模拟电子技术 第1章半导体二极管 第1章半导体二极管(Semiconductor Diode) 1.1半导体的基础知识 1.1.1本征半导体 半导体一导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 本征半导体一纯净的半导体。如硅、锗单晶体。 载流子一自由运动的带电粒子。 共价键一相邻原子共有价电子所形成的束缚。 硅（锗)的原子结构 硅（锗）的共价键结构 ● 18 +4 电 简化 价电子 模型 ● (束缚电子) 惯性核
+4 +4 +4 +4 第 1 章 半导体二极管（Semiconductor Diode） 1.1 半导体的基础知识 1.1.1 本征半导体 半导体 — 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 本征半导体 — 纯净的半导体。如硅、锗单晶体。 载流子 — 自由运动的带电粒子。 共价键 — 相邻原子共有价电子所形成的束缚。 硅（锗）的原子结构 Si 2 8 4 Ge 2 8 18 4 简化 模型 +4 惯性核 硅（锗）的共价键结构 价电子 自 由 电 子 （束缚电子） 第1章 半导体二极管
模拟电子技术 第1章半导体二极管 本征激发：在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱 共价键的束缚成为自由电子，并在共价键 中留下一个空位（空穴)的过程。 复合： 自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成 对消失的过程。 漂移：自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。 两种载流子 两种载流子的运动 电子（自由电子） 自由电子（在共价键以外）的运 空穴 空穴（在共价键以内)的运动 结论： 1.本征半导体的电子空穴成对出现，且数量少； 2.半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； 3.本征半导体导电能力弱，并与温度有关
本征激发：在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱 共价键的束缚成为自由电子，并在共价键 中留下一个空位（空穴）的过程。 复合： 自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成 对消失的过程。 漂移：自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。 两种载流子 电子（自由电子） 空穴 两种载流子的运动 自由电子（在共价键以外）的运动 空穴（在共价键以内）的运动 结论: 1. 本征半导体的电子空穴成对出现, 且数量少； 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。 第1章 半导体二极管
模拟电子技术 第1章 半导体二极管 1.1.2杂质半导体 N型半导体和P型半导体 N型 P型 ● +4 +4 +4+4。+4 ● 1● ● ● +4 +4 +4 ●●+39● +4 ● 空穴 磷原子 硼原子 自由电子 电子数>空穴数 ④ 空穴数>电子数 电子为多数载流子（多子） 施主 空穴一多子 受主 空穴为少数载流子（少子）原子 电子一 少子 原子 载流子数=电子数+空穴数 载流子数≈空穴数 ≈电子数
1.1. 2 杂质半导体 一、N 型半导体和 P型半导体 N型 +5 +4 +4 +4 +4 +4 磷原子 自由电子 电子数 > 空穴数 电子为多数载流子(多子) 空穴为少数载流子(少子) 载流子数 = 电子数 + 空穴数 电子数 P 型 +3 +4 +4 +4 +4 +4 硼原子 空穴 空穴数 > 电子数 空穴 — 多子 电子 — 少子 载流子数 空穴数 施主 离子原子 受主 离子原 第1章 半导体二极管
模拟电子技术 第1章 华导体二极管 二、杂质半导体的导电作用 o°0000I9 I=Ip+I N型半导体I≈N P型半导体I≈p 三、P型、N型半导体的简化图示 负离子 正离子 ⊕⊕⊕① ①①⊕① 多数载流子 少数载流子多数载流子少数载流子
二、杂质半导体的导电作用 I IP IN I = IP + IN N型半导体 I IN P型半导体 I IP 三、P型、N型半导体的简化图示 负离子 多数载流子 少数载流子 正离子 多数载流子 少数载流子 第1章 半导体二极管
模拟电子技术 第1章 华导体二极僧 1.1.3PN结 一、PN结(PN Junction)的形成 1.载流子的浓度差引起多子的扩散 8888 内建电场 2.复合使交界面形成空间电荷区（耗尽层） 11 空间电荷区特点： 无载流子 阻止扩散进行利于少子的漂移 3.扩散和漂移达到动态平衡 扩散电流=漂移电流 总电流=0
1.1.3 PN结 一、PN结(PN Junction)的形成 1. 载流子的浓度差引起多子的扩散 2. 复合使交界面形成空间电荷区(耗尽层) 空间电荷区特点: 无载流子 阻止扩散进行 利于少子的漂移 3. 扩散和漂移达到动态平衡 扩散电流 = 漂移电流 总电流 = 0 第1章 半导体二极管 内建电场
模拟电子技术 第1章半导体二极管 °。 二、PN结的单向导电性 1.外加正向电压（正向偏置） -forward bias 外电场使多子向PN结移动， P区 N区 中和部分离子使空间电荷区变窄 外电场 内电场 扩散运动加强形成正向电流I =多子-少子≈多子 限流电阻 2.外加反向电压（反向偏置)一reverse bias P区 外电场使少子背离PN结移动 空间电荷区变宽 一内电场 一外电场 漂移运动加强形成反向电流I IR=I少子≈0 7 PN结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大 反偏截止，电阻很大，电流近似为零
二、PN结的单向导电性 1. 外加正向电压(正向偏置) — forward bias P区 N区 内电场 + − U R 外电场 外电场使多子向PN结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄 IF IF = I多子 − I少子 I多子 限流电阻 2. 外加反向电压（反向偏置) — reverse bias P区 N区 − + U R 内电场 外电场 外电场使少子背离PN结移动 空间电荷区变宽 IR IR = I少子 0 PN结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大 反偏截止，电阻很大，电流近似为零 第1章 半导体二极管 扩散运动加强形成正向电流IF 漂移运动加强形成反向电流IR