定义3.1设D是一个n阶行列式在D中 任意选定k个行,k个列(1≤k≤n) （ 1)这些行、列相交处的元素按其原有的 工 相对位置就构成一个k阶行列式M, 称为D的一个k阶子式; （2)这些行、列以外的元素按其原有的相 对位置就构成一个n-k阶行列式M 称为M的余子式;记为M

一.配位取代(substitution)反应 反应机理: 计量关系, 速率方程 深层次的机理研究,影响反应速率的因素 中心离子 的电子结构(LFSE, HS, LS), 价态, 半径 离去基团(leaving group) ( 和M的作用) 进入基团(entering group) (有影响或者无影响) 旁位基团(spectator ligands) (例如, 对位效应) 空间效应(steric effects)

提出了永磁同步电动机考虑参数变化时精确的感应电势关系式新模型,建立了微分型和非微分型两种高精度感应电势观测器,证明了感应电势观测器的稳定性和收敛性,分析了参数变动对位置估计的影响.针对无位置传感器矢量控制系统,以内埋式永磁同步电动机为例进行了仿真实验研究,结果表明设计的感应电势状态观测器具有优良的性能

本文用薄晶体透射电镜和单色化x线衍射方法研究了50Mn18Cr4奥氏体钢的形变强化机理。实验结果表明,这种钢的层错能很低,轻微变形之后就产生大量层错。随着变形量的增加,对于奥氏体稳定性较高的钢,层错倾向于发展成形变孪晶;对于奥氏体稳定性较低的钢,层错倾向于发展成ε马氏体。此外,通过电子衍衬象还观察了层错、形变享晶、ε马氏体和晶界对位错运动的阻碍作用。在此基础上,对高锰奥氏体钢形变强化机制及其与钢中化学成分的关系作了分析与讨论

一. 亲电取代反应 1. 反应机理 芳正离子的生成 加成－消除机理 2. 反应的定向与反应活性 a. 反应活性与定位效应 b. 动力学控制与热力学控制 c. 邻、对位定向比

一.亲电取代反应 1.反应机理 芳正离子的生成 加成一消除机理 2.反应的定向与反应活性 a.反应活性与定位效应 b.动力学控制与热力学控制 c.邻、对位定向比 亲电试剂活性 空间效应。 极化效应

第二章跨国公司对外直接投资 第一节对外直接投资的含义、动因和条件 一、对外直接投资的定义 国际货币基金组织的定义: 一国投资者为获得持久利益而在其他国家进行的长期投资,直接投资者的目的是在国外企业的管理中施加显著影响。 美国商务部的定义:对外直接投资指某一个人在某一个国家对位于另一个国家的企业具有持续性的利益或某种程度的影响

将30MnB5热成形钢进行淬火和回火处理,利用扫描电镜、透射电镜、能谱仪和拉伸性能检测等方法研究了不同回火温度后的显微组织和力学性能变化.经200℃保温2 min回火后热成形钢的综合力学性能最佳,抗拉强度为1774 MPa,总伸长率为8%,强塑积达14 GPa·%以上,该性能满足热成形后作为汽车结构件的使用要求;并且随着回火温度的升高,力学性能呈非单调性变化.200℃低温回火后,主要为板条马氏体和ε碳化物,位错密度略有降低,析出的ε碳化物粒子呈针状分布在马氏体板条内,长度方向大小为100 nm左右,并与位错发生钉扎作用.随着回火温度的升高,板条马氏体发生回复和再结晶,板条边界逐渐模糊,并向等轴状铁素体转变,位错密度显著降低,ε碳化物逐渐向低能态的近球形渗碳体转变并粗化至200 nm左右,对位错的钉扎作用也随之减弱

用热变形后的直接时效(DA处理)和标准热处理对比试验的方法,对DA处理在GH169合金中的实际应用进行了探讨。结果表明,DA处理确可提高合金的拉伸强度,并大幅度提高光滑持久寿命。但由于塑性指标的降低而导致缺口持久和周期持久寿命的降低,并使疲劳、蠕变交互作用的蠕变损伤加剧。其原因是可能DA处理过程中晶界δ相析出过少,晶界晶内强度配合不良,达不到强韧化的作用。同时指出晶粒细化,并在变形工艺中对位错组态进行控制,使δ相以合理的数量和形态析出,才能获得真正应用的DA GH169合金

第一节 硝基化合物 (一) 硝基烷 (1) 硝基烷的制法 (2) 硝基烷的性质 (二) 芳香族硝基化合物 (1) 芳香族硝基化合物的制法 (2) 芳香族硝基化合物的物理性质 (3) 芳香族硝基化合物的化学性质 (甲) 还原 (乙) 芳环上的亲电取代反应(“三化”) (丙) 硝基对其邻、对位取代基的影响 第二节 胺 (一) 胺的分类和命名 (二) 胺的结构 (三) 胺的制法 (四) 胺的物理性质 (五) 胺的化学性质 (六) 季铵盐和季铵碱 (七) 二元胺 第三节 重氮与偶氮化合物 (一) 重氮盐的制备——重氮化反应 (二) 重氮盐的反应及其在合成中的应用 (1) 失去氮的反应 (甲) 重氮基被氢原子取代 (乙) 重氮基被羟基取代 (丙) 重氮基被卤素取代 (丁) 重氮基被氰基取代 (2) 保留氮的反应 (甲) 还原反应 (乙) 偶合反应