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采用记时电流法和记时电位法对5价铌Nb(V)在FLINAK熔盐中的氧化-还原过程进行了研究。结果表明,Nb(V)(K2NbF7)在FLINAK熔盐中的电化学还原经历一个电化学-化学-电化学反应(ECE)途径。Nb(V)在FLINAK熔盐中的还原反应是单电子和4电子两步电化学反应过程
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用包括奥氏体γ相和两个碳氮化物相三相溶解度间隙平衡处理的方法计算了V-Ti-N微合金非调质油井管钢中的碳氮化物析出.计算结果表明,此钢奥氏体中的析出模式为1473℃时TiN即开始析出;其后部分TiN逐渐转变为复合(TixV1-x)(CyN1-y)颗粒,而其他的TiN直到低温仍保持其化学性质;最后富V-C的V (CxN1-x)在846℃开始析出.实验数据验证了这种析出模式.计算结果支持了中碳含钒微合金钢中800℃以下奥氏体中的析出对其后的奥氏体分解相变具有明显的调控作用的观点
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利用真空下氩气保护液相重结晶的方法,对热蒸镀和磁控贱射制得的Insb薄膜进行热处理.X射线衍射和组织分析的结果表明:热处理前薄膜为Insb,In,Sb各相的混合物;重结晶后,基本为InSb单相,InSb晶粒呈规则状外形长大.热处理后室温下的电子迁移率大大提高,由原来的1.31×104 cm2/(V·s)提高到4.47×104 cm2/(V·s)(热蒸镀)和2.15×103 cm2/(V·s)提高到2.04×104 cm2/(V·s)(磁控溅射)
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对萤石矿物进行掺杂灼烧.制备了一种新型矿物发光材料萤石:Eu3+.根据Eu3+的荧光光谱与局域对称性的关系,结合空间群中等效点系的对称性分析,可以推断该体系中主要存在2类发光中心,其格位对称性分别为C4V,和C3V.Eu3+离子进入CaF2晶格,与Ca2+离子不等价置换,由于电荷补偿,Eu3+周围常常存在间隙Fi-的缺陷机制,间隙的存在,降低了局域对称性(由Oh降低为C4V。或C3V),打破了宇称选择定则,促进了Eu3+离子的发光
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外研版(三起)(2012)小学英语六年级下册Module 6 Unit 2 The name of the spaceship is Shenzhou V.Module 6 Unit 2 The name of the spaceship is Shenzhou V.课件(5)
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一、选择题(共5题25分) 1.5分(4381)4381 Na(Hg)()NaCK(m )AgCl+Ag-Ag+AgCINaCK(m2)Na(Hg)(a), m=.02 mol-kg,,=0.875,m2=0.100 mol-kg,y+2=0.780,在98K时电池的电动势为:() (A)0.0384V (B)0.154V (C)0.0413V (D)0.0768V
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外研版(三起)(2012)小学英语六年级下册Module 6 Unit 2 The name of the spaceship is Shenzhou V.Module 6 Unit 2 The name of the spaceship is Shenzhou V.课件(2)
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习题与补充题 习题 1.证明曲面r= acos(pcos, bsin(pcos,csinθ)是椭球面,并求其法向量,切平 面及曲线坐标。 求圆锥的参数方程和它的切平面 3.证明曲面 (1)r=u.v, 是椭圆抛物面; (2)r=(a(u+v),b(u-V,2vu)是双曲抛物面 4.求题3中各曲面的法向量和切平面。 5.求旋转曲面r=( ucos, using,f(u)(0
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外研版(三起)(2012)小学英语六年级下册Module 6 Unit 2 The name of the spaceship is Shenzhou V.Module 6 Unit 2 The name of the spaceship is Shenzhou V.教案
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一,填空题(记忆类) 令N表示一定量的气体的分子总数,dN表示 dN/表示 这个dN/N比率与 因素有关。 f(v)=表示 对于处于一定温度下的气体它只是 的函数,叫 做 确定了速率分布函数f(v)用积分法求出分布在任一有限速率范围内v~v2内的分子 数占总分子数的比例为= 速率分布函数的归一化条件为
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