3.1 轨道角动量 3.2 氢原子的量子力学处理 3.3 电子自旋与自旋轨道耦合 3.4 微观粒子的不可分辨性 泡利不相容原理 3.5 各种原子核外电子的排布 3.6 X射线 3.7激光简介

• 1.1 相干性的光子描述 • 1.2 光的受激辐射基本概念 • 1.3 光的受激辐射放大 • 1.4 光的自激振荡

基本概念基本概念 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等

4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术

§1.1 电路的基本概念 1.1.1 电路的物理量 1.1.2 电路元件 (一) 无源元件 (二) 有源元件 §1.2 电路的基本定律 1.2.1 欧姆定律 1.2.2 克希荷夫定律 (一) 克氏电流定律（KCL） (二) 克氏电压定律（KVL）

§20-1 光的相干性 §20-2 双缝干涉 空间相干性 §20-3 薄膜的等倾干涉 §20-4 薄膜的等厚干涉 §20-5 干涉仪 相干长度 §20-6 偏振光的干涉

10.1 平板X射线成像的物理过程 10.2 平板X射线成像器件的主要技术指标 10.3 有源平板x射线成像器件的像素结构与工作原理 10.4 平板X射线成像系统架构 10.5 平板X射线成像器件的应用

3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性

第一章 引言 第二章 片上电感的物理模型与特性分析 第三章 片上电感的优化设计 第四章 测试与分析 第五章 结论

一、半导体与数字集成电路： 1、1947年晶体管发明引起了电子学的一次革命，晶体管是约翰·巴丁、沃尔特·布雷登和威廉·肖克莱共同发明，该发明促成了计算机、通信等方面的飞速发展。鉴于它的重要价值，这些人共同获得了1956年的诺贝尔物理学奖