复习思考题1.2.2 (1) (2)电压增益为1是指A=1

7.1.1 指出下列存储系统各具有多少个存储单元，至少需要几根地址线和数据线。 （1）64K×1 （2）256K×4 （3）lM×1 （4）128K×8 解：求解本题时，只要弄清以下几个关系就能很容易得到结果：

4．1．2 组合逻辑电路及输入波形（A.B）如图题 4.1.2 所示，试写出输出端的逻辑表达式 并画出输出波形

11.1 小功率整流滤波电路 11.1.1 单相桥式整流电路 11.1.2 滤波电路 *11.1.3 倍压整流电路 11.2 线性稳压电路 10.2.1 稳压电源质量指标 10.2.2 串联反馈式稳压电路工作原理 10.2.3 三端集成稳压器 10.2.4 三端集成稳压器的应用 11.3 开关式稳压电路 11.3.1 开关试稳压电路的工作原理 *11.3.2 带隔离变压器的直流变换型电源 11.3.3 开关稳压电源的应用举例

4.1 负反馈的基本概念 4.1.1 什么是负反馈 4.1.2 负反馈放大器的基本类型 4.2 负反馈对放大器性能影响 4.2.1 降低了放大器的增益 4.2.2 提高了放大倍数的稳定性 4.2.3 展宽了通频带 4.2.4 减小了非线性失真 4.2.5 抑制了内部噪声和干扰 4.2.6 对输入电阻的影响 4.2.7 对输出电阻的影响 4.3 反馈的判别及引入 4.3.1 反馈类型的判别 4.3.2 如何根据需要引入负反馈

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

2.10逻辑函数的与非门线路实现 通常逻辑函数用与、或、非门实现。 与非门是“万能门”,只用与非门就可实现任何 数字系统。 证明:仅用与非门即可实现与、或、非运算。 1.非是一个输入的与非。 2.与是与非再倒相。 3.或是倒相再与非

2.8逻辑函数的标准形式 一、积项(与项):逻辑变量只进行与运算。 二、和项(或项):逻辑变量只进行或运算

2.1辑变量和逻辑运算 一 、二值逻辑变量用大写字母A、B、C···表示,两种取值0和1,代表一对对立状态,例如开关的通断。 二、存在三种与二值变量有关的逻辑运算“与”:只有决定事物结果的全部条件同时具备(为真)时,结果才发生(为真)