第二章半导体基本器件 2.1半导体二极管 PN结的单向导电原理,二极管的伏安特性 2.2半导体三极管 (1)三极管输出特性中的截止区、放大区和饱和区等概念。 (2三极管共发射极电流放大系数的概念 (3)三极管开关电路工作状态的分析方法 2.3MOS场效应管 (1)MOS场效应管的分类及符号 (2)增强型NMOS管的特性曲线

1. 仓库生产绩效考核的意义 2. 仓库生产绩效考核指标制定和管理 3. 仓储生产绩效考核指标体系 4. 仓储绩效管理过程 5. 仓储活动自动化过程中的注意事项 6. 仓储实践与仓储绩效

◼ 第一节 变革与创新管理 ◼ 第二节 冲突管理 ◼ 第三节 现代企业制度

7.4局域网的管理 7.4.1传统局域网管理 7.4.2无线局域网管理 7.4.3校园网管理

通过本章的学习应掌握Exce中的算法问题,将管 理活动提升到理论的高度,提高数字化管理的能力

媒介管理的研究范畴 一、宏观:国家行政管理 二、中观:行业分析 三、微观:媒体组织经营与管理

在扁形双P型辐射管的基础上,研究了扁双P型辐射管的中心管的等效半径、支管的等效半径、中心管和支管间距、管长等结构尺寸对辐射管性能的影响.通过建立正交试验方案对辐射管结构尺寸以及燃烧器喷口结构位置进行优化.结果表明,影响辐射管表面温差的最明显因素依次:中心管与支管的间距、中心管等效半径、管长和支管等效半径;影响辐射管辐射功率的明显因素依次:管长、中心管等效半径、中心管与支管的间距和支管的等效半径.上下空气喷口与左右空气喷口大小比例在7:3和9:1比较接近,辐射管的性能参数最好;左右空燃气喷口间距为50 mm,上下空气喷口间距在60 mm的情况下辐射管表面的温度不均匀系数最小,为0.058

功率管是电路中最容易受到损坏的器件。损坏的主要原因是由于管子的实际耗散功率超过了额定数值。而晶体管的耗散功率取决于管子内部结温T。当T超过允许值后,电流将急剧增大而使晶体管烧坏。一般情况下,硅管允许结温为120~200℃,锗管为85℃左右(具体标准在产品手册中给出)

通过本章的学习,了解供应链和供应链 管理的基本概念以及供应链管理与电子 商务管理的关系;熟悉第三方物流系统、 供应商管理库存系统、计算机辅助订货 系统、通过式运输系统等供应链管理中 物流运作系统;掌握供应链管理的基本 方法、绩效评价方法以及电子商务下的 供应链管理主要方法和主要途径

采用MIDAS GTS软件建立了三维有限元模型，分析开挖深度、桩径、桩心距、管线与桩的距离、管线埋深、土体弹性模量等因素对地埋管线的影响.结果表明：管线水平和竖向位移在基坑角点处约为基坑中部的1/2；管线埋深在基坑深度1/3位置时，水平位移最大，而竖向位移随埋深的增大而减小；当桩径由0.6 m增大到1.2 m时，水平位移变化较小，管线中央竖向位移则减少为原来的1/2；土体弹性模量增大时，管线中间位移明显减小，水平位移约为竖向位移的4倍