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科学出版社:《半导体材料》课程教学资源(PPT课件)第三章 晶体生长
文档格式:PPT 文档大小:1.34MB 文档页数:57
1.晶体生长的一般方法(掌握) 晶体是在物相转变的情况下形成的。 物相有三种,即气相、液相和固相
科学出版社:《半导体材料》课程教学资源(PPT课件)第一章 硅和锗的化学制备
文档格式:PPT 文档大小:334.5KB 文档页数:38
一、根据物质的导电性,物质可以分为哪几种? 二、集成电路中主要研究的是哪种?原因是什么?
科学出版社:《半导体材料》课程教学资源(PPT课件)期末复习
文档格式:PPT 文档大小:185KB 文档页数:23
一、前10章,重点前7章 二、课上补充内容 三、 作业
科学出版社:《半导体材料》课程教学资源(PPT课件)第六章 二元Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备及其特征
文档格式:PPT 文档大小:935.5KB 文档页数:25
一、回忆:硅的晶体结构;如何形成
华东师范大学:《半导体物理》第二章 半导体中杂质和缺陷能级
文档格式:PPT 文档大小:762KB 文档页数:32
1、原子严格地周期性排列,晶体具有完整的晶格结构。 2、晶体中无杂质,无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动,形成允带和禁带—电 子能量只能处在允带中的能级上,禁带中无能级。由本征激发提供载流子一本征半导体——晶体具有完整的(完美的)晶格结构,无任何杂质和缺陷
电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(试卷习题)半导体题解
文档格式:DOC 文档大小:232.5KB 文档页数:22
第一篇 习题 半导体中的电子状态 1-1、 什么叫本征激发?温度越高,本征激发的载流子越多,为什么?试定性说明之。 1-2、 试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、 试指出空穴的主要特征
电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(PPT课件讲稿)第五章 非平衡载流子
文档格式:PPTX 文档大小:579.26KB 文档页数:77
一、非平衡载流子的产生 1.光注入 用波长比较短的光
电子科技大学:《半导体光电子学 Semiconductor Optoelectronics》课程教学资源(课件讲稿)第二章 半导体中的结理论
文档格式:PDF 文档大小:1.99MB 文档页数:38
第一节 异质结及其能带图 第二节 异质结在半导体光电器件中的作用 第三节 异质结制备工艺与晶格匹配 第四节 超晶格与量子阱
电子科技大学:《半导体光电子学 Semiconductor Optoelectronics》课程教学资源(教学大纲,刘爽)
文档格式:PDF 文档大小:291.38KB 文档页数:4
电子科技大学:《半导体光电子学 Semiconductor Optoelectronics》课程教学资源(教学大纲,刘爽)
电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(PPT课件讲稿)第五篇 非平衡载流子
文档格式:PPTX 文档大小:545.52KB 文档页数:37
一、非平衡载流子及其产生 非平衡态:系统对平衡态的偏离
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