山东理工大学：《结晶学》课程教学资源（课件讲稿）09 晶体化学基础（2/2）

G 第九章晶体化学基础 ▣课次：25-27 口课形：理论课 口教学手段：多媒体

第九章 晶体化学基础 课次：25-27 课形：理论课 教学手段：多媒体 1

第九章晶体化学基础 主要教学内容 口紧密堆积原理* 口配位数与配位多面体* 口化学键与晶格类型* ▣晶体场理论#* 日 类质同像*与同质多像* 口多型 ▣晶体结构的有序和无序 Crystallography 2东露火军

Crystallography 第九章晶体化学基础  紧密堆积原理*  配位数与配位多面体*  化学键与晶格类型*  晶体场理论#*  类质同像*与同质多像*  多型  晶体结构的有序和无序 主要教学内容 2

第九章晶体化学基础 9.6化学键与晶格类型 Crystallography 本理2火深 HANDONG UNIVERSITY OF TECHNOLO

Crystallography 第九章晶体化学基础 9.6 化学键与晶格类型 3

第九章晶体化学基础 9.6化学键写晶格类型 ▣晶体结构中占主导地位的化学键的类型 >离子键离子晶格 >共价健原子晶格 >金属键-金属晶格 >分子键分子晶格 Crystallography 2东理火军

Crystallography 第九章晶体化学基础  晶体结构中占主导地位的化学键的类型  离子键-离子晶格  共价健-原子晶格  金属键-金属晶格  分子键-分子晶格 9.6 化学键与晶格类型 4

第九章晶体化学基础 9.6.1离子晶格 ▣晶体结构中古主导地位的化学键为离子键。 口具有较高配位数。 ▣结构电中性，阴阳离子有一定比例。 ▣符合鲍林规则。 Crystallography 2东理2火深 HANDONG UNIVERSITY OF TECHNOLO

Crystallography 第九章晶体化学基础  晶体结构中占主导地位的化学键为离子键。  具有较高配位数。  结构电中性，阴阳离子有一定比例。  符合鲍林规则。 9.6.1 离子晶格 5

第九章晶体化学基础 )鲍林规则 ▣鲍林把离子晶格看成是由配位多面体联接 而成。 ▣其结构描述可归纳为两条： ▣配位多面体的形状； 日配位多面体的连结方式。 Crystallography 2东露火军

Crystallography 第九章晶体化学基础  鲍林把离子晶格看成是由配位多面体联接 而成。  其结构描述可归纳为两条：  配位多面体的形状；  配位多面体的连结方式。 1) 鲍林规则 6

第九章晶体化学基础 第一规则：阴离子多面体规则 ▣在阳离子周围形成一个阴离子的配位多面体 阴阳离子的距离是半径之和，阳离子的配位 数取决于两者半径之比。 Crystallography 2东露2名 HANDONG UNIVERSITY OF TECHNOLO

Crystallography 第九章晶体化学基础  在阳离子周围形成一个阴离子的配位多面体， 阴阳离子的距离是半径之和，阳离子的配位 数取决于两者半径之比。 第一规则：阴离子多面体规则 7

第九章晶体化学基础 第二规则：静电价规则 口在一个稳定的离子晶格中，每一个阴离子的 电价，等于或近乎等于相邻各阳离子分配给 这个阴离子的静电键强度的总和。 02 02 02 Crystallography 免东露军

Crystallography 第九章晶体化学基础  在一个稳定的离子晶格中，每一个阴离子的 电价，等于或近乎等于相邻各阳离子分配给 这个阴离子的静电键强度的总和。 O2- Si4+ O2- O2- O2- 1 1 1 1 第二规则：静电价规则 8

第九章晶体化学基础 第二规则：静电价规则 口第一种书写方式 Z=∑S S=Z±/C.N ▣S一阳离子分配给配位多面体角顶上每个阴离子 的静电键强度； 口Z+阳离子电价： 口C.N.一阳离子配位数； ▣Z一阴离子电价。 Crystallography 2东爱2军 HANDONG UNIVERSITY OF TECHNOLO

Crystallography 第九章晶体化学基础  第一种书写方式 Z- =∑S S=Z+ /C.N.  S—阳离子分配给配位多面体角顶上每个阴离子 的静电键强度；  Z+—阳离子电价；  C.N.—阳离子配位数；  Z-—阴离子电价。 第二规则：静电价规则 9

第九章晶体化学基础 第二规厕。静电价规厕 口第二种书写方式 Z-=ne.v. e.V.=Z±/C.N. ae.v.一阳离子分配给配位多面体角顶上每个阴离子 的静电键强度 0 Z+阳离子电价 ▣C.N.一阳离子配位数 ▣乙一阴离子电价 ▣n一阴离子周围的阳离子数目 10 Crystallography 本我尖军

Crystallography 第九章晶体化学基础  第二种书写方式 Z- =ne.v. e.v.= Z+ /C.N.  e.v.—阳离子分配给配位多面体角顶上每个阴离子 的静电键强度  Z+—阳离子电价  C.N.—阳离子配位数  Z-—阴离子电价  n—阴离子周围的阳离子数目 第二规则：静电价规则 10