第七章习题答案 7.1.1指出下列存储系统各具有多少个存储单元,至少需要几根地址线和数据线。 (1)64K×1(2)256K×4(3)M×1(4)128K×8 解:求解本题时,只要弄清以下几个关系就能很容易得到结果: 存储单元数=字数×位数 地址线根数(地址码的位数)n与字数N的关系为:N=2 数据线根数=位数 (1)存储单元〓64K×1=64K(注:IK=1024);因为,64K〓2’。,即亢〓16,所以地址 线为16根;数据线根数等于位数,此处为1根 同理得: (2)1M个存储单元,18根地址线,4根数据线 (3)1M个存储单元,18根地址线,1根数据线。 (4)M个存储单元,17根地址线,8根数据线。 7.1.2设存储器的起始地址为全0,试指出下列存储系统的最高地址为多少? (1)2K×1(2)16K×4(3)256K×32 解:因为存储系统的最高地址=字数十起始地址一1,所以它们的十六进制地址是 (1) 7FFH (2) 3FFFH (3) 3FFFFH 7,2.4一个有1M×1位的DRAM,采用地址分时送人的方法,芯片应具有几条地址线? 解:由于1M=210×210,即行和列共需20根地址线。所以,采用地址分时送人的方法,芯片 应具有10根地址线 7.2.5试用一个具有片选使能CE、输出使能OE、读写控制WE、容量为8K×8位的sRAM 芯片,设计一个16K×16位的存储器系统,试画出其逻辑图 解:采用8K×8位的sRAM构成16K×16位的存储器系统,必须同时进行字扩展和位扩展 用2片&K×8位的芯片,通过位扩展构成8K×16位系统,此时需要增加8根数据线。要将 8K×16位扩展成16K×16位的存储器系统,还必须进行字扩展。因此还需2片8K×8位的 芯片通过同样的位扩展,构成8K×16位的存储系统,再与另一个8K×16位存储系统进行 字扩展,从而实现16K×16位的存储器系统,此时还需增加1根地址线。系统共需要4片 8K×8位的SRAM芯片 用增加的地址线A13控制片选使能CE便可实现字扩展,两片相同地址的sRAM可构成16 位数据线。其逻辑图如图题解7。2.5所示。其中(0)和(1)、(2)和(3)分别构成两个 8K×16位存储系统:非门将A13反相,并将A13和/A13分别连接到两组8K×16的片选使 能端CE上,实现字扩展
第七章 习题答案 7.1.1 指出下列存储系统各具有多少个存储单元，至少需要几根地址线和数据线。 （1）64K×1 （2）256K×4 （3）lM×1 （4）128K×8 解：求解本题时，只要弄清以下几个关系就能很容易得到结果： 存储单元数=字数×位数 地址线根数（地址码的位数）n 与字数 N 的关系为：N=2 n 数据线根数＝位数 （1）存储单元〓64K×1〓64K（注：lK＝1024）；因为，64K〓2’。，即亢〓16，所以地址 线为 16 根；数据线根数等于位数，此处为 1 根。 同理得： （2）1M 个存储单元，18 根地址线，4 根数据线。 （3）1M 个存储单元，18 根地址线，1 根数据线。 ！ ＿ （4）lM 个存储单元，17 根地址线，8 根数据线。 7.1.2 设存储器的起始地址为全 0，试指出下列存储系统的最高地址为多少？ （1）2K×1 （2）16K×4 （3）256K×32 解：因为存储系统的最高地址＝字数十起始地址一 1，所以它们的十六进制地址是： （1） 7FFH （2） 3FFFH （3） 3FFFFH ＇ 7，2．4 一个有 1M×1 位的 DRAM，采用地址分时送人的方法，芯片应具有几条地址线？ 解：由于 1M=210×2 10，即行和列共需 20 根地址线。所以，采用地址分时送人的方法，芯片 应具有 10 根地址线。 7．2．5 试用一个具有片选使能 CE、输出使能 OE、读写控制 WE、容量为 8 K×8 位的 sRAM 芯片，设计一个 16K×16 位的存储器系统，试画出其逻辑图。 解：采用 8K×8 位的 sRAM 构成 16K×16 位的存储器系统，必须同时进行字扩展和位扩展。 用 2 片 8K×8 位的芯片，通过位扩展构成 8K×16 位系统，此时需要增加 8 根数据线。要将 8K×16 位扩展成 16K×16 位的存储器系统，还必须进行字扩展。因此还需 2 片 8K×8 位的 芯片通过同样的位扩展，构成 8K×16 位的存储系统，再与另一个 8K×16 位存储系统进行 字扩展，从而实现 16K×16 位的存储器系统，此时还需增加 1 根地址线。系统共需要 4 片 8K×8 位的 SRAM 芯片。 用增加的地址线 A13 控制片选使能 CE 便可实现字扩展，两片相同地址的 sRAM 可构成 16 位数据线。其逻辑图如图题解 7。2．5 所示。其中（0）和（1）、（2）和（3）分别构成两个 8K×16 位存储系统；非门将 A13 反相，并将 A13 和/A13 分别连接到两组 8K×16 的片选使 能端 CE 上，实现字扩展
D CE8K×8位 E SRAM(I) CE8K×8位 SRAM(2) CE8K×8位 WE CE8K×8 13.13 A。~A 图题解7.2.5
