ACSPublicationsHighqualityHighimpact.b..MBinH2OSiO2-MB-SiO2(ne)sq500600700800400Wavelength(nm)deNitrogenmapSiliconmapCharacterizationsofSi02-MBNPs.(a)TypicalTEMimageoftheSi02-MBNPs.(b)AbsorptionspectratakenfrompureMB,Sio2-MBNPs,andpureSio2NPsinaqueoussolutions.(c)Filteredbright-field TEM imageof singleNP and the corresponding EELSmaps of (d)nitrogen and (e)silicon.The scale baris 2o nm.Published in: Silu Zhang: Zhiqin Chu: Chun Yin: Chunyuan Zhang: Ge Lin; Quan Li:J.Am. Chem. Soc.2013,135,5709-5716.D0I:10.1021/ja3123015Copyright2013American Chemical Society
Characterizations of SiO2-MB NPs. (a) Typical TEM image of the SiO2-MB NPs. (b) Absorption spectra taken from pure MB, SiO2-MB NPs, and pure SiO2 NPs in aqueous solutions. (c) Filtered bright-field TEM image of single NP and the corresponding EELS maps of (d) nitrogen and (e) silicon. The scale bar is 20 nm. Published in: Silu Zhang; Zhiqin Chu; Chun Yin; Chunyuan Zhang; Ge Lin; Quan Li; J. Am. Chem. Soc. 2013, 135, 5709-5716. DOI: 10.1021/ja3123015 Copyright © 2013 American Chemical Society
ACSPublicationsHighquality.Highimpact.d100toc100(%) sunou(%)unowr8066WSIS2pH7.4PBSSimulatedbody fluid.DeionizedWateregTime (days)Time (days)Time (days)CarrierdecompositionofSio2-MBNPs.Typical TEMimagesof theSio2-MBNPs afterbeingimmersed indeionizedwaterfor(a)1,(b)4,(c)9,and(d)14days,respectively.Thescalebaris1oonm.IcP-OESresult of degraded silicon amount as a function of immersionduration in (e) deionized water at room temperature,(f) PBS (pH 7.4),and (g) simulatedbodyfluid(with50%FBS)at37。C.Published in:Silu Zhang: Zhiqin Chu:Chun Yin: Chunyuan Zhang: Ge Lin; Quan Li:J.Am. Chem Soc.2013,135,5709-5716.D0I:10.1021/ja3123015Copyright2013American Chemical Society
Carrier decomposition of SiO2-MB NPs. Typical TEM images of the SiO2-MB NPs after being immersed in deionized water for (a) 1, (b) 4, (c) 9, and (d) 14 days, respectively. The scale bar is 100 nm. ICP-OES result of degraded silicon amount as a function of immersion duration in (e) deionized water at room temperature, (f) PBS (pH 7.4), and (g) simulated body fluid (with 50% FBS) at 37 °C. Published in: Silu Zhang; Zhiqin Chu; Chun Yin; Chunyuan Zhang; Ge Lin; Quan Li; J. Am. Chem. Soc. 2013, 135, 5709-5716. DOI: 10.1021/ja3123015 Copyright © 2013 American Chemical Society
电子显微镜光学显微镜O媒体EC电灯一电子枪放出源电子束加速用高压电源光线一煤体电子束玻璃聚光锁电子透镜透镜二置于火棉置于玻璃样品透镜电源胶膜上载片上（真空中）（空气中）物镜电子透镜玻璃透镜分辨率：透镜电源空气中通路真空中n 人眼：0.2玻璃透镜投影镜电子透镜、（目镜）mm电子束打在荧光屏直接观察透镜电源光学显微镜：上变换成肉眼可见的光学像0.2 μm真空泵照相底片照相底片记录（空气中）（真空中）电子显微镜：n0. 1 nm图3-1光学显微镜与透射电镜结构比较示意图
3 分辨率： n 人眼：0.2 mm n 光学显微镜： 0.2 μm n 电子显微镜： 0.1 nm
第三章电子显微分析之一透射电子显微分析第一节工作原理及构造*第二节样品制备第三节基本成像操作及相衬度*第五节典型应用*及其他功能简介4
4 第三章 电子显微分析 之一 透射电子显微分析 第一节 工作原理及构造* 第二节 样品制备 第三节 基本成像操作及相衬度* 第五节典型应用*及其他功能简介
扫描电镜X射线衍射仪电子探针仪X射线二次电子韧致辐射入射电子背散射电子吸收电子阴极荧光试样俄歇电子透射电子衍射电子俄歇电镜电子衍射仪透射电子显微镜5
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电子显微分析方法的种类透射电子显微镜(TEM)mTransmission electron microscopym扫描电子显微镜(SEM)mScanning electron microscopem电子探针X射线显微分析仪（EPA或mEPMA)电子激发俄歇电子能谱(XAES或AESm6
6 电子显微分析方法的种类 m 透射电子显微镜(TEM) m Transmission electron microscopy m 扫描电子显微镜(SEM) m Scanning electron microscope m 电子探针X射线显微分析仪 (EPA或 EPMA) m 电子激发俄歇电子能谱(XAES或AES)
透射电子显微镜(TEM)的形式高分辨电镜(HRTEM)透射扫描电镜(STEM)等等。分析型电镜(AEM)n入射电子束（照明束）也有两种主要形式平行束：透射电镜成像及衍射会聚束：扫描透射电镜成像、微分析及微衍射
7 高分辨电镜（HRTEM） 透射扫描电镜（STEM） 分析型电镜（AEM）等等。 n 入射电子束（照明束）也有两种主要形式： 平行束：透射电镜成像及衍射 会聚束：扫描透射电镜成像、微分析及微 衍射。 透射电子显微镜(TEM) 的形式
Basicfeaturesof A ModernTEM电子枪出试样架EDS探测器镜筒扫描像观察装置观察室操作面板照相室扫描像照相机EELS探测器8
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中南大学林料削面示意图21高压电缆口2一电子枪自2一阳极区区4照明系统4一束谊偏转线画区4与学区区口二聚光镜区区聚光锁光闸8学材料科学8一电感销转线圈9一物镜光闲90卤区1010一物镜消收找围11一物镜1112—选区光闲成像系统120夜风13一第一中间镜13区区14一第二中间镜14?15一第三中间镜南大荣16一高分辨衍射室17—光学显微镜18—观察窗19荧光屏现系与记20一发片盒永系统2021一收片盒222照相室2科学229
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H电子枪室15t/sSIP加速管电子枪60/s加速管SIP证20t/s中间室SIP第三梨米镜阀门1区C聚光镜光衡区测角仪一样品室物镜光阑150/sC样品台+一石SIP物镜C选区光澜+C中间镜阀门2区投影镜0双目光学微镜观察室小荧光屏观察窗口大荧光屏420t/s照相室照相室DP(b)(a)图9.4JEM-2010型透射电子显微镜镜筒结构剖面图（a）与真空系统配置图（b）10
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