研制成功国内第1台大面积CVD金刚石膜热铁板抛光机.它可以在10-3Pa真空条件下,加热到1 100℃;抛光台可以在0~10 r/min间实现无级调速,一次完成3片φ110 mm的金刚石膜的抛光.金刚石膜在980℃,2 h抛光的结果表明该装置有良好的抛光效果.金刚石膜在980℃抛光不同时间的Raman谱表明,金刚石热铁板抛光是金刚石石墨化和C原子不断扩散的过程

针对航空用钛合金开发了一种不采用氢氟酸、甲醇、铬酐类等有毒物质的低毒、无刺激、环保型电化学抛光工艺,并采用光学显微镜、原子力显微镜等方法对电化学抛光后的钛合金表面形貌进行研究.该工艺所用溶液由无水乙醇、乳酸、高氯酸和高氯酸钠组成,将Ti-10V-2Fe-3Al钛合金在直流电源恒电流模式下电化学抛光,可以通过改变抛光时间、电流密度和高氯酸浓度等参数控制腐蚀深度.分别在体积分数为5%,10%和15%的三种高氯酸溶液中和在20,25和30 A·dm-2三个电流密度下进行电化学抛光.抛光后的钛合金表面形貌观察结果表明:在高氯酸含量较低(5%)的溶液中以20 A·dm-2电流密度抛光可以取得较理想的效果

7.1 研磨抛光机理 7.2 精密研磨、抛光的主要工艺因素 7.3 超精密平面研磨和抛光 7.4 超精密研磨抛光的主要新技术

表征了打磨态和机械抛光态316LN不锈钢表面的粗糙度、表面残余应变和表面电子功函数的分布,并研究了打磨态和机械抛光态样品在硼酸盐溶液中电化学腐蚀行为的差异.与机械抛光态316LN不锈钢相比,打磨处理后样品表面较为粗糙,且表面的微观残余应变较大,近表面产生约50μm的加工硬化层.表面粗糙度和微观应变的增加引起打磨态表面电化学活性的增大,从而促进316LN不锈钢在硼酸盐溶液中腐蚀.机械抛光处理降低了表面钝化膜的载流子密度(供体和受体),并增大了钝化膜的阻抗,提高了钝化膜的致密性和保护性,能够有效抑制金属的进一步腐蚀

主要为从事微电子材料抛光液与清洗剂的开发应用、生产以及销售。改进微电子产品生产工艺、提高其产品质量、降低其生产成本为目的。 生产产品主要包括： ➢ 以“FA/O 超大规模集成电路（ULSI）多层布线介质及铜布线化学机械全局平面化（CMP）纳米磨料抛光液”为代表的国际首例高技术产品； ➢ 以“FA/O 集成电路衬底硅片纳米磨料抛光液”、“FA/O 电子材料清洗剂、半导体材料切削液、倒角液、磨削液、活性剂”为代表的高技术更新换代产品。 产品主要应用于超大规模集成电路（ULSI）衬底半导体材料、半导体器件、正扩大应用于电视机玻壳，液晶显示屏、液晶显示屏基片玻璃、高档金属材料加工、蓝宝石、不锈钢模具及增加二次采油率等领域

本文采用氩离子束轰击法,对不同晶体学表面形貌的CVD金刚石膜进行抛光处理。结果表明,对不同表面形貌的金刚石膜,应合理选择离子束轰击入射角,提高离子束加速电压有利于提高抛光效率,(100)择优生长的金刚石膜最容易得到高的表面平整度

根据化学机械抛光(CMP)过程中硅片表面材料的磨损行为,建立了硅片CMP时的材料去除率模型,设计了不同成分的抛光液并进行了材料去除率实验,得出了机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率.结果表明,磨粒的机械作用是化学机械抛光中的主要机械作用,磨粒的机械作用与抛光液的化学作用交互引起的材料去除率是主要的材料去除率

实践证明,大多数宝石原料都必须经过一定的加工琢磨工艺处理后,方能显示出其完美 品质,“玉不琢,不成器”,就是这个道理。越是高档宝石,越需要精细的设计加工才能获得 更为理想的佳品,因此,宝石加工工艺的优劣是决定宝石价值和档次高低的重要依据。 宝石的加工开始于10000多年前的旧石器时代,人们最早期的手工劳动作品是不成对称 型的装饰品。在旧石器时代末期至新石器时代,宝石加工工艺不断提高,人们学会了抛光

酸/碱废|事先检查电镀件基件状况,选择合适的清洗方法及电镀工 艺,防止电镀过程中各种缺陷的发生 采用机械法去除氧化膜、氧化膜(如喷砂、磨抛光)

为了研究14Cr12Ni2WMoVNb钢QPQ(淬火-抛光-淬火)处理后的氧化膜对渗层室温摩擦磨损和腐蚀性能的影响,利用金相、X射线衍射分析、扫描电镜、能谱分析、划痕仪、摩擦磨损试验机和电化学工作站对试样进行了表征.结果表明:氧化膜对渗层室温摩擦学性能的影响与载荷大小有关.在摩擦时间均为4 min情况下,载荷较小(50 N)时,氧化膜可以降低摩擦系数和体积磨损率;载荷较大(100 N)时,氧化膜被破坏无法降低体积磨损率.氧化膜可明显提高渗层的耐腐蚀性能.含氧化膜试样的极化曲线有明显的钝化区,点蚀电位为-13 mV,去除氧化膜试样在盐雾腐蚀12 h后表面有大范围的腐蚀区域,而含氧化膜试样盐雾腐蚀48 h后才有大区域腐蚀发生