基于一轮毂高度为50.41 m的实际陆上风电塔结构,运用ANSYS有限元分析软件以及时程分析法对结构进行不同地震动作用下的非线性动力响应影响规律研究,并进一步探讨了结构在正常使用极限状态、塑性极限状态、残余位移条件控制下的水平位移与应力极限值,计算了响应的地震动临界峰值,对结构的整体抗震性能进行了评价.研究结果表明:板块边界型地震动对风电塔这种高耸柔性结构的动力响应影响最大,在极限值评价和结构抗震性能评价中占主导地位;该风电塔的正常使用极限状态为第一极限状态

通过中心复合设计试验法设计试验,结合动电位极化曲线和电化学阻抗谱的测量以及氧化膜形貌观察和成分测量,研究了温度(30~350℃)、Cl-质量浓度(10~1000 μg·L-1)和溶解氧质量浓度(0~200 μg·L-1)3种因素对压水堆一回路主管道316L不锈钢电化学腐蚀性能的影响.结果表明:温度是影响316L不锈钢电化学腐蚀性能最显著的因素,温度越高,腐蚀电流密度越大,点蚀电位越低;Cl-浓度和溶解氧浓度对316L不锈钢电化学腐蚀性能的影响与温度密切相关,温度较低时(T 130℃和T > 150℃,Cl-浓度和溶解氧浓度均对316L点蚀电位几乎无影响,但腐蚀电流密度却随Cl-和溶解氧的浓度增加而显著增加,腐蚀加剧.电化学阻抗谱的测量和氧化膜形貌的观察也进一步验证了上述试验结果

4-1边值问题的唯一性定理 一、边值问题 边值问题是指存在边界面的电磁问题 根据给定边界条件对边值问题分类: >第一类边值问题:已知电位函数在全部边界面上的分布值

恒定磁场基本方程∙分界面上的衔接条件磁感应强度 磁通连续性原理∙安培环路定律 磁矢位及边值问题 磁位及边值问题 镜像法 电感 磁场能量与力 磁路

月球矿物资源的原位利用技术是月球基地建立和后续深空探索的基础。由于月球特殊环境及地月运输成本的限制，现有矿冶技术难以直接应用于月球矿物的原位开发。各国的科研人员围绕月球矿物资源原位利用方向开展了卓有成效的研究工作，发展了几种极具应用潜力的技术。这些方法可分为材料化成型和提取冶金两类，其中材料化成型工艺如烧结法、3D增材制造法等，主要用于将月壤直接材料化成型以制备月球基地建材。提取冶金工艺包括碳/氢化学介质还原法、电解还原法以及真空热解法等，可生产月壤矿物对应的金属单质或其低价氧化物，并获得氧气。本文概述了已有月壤原位利用技术的一般原理、基本过程、热力学动力学基础及近期研究进展。探讨了这些方法的一些优缺点，并展望了其在月球矿物原位利用上的应用前景

Rh在紫外激发区间有着较强的表面增加拉曼散射(SERS).用循环伏安法研究了RhCl3溶液中Rh3+在Au电极上的电化学还原行为,用恒电位阶跃法在Au基底上制备了Rh沉积层,并用场发射扫描电子显微镜、能谱及电化学方法对得到的沉积层进行了表征.结果表明,在所选择的电位下用电沉积方法能够在金表面得到均匀的Rh沉积层,该沉积层保持了金属Rh原有的电化学特性.采用电化学方法通过先粗糙Au电极再沉积Rh的策略,可以制备粗糙的Rh表面作为紫外SERS基底.拉曼光谱实验表明,以吡啶为探针分子,该基底具有很好紫外SERS活性

第三章测量元件与变换器 3.1概述 一、参数的测量 1.参数检测:将被测参数经过一次或多次能量的交换,获得一种便于显示和传递的的 过程。 2.根据信号的不同,参数检测仪表可以分为气动检测仪表和电动检测仪表两类。 3.非电量的电测法: 将非电量工艺参数,如压力、温度、流量、物位等,转换为电流、电压等电路参数(信号)的检测方法

第一节 实验在材料力学课程中的地位 . 2 第二节 材料力学实验的基本内容 . 2 第三节 实验须知 . 3 第四节 实验报告的一般要求 . 4 第二章 常用试验机原理及使用方法 . 5 第一节 万能试验机 . 5 （一） 电子万能试验机 . 5 （二） 液压式万能试验机 . 9 第二节 扭转试验机 . 12 （一） 50 型扭转试验机 . 12 （二） 伯明翰 6609─CHG 型扭转试验机 . 14 第三章 电测法基本原理及方法 . 17 第一节 电阻应变片 . 17 一．构造 . 17 二．工作原理 . 18 三．应变片的分类 . 19 四．应变片的工作特性参数 . 20 第二节 电阻应变仪 . 22 一．测量电路 . 22 二．放大与指示电路 . 25 三．电桥的温度补偿 . 25 四．串联与并联桥臂的输出 . 27 五．应变仪读数的修正 . 28 第三节 电测法的基本应用 . 30 一．测量电桥的应用 . 30 二．二向应力状态中主应力与主方向的测定 . 36 三．静态多点应变测量 . 38 第四节 应变片式传感器 . 42 一．测力传感器 . 42 二．位移传感器 . 43 三．传感器的使用 . 44 第四章 基本实验 . 46 第一节 拉伸实验 . 46 第二节 压缩试验 . 50

本文用薄晶体电镜,x射线衍射形貌和金相腐蚀坑法研究了氢区熔硅单晶热处理缺陷形成机理。通过变温热处理,发现氢区熔硅单晶热处理缺陷主要是由氢沉淀引起的。沉淀过程可能首先是Si-H键分解,然后是氢的扩散聚集,测出沉淀过程激活能是56.000±3000卡/克分子,它可能是Si-H键的分解激活能。沉淀物的析出面是{111}晶面,几何形态起始近似球状,然后变成扁椭球,最后是沿方向拉长的片状沉淀物。随着沉淀物的长大,在一定温度下(约600-700℃)会在沉淀物周围发射稜柱位错环,其分布形态和热处理温度有关。高温热处理时,沉淀物周围能发射出高对称的多组稜柱位错环,形成\星形\位错群。稜柱位错的稜柱面是{111}晶面,柏氏矢量是a╱2。发射方向是方向,位错线是方向

第10章 矩阵位移法 第11章 能量原理 第12章 超静定结构总论 第13章 结构的动力计算 第14章 结构的稳定计算 第15章 结构的塑性分析与极限荷载 第16章 结构力学的研究方法和参考书简介