《复合材料 Composites》课程教学资源（学习资料）第二章 增强体_对位型芳纶的性能和应用_高田忠彦

1.掌握芳香族硝基化合物的制法,性质。理解硝基对苯环邻对位取代基(X、OH)性质的影响。 2.掌握胺的分类、命名和制法

以Al作为研究对象，采用EAM势实施分子动力学模拟.在Ⅰ型和Ⅱ型加载条件下，研究了温度和取向对位错发射、裂纹脆性及韧性扩展的影响.模拟结果表明，升高温度，发射位错的临界应力强度因子按指数规律降低.加载速率在一定范围内将影响临界应力强度因子.临界应力强度因子随着加载速率的增大而增大

采用贵金属氧化物涂层电极对不同体系苯胺溶液进行了电化学催化氧化研究.结果表明:中性与碱性体系的降解过程类似,按苯胺-苯醌-马来酸的过程氧化降解,但由于碱性体系易于析氧而降低了降解效率;酸性体系生成聚苯胺物质增加了降解难度,降解效率最低.分析表明,苯胺在电化学催化氧化时最易形成对位和间位中间产物,而其对位和间位中间产物又难于降解,这是苯胺难于降解的根本原因.提出了在电解苯胺溶液过程中增加物理过滤步骤的新工艺.该工艺不仅能够有效地降解苯胺,化学需氧量(CODCr)去除率达到82%,且提高降解速度,降低能耗

应用分子动力学方法研究了Cu和Al单晶在Ⅱ型加载条件下,加载速率对位错发射、层错宽度W及位错速度Vd的影响.结果表明,加载速率对W和Vd有显著影响.随着加载速率的增大,层错宽度减小,位错速度增大.当加载速率达到某一临界值时,能量不仅以发射位错的形式释放,而且形成孪晶,以降低体系的能量

一、结构、分类和命名 p-π共轭的结果： (1)使氧原子上的p电子云向苯环转移，其电子云密度相对降低，使O-H键易离解断裂，给出质子，从而显酸性； (2)使苯环上电子云密度相对升高，有利于苯环上进行亲电取代反应，且-OH是邻、对位定位基，强致活基团; (3）使C-O键难断裂，-OH不会被取代，或被消除

2.1 真空热蒸发镀膜技术 2.1.1 真空热蒸发镀膜的原理 2.1.2 真空热蒸发镀膜的方式及特点 2.2 溅射镀膜技术 2.2.1 气体放电原理 2.2.2 溅射现象 2.2.3 溅射镀膜技术分类及特点 2.3 化学气相沉积技术 2.3.1 CVD原理 2.3.2 CVD技术种类及特点 2.4 光刻技术 2.4.1 光刻原理 2.4.2 光刻工艺概述 2.4.2 光刻胶 2.4.3 对位和曝光 2.4.4 显影 2.5 刻蚀 Eching 2.5.1 刻蚀工艺的品质因数 2.5.2 湿法刻蚀 2.5.3 干法刻蚀

一.配位取代(substitution)反应 反应机理: 计量关系, 速率方程 深层次的机理研究,影响反应速率的因素 中心离子 的电子结构(LFSE, HS, LS), 价态, 半径 离去基团(leaving group) ( 和M的作用) 进入基团(entering group) (有影响或者无影响) 旁位基团(spectator ligands) (例如, 对位效应) 空间效应(steric effects)

定义3.1设D是一个n阶行列式在D中 任意选定k个行,k个列(1≤k≤n) （ 1)这些行、列相交处的元素按其原有的 工 相对位置就构成一个k阶行列式M, 称为D的一个k阶子式; （2)这些行、列以外的元素按其原有的相 对位置就构成一个n-k阶行列式M 称为M的余子式;记为M

视图只能表达组合体的形状,各种形体的真实大小及其相 对位置,要通过标注尺寸来确定。标注组合体尺寸的基本要求 仍是在第一章所述的:正确、完整、清晰。本节将在标注平面 图形尺寸的基础上,主要学习在标注组合体尺寸时如何达到完 整和清晰的要求