一、组合电路的分析方法与设计方法 二、常用MSI组合逻辑器件

一、复习提问 1.任务：单灯受控闪烁 2.硬件电路和控制程序的实现 3.单片机引脚和I/O接口

9.1 ATX电源组成与设计规范 9.2 ATX电源电路结构 9.3 电源主要技术性能 【重点】 9.4 电源故障分析与处理

1.任务描述详细描述任务，并演示本任务的结果，给同学们留下深刻的印象 2. 硬件电路与工作原理 3. 控制程序

选择题(本题40分,共20题) 1.分压式共射放大电路如下图所示。若更换晶体管使由50变为100,则电路的电压 2019年12月30日放大倍数

• 直流偏置电路 • 静态工作点 • FET小信号模型 • 动态指标分析 • 三种基本放大电路的性能比较 4.4.1 FET的直流偏置及静态分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法

• 电路分析 • 复合管 • 静态工作点 • 动态指标 • 三种组态的比较 3.6.1 共集电极电路 3.6.2 共基极电路

• 温度变化对ICBO的影响 • 温度变化对输入特性曲线的影响 • 温度变化对 的影响 • 稳定工作点原理 • 放大电路指标分析 • 固定偏流电路与射极偏置电路的比较 3.5.1 温度对工作点的影响 3.5.2 射极偏置电路

本文报导了新型PVC膜Au(Ⅲ)离子选择电极。电极的敏感膜由二安替比林甲烷(DAM)-AuCl4-缔合物(10mg)、邻苯二甲酸二丁酯(DBP)(0.2ml)、PVC粉(170mg)组成。此电极在0.5MHCl介质中对AHCl4-的能斯特响应范围在6×10-7~1×10-2M,斜率为58±1mV/PM(22℃),检测下限为3.2×10-7M。连续使用三个月,电极的性能良好。用此种离子选择电极测定了经泡沫塑料富集分离的矿石中微量金,得到了满意的结果

观察了实验条件对恒电流密度下二次阳极处理电解沉积MoS2对应的电压时间关系曲线和膜颜色的影响。电子探针分析表明,沉积的固体润滑剂在整个孔的深度范围存在,但接近孔口的膜外表面下含量较高。透射电镜观察发现二次阳极处理过程实质上为二次阳极氧化过程,膜的阻挡层增厚,其厚度与电压的比值在1.0～1.4nm/V范围。原多孔膜底部未发生对应高电压的大孔的起源和发展。沉积MoS2的工艺使膜的硬度有所下降。膜的摩擦系数降低,耐磨性提高