一,光的干涉 1 理解相干光的条件及获得相干光的方法. 2 掌握光程的概念以及光程差和相位差的关系，理解在什么情况下的反射光有相位跃变. 3 能分析杨氏双缝干涉条纹及薄膜等厚干涉条纹的位置

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复旦大学：立方氮化硼薄膜的制备与表征_立方氮化硼c-BN的制备

复旦大学：《设计性研究性物理实验》学生论文_改建CVD系统制备金刚石薄膜

1.薄膜干涉 2.迈克耳孙干涉仪 3.光波场的时间相干性

近十余年来，钙钛矿太阳能电池光电转换效率从3.8%提升至目前的25.5%，有望成为下一代商业用薄膜太阳能电池。然而，目前广泛使用的TiO2电子传输层电子迁移率低、退火温度高、紫外光照稳定性差等特性使得TiO2基钙钛矿太阳能器件电池性能，尤其是长期稳定性，面临巨大挑战

研究了Si/Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta结构的自旋阀的热稳定性及层间扩散问题.高分辨电镜(HREM)观察表明,各层呈柱状晶生长.低于200℃退火能有效地提高钉扎场.高于200℃退火后,钉扎场下降,300℃时降为零.利用俄欧电子能谱仪(AES)研究了在相同的条件下制备的基片/Ta/NiFe/FeMn/Ta结构多层膜.结果表明,200℃以下时薄膜层之间主要发生沿晶界的扩散,300℃时体扩散的作用不能忽略

采用水热法,在磁控溅射铺膜后的ITO-基底(MST-基底)上制备出取向一致的SnO2纳米线阵列.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等手段对制备的纳米线阵列进行了表征.考察了不同的基底铺膜方式和退火温度对产物形貌、尺寸和取向性的影响.结果表明,不同的基底铺膜方法对产物的形貌和尺寸有较大的影响:在磁控溅射法铺膜的基底上生长出SnO2纳米线阵列;在旋涂法铺膜的基底上生长出SnO2纳米棒阵列;在未铺膜基底上生长出SnO2纳米颗粒薄膜.另外,退火温度对生长在磁控溅射铺膜基底上的产物的取向性有较大的影响,随着退火温度的升高,产物的取向性增强

采用三点弯曲法对两种刚玉-莫来石推板产品的高温断裂强度和1400℃下的高温抗弯蠕变进行了对比研究.结果表明,进口推板材料具有较高的高温断裂强度和较好的高温抗弯蠕变性能,其结构特点是以红柱石颗粒为骨料,基质中形成良好的薄膜状莫来石结合刚玉的结构,玻璃相含量极低.国产推板尽管基质中莫来石已形成网络结构,但内部存在少量玻璃相,使得高温断裂强度较低,高温抗弯蠕变性较差.莫来石形态和玻璃相的存在是影响材料高温性能的决定因素

从纳米碳纤维中切取横切面薄膜,用高分辨电镜研究纤维的微观结构.结果说明:材料的试样中纤维是实心的,而不是管状的;判断纳米碳纤维是管状的还是实心棒状,应该在高分辨电境下从横切面研究纳米碳纤维的微观结构;同一试样中纳米碳纤维的直径可能不同