第8章MCS-51单片机的系统扩展 口8.1存储景概述 口8.2单片机扩畏及糸统结构 口8.3扩長存储编址及映像
第8章 MCS-51单片机的系统扩展 ❑8.1 存储器概述 ❑8.2 单片机扩展及系统结构 ❑8.3 扩展存储器编址及映像*
8.1存储器概述 811存储器的分类 按照存取速度和用途:内存和外存 内存一般都使用半导体存储器 812半导体存储器的分类 按存取方式不同,分为: 随机读写存储器RAM( Random Access memory); 只读存储器ROM( Read only memory) 按制造工艺不同,分为: 双极型、CMOS型和HMOS型
8.1 存储器概述 8.1.1 存储器的分类 按照存取速度和用途：内存和外存 内存一般都使用半导体存储器 8.1.2 半导体存储器的分类 按存取方式不同，分为: 随机读写存储器RAM(Random Access Memory)； 只读存储器ROM (Read Only Memory)。 按制造工艺不同，分为： 双极型、CMOS型和HMOS型
掩膜ROM 可编程ROM 只读存储器 (PROM) ROM 光可擦除PROM (EPROM) 半导体存储器 电可擦除PROM (EEPROM) 非易失RAM (NVRAM) 随机存取 双极型RAM 「静态RAM 存储器 (SRAM) RAM 动态RAM MOS型RAM (DRAM) 组合RAM GIRAM) 半导体存储器的分类
半 导 体 存 储 器 只读存储器 ROM 随机存取 存储器 RAM 掩膜ROM 可编程ROM （PROM） 光可擦除PROM （EPROM） 电可擦除PROM （EEPROM） 非易失RAM （NVRAM） 双极型RAM MOS型RAM 静态RAM （SRAM） 动态RAM （DRAM） 组合RAM （iRAM） 半导体存储器的分类
、随机存取存储器(RAM) 按信息存储方式可分为SRAM,DRAM 1.静态RAM( Static ram,简称SRAM) 存储单元:双稳态触发器。 优点:信息保存稳定,不易失,缺点:集成度低。 2.动态RAM( Dynamic RaM,简称DRAM): 存储单元:电容。 优点:电路简单,集成度高,缺点:电容易漏电。 3非易失RAM:或掉电自保护RAM,即 NVRAM ( Non volative ran)。 NVRAMESRAM+EEPROM
一、随机存取存储器（RAM） 按信息存储方式可分为SRAM, DRAM. 1. 静态RAM(Static RAM, 简称SRAM)： 存储单元：双稳态触发器。 优点：信息保存稳定，不易失，缺点： 集成度低。 2. 动态RAM(Dynamic RAM, 简称DRAM)： 存储单元：电容。 优点: 电路简单， 集成度高， 缺点： 电容易漏电。 3. 非易失RAM：或掉电自保护RAM，即NVRAM （Non volative RAM）。 NVRAM=SRAM+EEPROM
只读存储器有4种类型: 1.掩膜ROM 2.可编程ROM(PROM) 3.可擦除的PROM( EPROM- Erasable Programmable rom),紫外线擦除(UⅤ EPROM) 电擦除的PROM( EEPROM:E2PROM Electrically Erasable PROM)
二、只读存储器有 4 种类型： 1. 掩膜ROM 2. 可编程ROM （PROM） 3. 可擦除的PROM （EPROM－ Erasable Programmable ROM)， 紫外线擦除(UV EPROM) 4. 电擦除的PROM （EEPROM ：E2PROM－ Electrically Erasable PROM）
813牛导体存储器的性能指标 、存储容量 存储容量是指存储器可以存储的二进制信息量, 以位为单位。 般是以能存储的字数乘以字长表示的。即 存储容量=单元数×数据线的位数 数据线的位数:1,2,4,8位 例如:Inel2114芯片容量=1K×4位=4Kbit Intel6264芯片容量=8K×8位=64Kbit
8.1.3 半导体存储器的性能指标 一、存储容量 存储容量是指存储器可以存储的二进制信息量， 以位为单位。 它一般是以能存储的字数乘以字长表示的。即 存储容量=单元数×数据线的位数 例如：Intel 2114 芯片容量＝1K× 4位＝4K bit Intel 6264 芯片容量＝8K×8位＝64K bit • 数据线的位数：1, 2, 4, 8 位
二、最大存取时间 指从CPU给出有效的存储器地址到存储器给出有 效数据所需的时间 功耗 四、电源
二、最大存取时间 指从CPU给出有效的存储器地址到存储器给出有 效数据所需的时间。 三、功耗 四、电源
四、静态RAM(SRAM) 1.存储单元的内部结构
四、静态RAM（SRAM） 1. 存储单元的内部结构
X行地 址选择 5 读出放 CS+R/W 大器 行地 读出 址选 写入 择线 CS+R/W SRAM存储单元的结构
“1” “1” SRAM存储单元的结构
利用基本存储电路排成阵列,再加上地址译码电路 和读写控制电路就可以构成读写存储器 列 译 码 电 行线 线 线 行 行线 山++ 13 2·行绲 o 4 路B3“行线 什西什 , R2T早 数据线 Cs 控制 图7316×1静态RAM原理图
利用基本存储电路排成阵列，再加上地址译码电路 和读写控制电路就可以构成读写存储器