以辐射平衡条件下一维平行平板介质层的辐射换热问题为例,介绍了求解辐射传递方程的离散坐标法,对影响离散坐标法计算精度与速度的角度积分方案的选取进行了研究.分析了离散坐标法常用的SN积分方案、Fiveland等权值积分方案FN及高斯积分方案GN对计算结果准确性的影响.研究表明:积分方案近似阶数越高,计算结果的精度越高,但随着积分方案阶数的增加,所需的计算量也增大;同一近似阶数的各种积分方案的准确性各不相同,其中FN积分方案在相同阶数下的精度最高,SN积分方案次之,GN积分方案的精度最差.在近似阶数足够高时上述三种积分方案均可达到较高的计算精度

对经热分解法制备所得Ti基IrO2-Ta2O5涂层电极及掺杂Sn,Pb的三元氧化物电极电解处理染料厂废水及模拟有机废水进行了研究.COD测试结果表明,使用IrO2-Ta2O5/Ti电极可以电解去除废水中的有机物.随电解时间增加废水COD值降低,高COD值时电解效率高,COD值很低的有机废水中加入NaCl对电解去除有机物有很好的促进效果.电极掺杂第三元素Sn,Pb可以促进电解去除废水中的有机物,与IrO2-Ta2O5/Ti相比,PbO2/IrO2-Ta2O5/Ti电极电解废水的COD去除率提高了11.2%

教学目标或要求：了解卤代烃分类，命名及同分异构现象。了解卤代烃的亲核取代反应历程及其制备。重点掌握卤代烃的亲核取代反应历程（SN1 和 SN2）

采用交流阻抗谱研究热风整平无铅喷锡处理印制电路板（PCB-HASL）和无电镀镍金电路板（PCB-ENIG）在盐雾环境下的电化学腐蚀行为,并结合体式学显微镜、扫描电镜、X射线能谱等手段分析两种不同表面处理工艺电路板的腐蚀产物形貌、组成和镀层失效机制.结果表明：盐雾环境下,PCB-HASL和PCB-ENIG均发生严重腐蚀;镀Sn层开始发生局部腐蚀,随后几乎整个表面都发生腐蚀,出现类似均匀腐蚀的现象,镀金板主要发生微孔腐蚀.在PCB-HASL腐蚀过程中,Cl-的侵蚀作用促进Sn层的腐蚀,后来由于逐渐形成大量的覆盖在镀层表面的腐蚀产物,使得腐蚀速率降低;而在PCB-ENIG腐蚀过程中,微孔处形成含Cl-电解质薄液层,Ni与Au构成腐蚀电偶,从而加速Ni的腐蚀,最终使Cu基底裸露,造成电路板失效

本文提出一种预示三元系热力学性质和用于相图计算的新几何不对称模型。该模型在现有不对称模型中数学解析式最简洁,计算精度较高。它应用于Bi-Ga-Sn、An-Ag-Sn和NaCl-KCI-CaCl2 3个三元系,计算值与实验结果吻合较好。文中还阐明了在不对称模型中选取不对称组元的热力学准则

本文用显微镜和扫描电镜,研究了金属与合金对小颗粒人造金刚石浸润角的测定方法。研究了非过渡族非碳化物形成元素（Cu、Sn、Pb、Al、Ag）及CuSn合金,对小颗粒人造金刚石的浸润性能。同时研究了在Cu、Cu—Sn合金中加入过渡族碳化物形成元素Ti时,对浸润角的影响,证实了浸润角随含钛量增加而减小的规律

本工作研究了添加元素Te、In、Sn、Al和Ni对内氧化Ag-4-8.5wt%Zn合金组织和性能的影响。少量Te或Te、In、Sn均能改善合金组织状态,使合金中氧化物呈粒状而且分布均匀;Al、Ni则不能改变这类合金中氧化物的针状特征。结果指出,添加适当的元素和控制ZnO含量能获得高抗熔焊性、高抗腐蚀性和低的接触电阻等开关特性优异的触头材料

1、解:令n表在n次移动中向右移动的次数,则ξ服从二项分布, P(=}=*(1-p)\-,= 0, 1,..n以Sn表时刻时质点的位置,则Sn=5n-(n-5n)=25n-n

应用配有能谱仪的场发射扫描电镜分析了A105钢中裂纹处及基体内残余元素Cu、As和Sn以及P含量.应用Thermo-Calc热力学计算软件计算了A105钢的主要析出相以及钢液中P含量随固相质量分数变化关系.应用Gleeble 1500热模拟试验机对A105钢的高温热塑性进行了研究.发现P偏析是该钢产生横裂的主要原因，残余元素Cu、As和Sn在晶界的偏聚加剧了裂纹的形成，矫直温度偏低加速了裂纹的扩展，而裂纹的形成可能与AlN的析出无关，因为析出的AlN很少

卤代烃-----烃类分子中的氢原子被卤素取代后的化合物。 本章主要内容： 卤代烷烃 卤代烯烃 卤代芳烃 多卤代烃 饱和碳上的亲核取代反应(SN1, SN2) 消除反应(E1, E2) 9.1 卤代烃的分类和命名 9.2 卤代烃的制法 9.3 卤代烃的结构 9.4 卤代烃的物理性质(氯代烃,溴代烃,碘代烃) 9.5 卤代烷的化学性质 9.6 卤代烯烃 9.7 卤代芳烃 9.7.1 氯苯 9.7.2 苯氯甲烷（氯化苄、苄氯） 9.8 多卤代烃