第一节 电导的物理现象 第二节 离子电导 第三节 电子电导 第四节 玻璃态电导 第五节 无机材料的电导 第六节 半导体陶瓷的物理效应

采用放电等离子烧结(SPS)方法制备出高体积分数的铜/金刚石复合材料,并对复合材料的致密度、热导率和热膨胀系数等进行了研究.结果表明,采用该方法制备的铜/金刚石复合材料微观组织均匀,致密度分布为94%~99%,最高热导率为305W·(m·K)-1,热膨胀系数与常见电子半导体材料相匹配,能够满足电子封装材料的要求

一、何謂半導體？ 二、半導體之分類 三、半導體之純度 四、半導體材料之結構 五、一般晶格所常用之術語 六、半導體材料之獲得？ 七、塊材與薄膜之關連

￾ 单电子近似的基本思想 ￾ 布洛赫定理 ￾ 金属自由电子的空晶格模型 ￾ 能带的一般性 ￾ 电子在外场中的运动 ￾ 金属、半导体、绝缘体能带的差别 一、基本内容 二、学习要点 熟练掌握以下内容 ￾ 布洛赫定理及能带的一般性 ￾ 能带的起因的物理解释，能带的一般特点 ￾ 固体导电性与能带结构的关系

近几年来 , 导电性高分子的研究取得了长足 的发展 , 形成了一个十分活跃的边缘学科领域 ,它 对电子工业、信息工业及新技术的发展具有重大 的意义。 现有的研究成果表明 ,发展导电高分子不仅可 以满足人们对导电材料的需要 , 而且由于它兼具 有机高分子材料的性能及半导体和金属的电性能 , 具有重量轻 ,易加工成各种复杂的形状 , 化学稳定 性好及电阻率可在较大范围内调节等特点。此外 在电子工业中的应用日趋广泛 , 促进了现代科学 技术的发展

概述 硅表面SiO2的简单实现,是硅材料被广泛 应用的一个重要因素。本章中,将介绍SiO2的 生长工艺及用途、氧化反应的不同方法,其中 包括快速热氧化工艺。另外,还简单介绍本工 艺中最重要的部分--反应炉,因为它是氧化 、扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设 备

在半导体硅片(Si)-扩散阻挡层(Ni-Cr合金)-金属互连材料(Cu)构成的体系中,Si和Ni-Cr合金之间以及Ni-Cr合金和Cu之间各构成一对扩散偶.通过制备扩散偶试样模拟相应的界面反应,实验测定950℃下界面反应产物的表观序列.从热力学的角度,分别对Cr-Ni-Si和Cr-Cu-Ni三元系中Si/(Ni-Cr)和(Ni-Cr)/Cu两个界面进行反应驱动力分析.计算获得的阶段性生成相表观序列与实验测得结果一致

一、概述 表面SiO2的简单实现,是硅材料被广泛应用的一个重要因素。本章中,将介绍SiO2的 生长工艺及用途、氧化反应的不同方法,其中 包括快速热氧化工艺。另外,还简单介绍本工 艺中最重要的部分--反应炉,因为它是氧化 、扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设 备

主要为从事微电子材料抛光液与清洗剂的开发应用、生产以及销售。改进微电子产品生产工艺、提高其产品质量、降低其生产成本为目的。 生产产品主要包括： ➢ 以“FA/O 超大规模集成电路（ULSI）多层布线介质及铜布线化学机械全局平面化（CMP）纳米磨料抛光液”为代表的国际首例高技术产品； ➢ 以“FA/O 集成电路衬底硅片纳米磨料抛光液”、“FA/O 电子材料清洗剂、半导体材料切削液、倒角液、磨削液、活性剂”为代表的高技术更新换代产品。 产品主要应用于超大规模集成电路（ULSI）衬底半导体材料、半导体器件、正扩大应用于电视机玻壳，液晶显示屏、液晶显示屏基片玻璃、高档金属材料加工、蓝宝石、不锈钢模具及增加二次采油率等领域

《高等数学 A》 《C 语言程序设计》 《C 语言程序设计》实验 《线性代数》 《概率论与数理统计 B》 《模拟电子技术基础 B》 《数字电子技术基础》 《模拟电子技术基础实验》 《数字电子技术基础实验》 《工程制图 C》 《信号与系统》 《信号与系统》实验 《普通物理学 B1》 《普通物理学 B2》 《普通物理实验》 《结构与物性》 《矢量场论与张量》 《电动力学 1》 《复变函数与积分变换》 《应用光学》 《热力学与统计物理 1》 《物理光学》 《量子力学 1》 《科技论文写作》 《固体物理学》 《激光原理与技术》 《光通讯原理与器件》 《光电子技术实验》 《半导体物理与器件》 《光电子技术基础》 《光学传感原理与技术》 《电动力学 2》 《计算物理》 《单片机原理及应用》 《光电信息概论》 《热力学与统计物理 2》 《量子力学 2》 《新型光学材料》 《材料结构表征及应用》 《现代半导体材料及器件技术》 《光学信息处理》 《金工实习 A》 《专业调研》 《认识实习》 《学年论文》 《毕业实习》