30℃/h时,深冲板St15再结晶开始温度在560℃左右,再结晶完成时间约为2h,最强织构组分为{100}.随着温度的升高,深冲板St15的γ纤维织构,尤其是{111}织构有所增强.当保温温度为700℃,随保温时间延长,深冲板St15的{111}织构明显增强,4h后{111}织构开始逐渐增强,到13h时,获得理想的退火织构
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采用X射线衍射法对国内外四家钢厂帘线钢盘条的织构进行了对比研究.结果表明,国内外各钢厂盘条的织构存在明显差异,国内盘条轴向上的{111}织构强度大于国外盘条,然而盘条轴向上的{111}织构是硬取向,不利于盘条的拉拔.通过延长加热炉加热时间、提高加热温度和提高吐丝温度,可以使{111}织构的强度明显降低
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本文选用了超深冲IF钢,经1200℃开轧、930℃终轧、700℃卷取和80%冷轧后,在800℃不同时间退火并观察其再结晶过程。实验结果表明.微碳、钛、铌IF钢在退火初期,{111}平行于板面亚晶首先发生回复、多边化,而后形成再结晶晶核,同时这种取向的晶粒优先长大从而形成{111}纤维的织构,其它取向的品粒较迟发生回复或被生长着的{111}平行于板面取向的晶粒吞并
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使用薄膜TEM直接观察了成分相近热处理制度不同的两个炉号GH36合金的基本组织,使用SAD和DF技术做物相分析。结果表明,合金经正常热处理后析出细小弥散分布的VC,尺寸约在2nm~12nm,还有M23C6和N6C、其中VC和M23C6与合金基体的取向关系是[011]vc∥[011]M∥[011]M23C6,(111)VC∥(111)M∥(111)M23C6,(200)VC∥(200)M∥(200)M23C6,通过补充时效后合金中VC颗粒聚集长大,晶界析出的M23C6更多,这种组织及晶界状态有利于改善合金的持久缺口敏感性
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为提高单晶硅纳米切削表面质量的同时, 不影响加工效率, 以扫描电子显微镜高分辨在线观测技术为手段, 在真空环境下开展了单晶硅原位纳米切削实验研究.首先, 利用聚焦离子束对单晶硅材料进行样品制备, 并对金刚石刀具进行纳米级刃口的可控修锐.然后, 利用扫描电子显微镜实时观察裂纹的萌生与扩展, 分析了单晶硅纳米切削脆性去除行为.最后, 分别采用刃口半径为40、50和60 nm的金刚石刀具研究了晶体取向和刃口半径对单晶硅脆塑转变临界厚度的影响.实验结果表明: 在所研究的晶体取向范围内, 在(111)晶面上沿[111]晶向进行切削时, 单晶硅最容易以塑性模式被去除, 脆塑转变临界厚度约为80 nm.此外, 刀具刃口半径越小, 单晶硅在纳米切削过程中越容易发生脆性断裂, 当刀具刃口半径为40 nm时, 脆塑转变临界厚度约为40 nm.然而刀具刃口半径减小的同时, 已加工表面质量有所提高, 即刀具越锋利越容易获得表面质量高的塑性表面
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利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和电子背散射衍射(EBSD)技术,针对SPCD冷轧板冲压制品中的桔皮缺陷的成因进行分析,探讨了晶粒取向可能对桔皮产生的影响.结果表明:铁素体晶粒过度粗大是导致冲压件表面产生桔皮缺陷的根源;{111}织构强度较弱和较大冲压量是加剧桔皮产生的两个因素.桔皮自由表面由平缓区和粗糙区组成,两个区域均显现以{112}〈110〉与{111}〈110〉为主导的取向特征,表明表面形貌与晶粒取向的对应性不显著,表面接触状况不同是造成这种形貌差异的主要原因
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利用X射线技术检测了普通工艺和改进工艺制备的内联导电铝膜的织构.分析表明,高体积量且锋锐的{111}面织构可以大幅度降低大规模集成电路芯片的失效率.讨论了失效的原因及{111}织构的有利作用.指出了新一代内联导电铜膜相应织构问题的重要性
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