导航 须知 二 极管 二极管的 半导体器件的 二极管的 符号 命名方式 主要参数 二极管的 二极管的 特性 检测
二极管的 符号 二极管的 主要参数 二极管 二极管的 特性 二极管的 检测 半导体器件的 命名方式 导航 须知
半导体器件的命名方式 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 数字 字母 字母（汉拼） 数字 字母（汉拼） 电极数 材料和极性 器件类型 序号 规格号 A一锗材料N型 P一普通管 2- B一储材料P型 W一稳压管 二极管 C一硅材料N型 Z一整流管 D一硅材料P型 K一开关管 U一光电管 A一锗材料PNP 3 X一低频小功率管 三极管 B一锗材料NPN G一高频小功率管 C一硅材料PNP D一低频大功率管 D一硅材料NPN A一高频大功率管 例： 2CP 2AP 2CZ 2CW 普通硅二极管普通锗二极管 硅整流二极管 硅稳压二极管」
半导体器件的命名方式 第一部分 数字 字母 字母(汉拼) 数字 字母(汉拼) 电极数 材料和极性 器件类型 序号 规格号 2 — 二极管 3 — 三极管 第二部分 第三部分 A — 锗材料N 型 B — 锗材料P 型 C — 硅材料 N 型 D — 硅材料 P 型 A — 锗材料PNP B — 锗材料NPN C — 硅材料 PNP D — 硅材料 NPN P — 普通管 W — 稳压管 Z — 整流管 K — 开关管 U — 光电管 X — 低频小功率管 G — 高频小功率管 D — 低频大功率管 A — 高频大功率管 第四部分 第五部分 例： 2CP 2AP 2CZ 2CW 普通硅二极管 普通锗二极管 硅整流二极管 硅稳压二极管
二极管的符号 二极管的一般符号 以 稳压二极管 计 发光二极管 以 温度效应 二极管 才 光电二极管 变容二极管 ☆ 双向击穿二极管 隧道二极管 双向二极管 交流开关二极管 磁敏二极管 体效应二极管
二极管的一般符号 二极管的符号 发光二极管 稳压二极管 光电二极管 变容二极管 隧道二极管 温度效应 二极管 t º 双向击穿二极管 磁敏二极管 体效应二极管 双向二极管 交流开关二极管
二极管的识别和检测 1.目测判别极性 2.用万用表检测二极管 (1)用指针式万用表检测。 (2)用数字式万用表检测。 3.用万用表检测稳压三极管
二极管的识别和检测 1. 目测判别极性 2. 用万用表检测二极管 (1) 用指针式万用表检测。 (2) 用数字式万用表检测。 3. 用万用表检测稳压二极管
1.目测判别极性 入 触丝
1. 目测判别极性 触丝 半导体片
2.用万用表检测二极管 本页有动画 设置，每点击鼠 (1)用指针式万用表检测 标，演示一步。 红表笔是（表内电源）负极， 在R×100或R×1k挡测量 黑表笔是（表内电源）正极。 正反向电阻各测量一次， 测量时手不要接触引脚。 一般硅管正向电阻为几千欧，锗 管正向电阻为几百欧；反向电阻为 几百千欧。 正反向电阻相差不大为劣质管。 正反向电阻都是无穷大或零则 极管内部断路或短路
2. 用万用表检测二极管 红表笔是(表内电源)负极， 在 R 100或 R 1 k 挡测量 黑表笔是(表内电源)正极。 正反向电阻各测量一次， 测量时手不要接触引脚。 (1) 用指针式万用表检测 一般硅管正向电阻为几千欧，锗 管正向电阻为几百欧；反向电阻为 几百千欧。 正反向电阻相差不大为劣质管。 正反向电阻都是无穷大或零则 二极管内部断路或短路。 1k 0 本页有动画 设置，每点击鼠 标，演示一步
(2)用数字式万用表检测 本页有动画 设置，每点击鼠 标，演示一步。 红表笔是（表内电源）正极， 黑表笔是（表内电源）负极。 在斗挡进行测量，当PN结完 2k20k200k 200·。 2M 好且正偏时，显示值为PN结两端 ●20M 的正向压降(V)。 反偏时，显示
(2) 用数字式万用表检测 红表笔是(表内电源)正极， 黑表笔是(表内电源)负极。 2k 20k 200k 2M 20M 200 在 挡进行测量，当 PN 结完 好且正偏时，显示值为PN 结两端 的正向压降(V)。 反偏时，显示 。 本页有动画 设置，每点击鼠 标，演示一步
3.用万用表检测稳压二极管 稳压二极管的外型与普通二极管相似，极性判断方 法与普通二极管相同。 稳压值的判断： 1.5k2 0-30V 连续可调 本 直流稳压电源 测管
3. 用万用表检测稳压二极管 稳压二极管的外型与普通二极管相似，极性判断方 法与普通二极管相同。 稳压值的判断： 0~30V 连续可调 直流稳压电源 v 1.5 k 被测管 + - + -
二极管的特性 1.普通二极管的特性 2.稳压二极管的特性 3.发光二极管的特性 4.光电二极管的特性 5.变容二极管的特性
二极管的特性 1. 普通二极管的特性 2. 稳压二极管的特性 3. 发光二极管的特性 4. 光电二极管的特性 5. 变容二极管的特性
mA ip/mA 硅二极管 60 锗二极管 15 的特性 40 的特性 0 20 50 _25 50-25 0040.84/V 0.0 00.20.44D 0.02 -0.0 应 -0.0 ip/mA 90°C 20°C 温度对二极管 特性的影响 40 -25 0.4 up/V 0.02
60 40 20 – 0.02 – 0.04 0 0.4 0.8 –50 –25 iD / mA uD / V iD / mA uD / V 0.2 0.4 – 50 – 25 5 10 15 –0.01 –0.02 0 硅二极管 的特性 锗二极管 的特性 60 40 20 – 0.02 0 0.4 –50 –25 iD / mA uD / V 20C 90C 温度对二极管 特性的影响