
第三章晶体的面角恒等和投影 ▣课次:3 口课形:理论课 口教学手段:多媒体
第三章 晶体的面角恒等和投影 课次:3 课形:理论课 教学手段:多媒体 1

第三章晶体的面角恒等和投影 上节主要内容 ▣晶体生长的基本规律* ▣晶面发育的基本理论* 口影响晶体生长的外部因素 ▣晶体的人工合成技术简介 Crystallography 床露军
Crystallography 第三章 晶体的面角恒等和投影 晶体生长的基本规律* 晶面发育的基本理论* 影响晶体生长的外部因素 晶体的人工合成技术简介 上节主要内容 2

第三章晶体的面角恒等和投影 G 口晶核的形成 ▣形成晶核的相变驱动力 口气体过饱和(低蒸汽压) ▣溶液过饱和 口熔体过冷 ▣成核作用 ▣均匀成核作用 临界晶核 口非均匀成核作用 3 Crystallography 2东爱2火 HANDONG UNIVERSITY OF TECHNOLO
Crystallography 第三章 晶体的面角恒等和投影 晶核的形成 形成晶核的相变驱动力 气体过饱和(低蒸汽压) 溶液过饱和 熔体过冷 成核作用 均匀成核作用 临界晶核 非均匀成核作用 3

第三章晶体的面角恒等和投影 ▣晶体的生长 Crystallography 床罗军
Crystallography 第三章 晶体的面角恒等和投影 晶体的生长 4

第三章晶体的面角恒等和投影 DIRECT CARBON REPLICA G ONE MICROMETER Crystallography 东理2军 HANDONG UNIVERSITY OF TECHNOLO
Crystallography 第三章 晶体的面角恒等和投影 5

第三章晶体的面角恒等和投影 discharge spira adatom ⑦,step steps今 growth flow 10 stops step growth screw dislocation two-dimensional nucleus ▣阶梯状 ▣ 螺旋 discharge 生长理 生长 论 理论 adatom 1994 Encyclopaedia Britannica,Inc. nucleatic ▣ 层生 论 Crystallography 2东爱2军
Crystallography 第三章 晶体的面角恒等和投影 层生 长理 论 阶梯状 生长理 论 螺旋 生长 理论 6

第三章晶体的面角恒等和投影 G 口晶面的发育 口布拉维法则 ▣居里吴里夫原理 口周期键链理论 ▣影响晶体生长的外部因素 Crystallography 2东爱2火名 HANDONG UNIVERSITY OF TECHNOLO
Crystallography 第三章 晶体的面角恒等和投影 晶面的发育 布拉维法则 居里-吴里夫原理 周期键链理论 影响晶体生长的外部因素 7

第三章晶体的面角恒等和投影 口布拉维法则 B 实际晶体往往为面网密 度大的面网所包围。 a ●b● ② ●D 8 Crystallography 2东爱火军
Crystallography 第三章 晶体的面角恒等和投影 实际晶体往往为面网密 度大的面网所包围。 A B C D ① ③ ② a b 布拉维法则 8

第三章晶体的面角恒等和投影 G 口居理一吴里夫原理 目 1885年居里(P.Cuie)指出,晶体生长的平衡 态表面能最小。 ▣ 1901年吴里夫(G.W价晶面的生长速度与该 晶面的比表面能成正比(生长速度快的晶面表 面能大)。 Crystallography 2东爱2火军 HANDONG UNIVERSITY OF TECHNOLO
Crystallography 第三章 晶体的面角恒等和投影 居理—吴里夫原理 1885年居里(P.Curie)指出,晶体生长的平衡 态表面能最小。 1901年吴里夫(G.Wulff) 晶面的生长速度与该 晶面的比表面能成正比(生长速度快的晶面表 面能大) 。 9

第三章晶体的面角恒等和投影 】周期键链理论 哈特曼(P.Hartman)和珀多克(N.G.Perdok等 (1955)认为晶体平行键链生长,键力最强的方 向生长最快。 S面: (001 阶梯 面 F面: (100) 平坦 K面: 扭折面 (110 10 Crystallography 2东理2军
Crystallography 第三章 晶体的面角恒等和投影 哈特曼(P.Hartman)和珀多克(N.G.Perdok)等 (1955)认为晶体平行键链生长,键力最强的方 向生长最快。 周期键链理论 F面: 平坦 面 S面: 阶梯 面 K面: 扭折面 10