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 6.1 概述  6.2 电导的物理现象  6.3 离子电导  6.4 电子电导  6.5 玻璃态电导  6.6 无机材料的电导  6.7 半导体陶瓷的物理效应  6.8 超导体

第一节 电导的物理现象 第二节 离子电导 第三节 电子电导 第四节 玻璃态电导 第五节 无机材料的电导 第六节 半导体陶瓷的物理效应

采用放电等离子烧结(SPS)方法制备出高体积分数的铜/金刚石复合材料,并对复合材料的致密度、热导率和热膨胀系数等进行了研究.结果表明,采用该方法制备的铜/金刚石复合材料微观组织均匀,致密度分布为94%~99%,最高热导率为305W·(m·K)-1,热膨胀系数与常见电子半导体材料相匹配,能够满足电子封装材料的要求

一、何謂半導體？ 二、半導體之分類 三、半導體之純度 四、半導體材料之結構 五、一般晶格所常用之術語 六、半導體材料之獲得？ 七、塊材與薄膜之關連

￾ 单电子近似的基本思想 ￾ 布洛赫定理 ￾ 金属自由电子的空晶格模型 ￾ 能带的一般性 ￾ 电子在外场中的运动 ￾ 金属、半导体、绝缘体能带的差别 一、基本内容 二、学习要点 熟练掌握以下内容 ￾ 布洛赫定理及能带的一般性 ￾ 能带的起因的物理解释，能带的一般特点 ￾ 固体导电性与能带结构的关系

近几年来 , 导电性高分子的研究取得了长足 的发展 , 形成了一个十分活跃的边缘学科领域 ,它 对电子工业、信息工业及新技术的发展具有重大 的意义。 现有的研究成果表明 ,发展导电高分子不仅可 以满足人们对导电材料的需要 , 而且由于它兼具 有机高分子材料的性能及半导体和金属的电性能 , 具有重量轻 ,易加工成各种复杂的形状 , 化学稳定 性好及电阻率可在较大范围内调节等特点。此外 在电子工业中的应用日趋广泛 , 促进了现代科学 技术的发展

概述 硅表面SiO2的简单实现,是硅材料被广泛 应用的一个重要因素。本章中,将介绍SiO2的 生长工艺及用途、氧化反应的不同方法,其中 包括快速热氧化工艺。另外,还简单介绍本工 艺中最重要的部分--反应炉,因为它是氧化 、扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设 备

在半导体硅片(Si)-扩散阻挡层(Ni-Cr合金)-金属互连材料(Cu)构成的体系中,Si和Ni-Cr合金之间以及Ni-Cr合金和Cu之间各构成一对扩散偶.通过制备扩散偶试样模拟相应的界面反应,实验测定950℃下界面反应产物的表观序列.从热力学的角度,分别对Cr-Ni-Si和Cr-Cu-Ni三元系中Si/(Ni-Cr)和(Ni-Cr)/Cu两个界面进行反应驱动力分析.计算获得的阶段性生成相表观序列与实验测得结果一致

一、概述 表面SiO2的简单实现,是硅材料被广泛应用的一个重要因素。本章中,将介绍SiO2的 生长工艺及用途、氧化反应的不同方法,其中 包括快速热氧化工艺。另外,还简单介绍本工 艺中最重要的部分--反应炉,因为它是氧化 、扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设 备