集成电路(IC)发展 发展历史 特点 发展规律一摩尔定律 IC的分类 IC设计要求 EDA技术的发展 VLSI设计方法学——IC的层次化、结构化设计概念 深亚微米和纳米工艺对EDA技术的挑战

1引言 一、按版图设计自动化程度分: 手工设计 半自动设计 全自动设计 二、按版图结构及制造方法分 半定制(semi- -custom) 全定制(full- custom)

第一节引言 硅平面工艺是制造 MOS IC的基础。利用不同的 掩膜版,可以获得不同功能的集成电路。因此, 版图设计成为开发新品种和制造合格集成电路的关键。 1、手工设计 人工设计和绘制版图,有利于充分利用芯片面 积,并能满足多种电路性能要求。但是效率低、 周期长、容易出错,特别是不能设计规模很大的 电路版图。因此,该方法多用于随机格式的、产 量较大的MSI和LSI或单元库的建立

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结构化设计是由Mead和 Conway首先提出来 的,其目的是让设计者能够直接参加芯片 设计以实现高性能系统。在结构化设计中 采用以下几方面的技术

第一节引言 集成电路按其制造材料分为两大类:一类是硅材料集成电路,另一类是砷化镓。目前 用于ASIC设计的主体是硅材料。但是,在一些高速和超高速ASIC设计中采用了GaAs材 料。用GaAs材料制成的集成电路,可以大大提高电路速度,但是由于目前GaAs工艺成品 率较低等原因,所以未能大量采用

一、片上系统SOC的优势 1、高性能 2、低功耗 3、体积小 4、重量轻 5、成本低

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