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3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 半导体二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件
文档格式:PPT 文档大小:3.34MB 文档页数:36
11.1 小功率整流滤波电路 11.1.1 单相桥式整流电路 11.1.2 滤波电路 *11.1.3 倍压整流电路 11.2 线性稳压电路 10.2.1 稳压电源质量指标 10.2.2 串联反馈式稳压电路工作原理 10.2.3 三端集成稳压器 10.2.4 三端集成稳压器的应用 11.3 开关式稳压电路 11.3.1 开关试稳压电路的工作原理 *11.3.2 带隔离变压器的直流变换型电源 11.3.3 开关稳压电源的应用举例
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7.1.1 指出下列存储系统各具有多少个存储单元,至少需要几根地址线和数据线。 (1)64K×1 (2)256K×4 (3)lM×1 (4)128K×8 解:求解本题时,只要弄清以下几个关系就能很容易得到结果:
文档格式:DOC 文档大小:1.56MB 文档页数:7
4.1.2 组合逻辑电路及输入波形(A.B)如图题 4.1.2 所示,试写出输出端的逻辑表达式 并画出输出波形
文档格式:PPT 文档大小:2.01MB 文档页数:49
4.1 负反馈的基本概念 4.1.1 什么是负反馈 4.1.2 负反馈放大器的基本类型 4.2 负反馈对放大器性能影响 4.2.1 降低了放大器的增益 4.2.2 提高了放大倍数的稳定性 4.2.3 展宽了通频带 4.2.4 减小了非线性失真 4.2.5 抑制了内部噪声和干扰 4.2.6 对输入电阻的影响 4.2.7 对输出电阻的影响 4.3 反馈的判别及引入 4.3.1 反馈类型的判别 4.3.2 如何根据需要引入负反馈
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3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件
文档格式:PDF 文档大小:2.83MB 文档页数:54
5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管(JFET) 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较
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2.10逻辑函数的与非门线路实现 通常逻辑函数用与、或、非门实现。 与非门是“万能门”,只用与非门就可实现任何 数字系统。 证明:仅用与非门即可实现与、或、非运算。 1.非是一个输入的与非。 2.与是与非再倒相。 3.或是倒相再与非
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2.8逻辑函数的标准形式 一、积项(与项):逻辑变量只进行与运算。 二、和项(或项):逻辑变量只进行或运算
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2.1辑变量和逻辑运算 一 、二值逻辑变量用大写字母A、B、C···表示,两种取值0和1,代表一对对立状态,例如开关的通断。 二、存在三种与二值变量有关的逻辑运算“与”:只有决定事物结果的全部条件同时具备(为真)时,结果才发生(为真)
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