为了降低硬件开销，越来越多的加法器电路采用传输管逻辑来减少晶体管数量，同时导致阈值损失、性能降低等问题。本文通过对摆幅恢复逻辑与全加器电路的研究，提出一种基于摆幅恢复传输管逻辑（Swing restored pass transistor logic, SRPL）的全加器设计方案。该方案首先分析电路的阈值损失机理，结合晶体管传输高、低电平的特性，提出一种摆幅恢复传输管逻辑的设计方法；然后，采用对称结构设计无延时偏差输出的异或/同或电路，利用MOS管补偿阈值损失的方式，实现异或/同或电路的全摆幅输出；最后，将异或/同或电路融合于全加器结构，结合4T XOR求和电路与改进的传输门进位电路实现摆幅恢复的高性能全加器。在TSMC 65 nm工艺下，本文采用HSPICE仿真验证所设计的逻辑功能，与文献相比延时降低10.8%，功耗延时积（Power-delay product, PDP）减少13.5%以上

提出了一种在高温高压下利用粉末冶金方法制备的Fe-Ni-C-B系触媒合金生长Ⅱb型金刚石的新方法.由于硼元素的存在,Ⅱb型金刚石生长所需的温度和压力条件均高于普通的Ⅰb型金刚石,并且合成出的金刚石单晶粒度较粗,晶形稍差,表面结构比较复杂.通过晶体的颜色、X射线衍射以及Raman光谱可以初步断定合成出的金刚石晶体中确实含有硼元素.以金刚石在不同温度下的静压强度和冲击韧性以及差热分析和热重分析的结果来表征金刚石的热稳定性.实验发现,由于硼元素的进入使得Ⅱb型金刚石单晶的热稳定性与采用同种方法合成出的Ⅰb型金刚石相比有了较大程度的提高.采用自制的夹具通过检测金刚石的电阻温度特性,初步确定了在Fe-Ni-C-B系中生长的Ⅱb型金刚石具有半导体特性.大量的实验数据充分说明,采用这种方法生产Ⅱb型金刚石具有成本低廉、操作简单、产品质量稳定等优点,具有极高的工业化推广应用的价值

利用带耗散功能的石英晶体微天平研究十二烷基磺酸钠在Fe2O3石英晶体谐振器表面的吸附动力学及吸附层构象.结果表明：十二烷基磺酸钠在赤铁矿表面的吸附是一个快速达到吸附平衡的过程,pH值对十二烷基磺酸钠的吸附影响较为明显,pH值在3~9的范围内,随着pH值增加,药剂吸附层黏弹性逐渐增大,吸附层稳定性减弱,赤铁矿回收率逐渐下降,十二烷基磺酸钠的吸附过程只有一个吸附阶段,且吸附过程符合准一级动力学模型,吸附层不发生明显构象变化;当pH值为10和11时,十二烷基磺酸钠吸附量明显增加,赤铁矿回收率也开始回升,吸附过程存在多个吸附阶段,吸附的第一阶段符合准二级动力学模型,吸附的第二阶段符合Elovich方程,并且随着吸附的进行,吸附层发生明显构象变化

通过对赤泥化学组成、矿物组成和热稳定性分析,进行了以赤泥中方解石本身为发泡剂及外加硝酸钠为发泡剂制备陶粒的研究,并利用X射线衍射和扫描电镜对所得陶粒的组成和内部结构进行了分析.结果表明:在赤泥、废玻璃和膨润土质量比74:15:11时,利用赤泥中的方解石可制得容重、吸水率和筒压强度分别为1.43 g·cm-3、1.23%和22.14 MPa的陶粒.外加NaNO3发泡剂能明显降低陶粒的容重.在赤泥、废玻璃、膨润土和NaNO3质量比70.0:14.2:10.2:5.6时,可制得容重、吸水率和筒压强度分别为1.28 g·cm-3、1.54%和12.03 MPa的陶粒.陶粒中晶体矿物主要为钙黄长石,而赤泥中主要晶体矿物为方解石.陶粒中气孔以封闭气孔为主,NaNO3为发泡剂时所得陶粒的气孔率较利用赤泥自身方解石为发泡剂时高,气孔均匀性也较好

通过金相显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)等对ZnAl10Cu2合金的铸态显微结构和相结构进行了观察和分析,并对其组织的形成机制进行了研究.研究表明:铸态ZnAl10Cu2合金的凝固组织由初生枝晶α1及其外围的棒状共晶(α2+β)组成,在随后的冷却过程中初生α1相和共晶组织中α2相均发生共析反应,得到层片状共析组织(α+η),而在室温时效中未完全转变的α1相和α2相均发生不连续沉淀形成粒状沉淀组织,其中初生α1相,为富Al相,是Zn在Al中形成的固溶体,属于强化相,晶体结构为面心立方,β为富Zn相,晶体结构为密排六方

采用低温固相反应法制备了直接甲醇燃料电池用PtSn/C阳极催化剂,采用XRD、TEM等测试方法对催化剂的晶体结构和粒径大小进行了表征.结果表明:采用低温固相反应法制备的PtSn/C催化剂和Pt/C催化剂均表现为Pt的fcc晶体结构;Sn的加入导致Pt的晶胞参数增大;与同法所制Pt/C催化剂相比较,PtSn/C催化剂中金属Pt在碳载体上分布较均匀,金属粒子的粒径较小,平均粒径约为4.8nm,从而具有更大的反应表面积.电化学测试表明,对于甲醇电氧化,PtSn/C催化剂具有比Pt/C催化剂更强的催化能力

动态氧化不仅有利于含钛高炉熔渣中钛组分富集于设计相(钙钛矿相),同时还会促进钙钛矿相析出与粗化,在自然重力作用下粗化的钙钛矿实现重力富集与沉降分离.本文运用玻璃形成动力学方程,对动态氧化条件下含钛熔渣中钙钛矿相形核速率和晶体生长速率进行分析和研究.结果表明,向熔渣鼓入氧气,低价钛逐渐氧化为四价钛,促进钙钛矿析出反应的进行,提高了钙钛矿晶体生长速率.继续通入氧气则氧化时间过长,熔渣中高熔点TiC和TiN固体颗粒基本消失,黏度降低,异相形核转化为均相形核,析出温度显著降低,析晶温度区间缩短,不利于钙钛矿晶粒粗化和长大

针对富水充填材料的凝结性能受石膏种类影响的问题,采用X射线衍射、扫描电镜、红外光谱等微观实验,分析富水充填材料硬化体的组成,探讨二水石膏和半水石膏对富水充填材料性能影响的机理.结果表明:以硫铝酸盐水泥-石膏-石灰为主的富水充填材料体系中,为保证正常的凝结硬化,石膏应为二水石膏;如以半水石膏为原材料,在7 d龄期时仍不具有强度;二水石膏充足时生成的钙矾石晶体呈细针状,二水石膏不足时生成的钙矾石晶体为六棱短柱状;富水充填材料的强度主要来源于硫铝酸盐水泥-石膏-石灰反应生成的钙矾石,而不是水泥自身水化的水化硫铝酸钙、铝胶和氢氧化钙

为提高单晶硅纳米切削表面质量的同时, 不影响加工效率, 以扫描电子显微镜高分辨在线观测技术为手段, 在真空环境下开展了单晶硅原位纳米切削实验研究.首先, 利用聚焦离子束对单晶硅材料进行样品制备, 并对金刚石刀具进行纳米级刃口的可控修锐.然后, 利用扫描电子显微镜实时观察裂纹的萌生与扩展, 分析了单晶硅纳米切削脆性去除行为.最后, 分别采用刃口半径为40、50和60 nm的金刚石刀具研究了晶体取向和刃口半径对单晶硅脆塑转变临界厚度的影响.实验结果表明: 在所研究的晶体取向范围内, 在(111)晶面上沿[111]晶向进行切削时, 单晶硅最容易以塑性模式被去除, 脆塑转变临界厚度约为80 nm.此外, 刀具刃口半径越小, 单晶硅在纳米切削过程中越容易发生脆性断裂, 当刀具刃口半径为40 nm时, 脆塑转变临界厚度约为40 nm.然而刀具刃口半径减小的同时, 已加工表面质量有所提高, 即刀具越锋利越容易获得表面质量高的塑性表面

从钙钛矿晶格结构和器件结构入手，介绍了钙钛矿电池的发展历程，总结了A位，B位及X位的组分调控方法、一步法、两步法及其他成膜方法，形貌控制方法，最后，详细讨论了钙钛矿太阳能电池稳定性的影响因素，光热湿等因素是引起钙钛矿晶体分解，导致电池性能下降的主要原因。最后，稳定性问题已经成为阻碍钙钛矿电池产业化的最大的障碍，介绍了钙钛矿太阳能电池当前稳定性问题的主要解决方案：开发更稳定的钙钛矿结构，开发用于控制晶粒生长的新添加剂，以及选择具有优异性能的空穴传输层和电子传输层