4.5紧束缚方法 1.模型与微扰计算

5.2.1能带结构 5.2.3导电材料与电阻材料 5.2.4其他材料的导电性能

1.近自由电子模型 近自由电子模型认为:电子在晶体中 要受周围势场的作用,但这个势场的 平均势场是一个很微弱的势场,平均 势场是周期势场U(F)=U(+T),由于U() 很弱,可以用量子力学中的微扰论来 处理,这时 Shodinger方程中的哈密顿 量既有动能又有势能

1.模型和微扰计算 考虑金属中电子受到粒子周期性势场的作用,假定周期性势场的起伏较小。作为零级近似,可以用 势场的平均值代替离子产生的势场:V=V(r)。周期性势场的起伏量V(r)-=V作为微扰来处 理

1.4.1原子的能级 1.4.2晶体中电子的状态和能带 1.4.3晶体中的电子 1.4.4晶体中电子的运动有效质量

《大学物理》课程PPT教学课件（二）18.2 固体能带理论基础 18.3 超导物理基础

1.1.将布洛赫函数中的调制因子k(r)展成付里叶级数,对于近自由电子,当电子波矢远 离和在布里渊区边界上两种情况下,此级数有何特点?在紧束缚模型下,此级数又有什么特 点? 解答 由布洛赫定理可知,晶体中电子的波函数 :(r)=e uk() 对比本教科书(5.1)和(5.39)式可得 (r)= m -a()\ 对于近自由电子,当电子波矢远离布里渊区边界时它的行为与自由电子近似,“()近似 一常数.因此,k(r)的展开式中,除了a(0)外,其它项可忽略 当电子波矢落在与倒格矢Kn正交的布里渊区边界时,与布里渊区边界平行的晶面族对 布洛赫波产生了强烈的反射,“k(r)展开式中

一、固体的能带 完全分离的两个氢原子能级

8.7半导体的其他特性和应用 一、热敏电阻(自学) 二、光敏电阻(自学) 三、温差电偶(自学) 四、集成电路:

§4.1自由电子按能量的分布 §4.4能带导体和绝缘体 §4.5半导体