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对于典型的离子晶体,用U=qq-ld可以粗略估计晶格 能的相对大小,且U1→m.p↑;U→m.p↓ ,但对于: NaCl MgCl22ACl3il4r,q.相同;q+1r+↓→U个 ·实际mp.(℃)808714192(加p)-68 只能说明,从左→右,晶体类型已偏离典型的离子晶体。前面关于化学键的相对性亦可知,典型的离子晶体不多
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采用腐蚀质量损失、扫描电子显微镜、X射线衍射仪、线性极化等测试手段,研究无光照、半光照及全光照三种实验条件对Q450NQR1耐候钢在干湿交替条件下腐蚀行为的影响规律.结果表明:光照对实验钢干湿交替腐蚀过程影响显著.实验钢在腐蚀前期(48 h)腐蚀速率大小依次为半光照、无光照和全光照,腐蚀中后期(72~96 h)腐蚀速率由大到小依次为半光照、全光照和无光照.腐蚀宏观形貌有明显差别,无光照时试样腐蚀产物呈淤泥状分布整个表面,有光照条件时腐蚀产物则呈颗粒状分布,但全光照条件时腐蚀产物颗粒更细且孔隙更小.另外,三种条件下腐蚀产物物相组成一致,但含量有所不同.线性极化测试得出96 h极化电阻由大到小依次为无光照、全光照和半光照,这一结果与通过腐蚀失重得出的腐蚀速率结果一致
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借助光学显微镜、电子背散射衍射和扫描电子显微镜等测试技术和手段,系统地研究热处理温度对TA2-Q235B爆炸复合板钢侧组织转变的影响,并分析了其形成机理.结果表明:在热处理过程中,钢侧界面组织发生脱碳,形成完全由铁素体组织组成的脱碳层,这些铁素体没有织构特征;当热处理温度在850℃及以下时,钢侧界面组织在靠近波头漩涡的地方发生异常长大,形成粗大的铁素体;当热处理温度在900℃及以上时,钢侧界面组织在钛钢复合界面上发生异常长大,产生柱状的铁素体组织.这些组织的形成受到碳元素的扩散和钢侧基体组织相变的共同作用.热处理过程中,界面产生的TiC在界面上分布不均,随温度升高,在界面局部富集,从而加速了碳元素向界面的扩散
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letters to nature Em, the simulation suggests that this matrix becomes much closer to is the realization of a cavity with both high quality factor, Q, and the ideal one(keeping almost ideal outputs for 110) and 111)input small modal volume, V. The ratio Q/V determines the strength of states)if we slightly decrease the rise/fall
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IBM是世界上最重要的电子计算机制造厂家。根据该公司内部 的备忘录,IBM公司生产不同数量的370168计算机。这种计算机 的长期总成本与产量相应的总成本函数为 C=28303800+460800Q 其中C是总成本,Q是产量
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基于Gleeble-1500热力模拟试验机测定了Fe-22Mn-0.7C TWIP钢和Q235钢700~1300℃范围内的静态拉伸行为.采用光学显微镜、扫描电子显微镜、能谱仪、电子探针微区分析等技术表征两钢种不同温度下的变形特征和断口形貌.通过分析基体化学成分、相体积分数、晶粒尺寸、凝固缺陷等因素探讨TWIP钢铸态热塑性的变化规律及其影响机制.研究结果表明,Fe-22Mn-0.7C TWIP钢700~1250℃范围内的铸态抗拉强度高于Q235,而其断面收缩率低于40%,且断口均以沿枝晶间断裂方式为主.晶粒细化和控制溶质显微偏析有利于提高TWIP钢热塑性,与基体均质性改善有关.此外,增加应变速率TWIP钢拉伸强度和断面收缩率同时增大
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例48长为的杆:出于杆内放射性物乐的衰变而引起热量 的变化,设热量的变化正比于e麟,枥始温度为q(x),杆端保 持为零度,求杆的温度分布,如q()=Wo,试算出相应的结果
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P-Q分解法是牛顿-拉夫逊法潮流计算的一种简 化方法。 牛顿-拉夫逊法的缺点:牛顿-拉夫逊法的雅可 比矩阵在每一次迭代过程中都有变化,需要重新 形成和求解,这占据了计算的大部分时间,成为 牛顿-拉夫逊法计算速度不能提高的主要原因。 P-Q分解法利用了电力系统的一些特有的运行 寺性,对牛顿-拉夫逊法做了简化,以改进和提高 计算速度
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3.设p>0,b>0,p,q均为正整数且q≥2.给定方程组 dt=1-kr-ry, dt=b(r'y'-y) 作变量变换,使其定常解(x(,y(4)=(,0)对应于新方程组的零解并讨论其稳定性
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一、孤立导体的电容 1、定义 静电平衡时,孤立导体表面电荷分布由其几何形状唯一确定,带一定电量q的孤 立导体其外部空间的电场E、电势U导亦完全确定。据电势叠加原理,当其电量增加若 干倍时,则U也将增加若干倍,即 q=CU,或C=9 此比例系数C即孤立导体的电容量
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