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研究了工作4.0×104 h后的GH132合金的组织变化,分析了GH132合金在高于650℃短时过时效条件下的组织稳定性.结果表明:合金组织基本稳定,变化不甚显著;不论是在低温长期时效,还是在短时超温过时效,σ相、Laves等脆性相均不会产生;经过过时效后合金所产生的组织变化仅仅是γ'相的补充析出、聚集长大,以及η相的析出
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二维向量和三维向量都可以度量其大小和长度 高维向量的\长度\能否定义呢? \范数\是对向量和矩阵的一种度量,实际上是二维 和三维向量长度概念的一种推广 数域:数的集合,对加法和乘法封闭 线性空间:可简化为向量的集合对向量的加法和 数量乘法封闭, 也称为向量空间
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研究了不同稀土含量铁铬铝合金,在高温下晶粒长大及界面结构。结果表明:在1200℃以上高温,稀土组元(以La为主)对抑制合金的晶界长大有一定效果,La2O3可作为TiN相析出的形核中心,细小TiN质点可在晶界上出现,阻碍晶界迁移;在变温过程中,La向界而扩散,在晶界以La2O3形式出现,同时稀土加速氧穿过氧化膜向基体中渗透,导致Al2O3及La2O3在基体中形成
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通过一个扭转循环使CuZnAl合金产生塑性形变,用电阻法对塑性形变诱发的相变以及塑性形变的减小对诱发形成相的影响进行研究。结果表明:减小样品的塑性形变使已形成的应力马氏体消失,也使再取向马氏体部分消失。此外,在相变温区,塑性形变将使未完全长大的热弹性马氏体长大,而塑性形变的减小对长大后的热弹性马氏体没有影响
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采用本文设计的强迫润滑装置进行试验,测量出口钢丝表面润滑剂的附着量和温度,以及拉拔力与压力管长度和拉拔速度的关系,并和常规润滑拉拔进行了比较。通过试验和理论公式,给出了压力管较适宜的长度
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本文主要用恒电势法研究了钼晶核的形成和长大的动力学规律及其对电镀的影响。实验证明,在所选盐系、温度及浓度范围内,阴极反应开始阶段的控制步骤是半球形晶核的形成及其在扩散控制下的长大。适当控制影响这一步骤的因素,可以改善镀层质量。增大超电势将使晶核密度迅速增大,有利于获得结晶细致、光滑致密的镀层。在恒电势下,升高温度将使晶核密度增大,对改善镀层有利;而在恒电流下,升高温度则极化减小,晶核密度变小,对电镀不利。无论在恒电势或恒电流下,增大浓度都会使晶核密度变小,晶粒变粗,对电镀不利
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研究GH720Li合金经标准热处理(1105℃,4 h→油冷+650℃,24 h→空冷+760℃,16 h→空冷)后分别在720℃时效0~5000 h和800℃时效0~1000 h后γ!强化相的演变规律.合金在720℃,5000 h时效后一次γ'相的尺寸、形态以及数量基本不发生变化;在720℃,200 h时效后,二次γ'相发生明显粗化;500 h后出现不均匀长大.相应地,500 h前硬度下降速率大,500 h后趋于平稳.在800℃,500 h时效后,一次γ'相发生粗化;800℃,100 h时效后,二次γ'相发生明显粗化且不均匀长大.500 h前硬度下降斜率很大,500 h后硬度仍有明显下降趋势.720℃及800℃时二次γ'相粗化行为是以扩散控制的粗化机制为主导.γ'相平均半径与时效时间满足立方根关系,符合L-S-W(Lifshiz-Slyozov-Wanger)理论
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通过研究曲轴用非调质钢奥氏体晶粒长大行为和分析工业生产热轧材的显微组织,探讨合金元素Nb、Ti和S的组织细化作用.结果表明:添加质量分数0.027%Nb和0.012%Ti,同时S从0.029%提高到0.046%,加热时间30 min时,能够把奥氏体晶粒粗化温度提高100℃,并明显细化热轧材边部组织.弥散分布、钉扎在奥氏体晶界上的未溶第二相粒子MnS和(Nb,Ti)(C,N),能够有效抑制奥氏体晶粒的长大.在热加工过程中,合金元素的组织细化作用需要适当的变形制度予以匹配,才能得以体现
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为研究尾矿中硅酸盐矿物在蒸压建筑材料体系中的作用,通过X射线衍射、热重、扫描电子显微镜、能谱分析和红外光谱分析,对角闪石、拉长石、钠长石和黑云母的蒸压反应活性进行了探讨.结果表明:在180℃蒸压8h的条件下,拉长石和钠长石具有蒸压反应活性,角闪石和黑云母不具有蒸压反应活性;拉长石的蒸压产物有水钙铝榴石和斜托贝莫来石,钠长石的蒸压产物有托贝莫来石,蒸压产物相互连接有助于提高结构致密性;反应生成的托贝莫来石矿物均含有Na,具有一定的固碱作用
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例:设计一序列信号发生器,产生序列1010010100 序列信号发生器就是用来产生序列电位和序列脉 冲的逻辑部件。按其结构来分,序列信号发生器可分 为计数型和移位型两种 计数型序列信号发生器由计数器和组合电路来构 成。计数器相当于组合电路的输入源,决定序列信号 的长度,组合电路则在这个输入源的作用下产生序列 信号。这时,计数器的输出可以供给几个组合电路, 产生几种长度相同但是序列内容不同的序列信号。 计数型序列信号发生器的设计方法 1、根据序列长度M确定触发器位数k,2k1
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