10.1晶体的特征 10.2晶体的基本类型及其结构 10.3化学型和最体构型的变异 10.4晶体的缺陷非晶体

10.1晶体的特征 10.2晶体的基本类型及其结构 10.3化学键键型和晶体构型的变异 10.4晶体的缺陷·非晶体

一、晶体的特征。晶体的基本类型 二、实际晶体。晶体的缺陷和信息材料。 三、合金。液体及其显示原理

以6005A铝合金商品实际产生的表面少缺陷、多缺陷试样，以及作为比较的完全去除商品表面膜的人工磨制的三种不同表面状态试样为研究对象，研究铝合金商品表面的实际损伤对其耐海水腐蚀性能的影响及其腐蚀电化学行为.通过场发射扫描电镜和激光共聚焦扫描显微镜对具有不同表面状态的6005A铝合金表面形貌和粗糙度进行了表征，表明铝合金商品实际产生的表面缺陷主要为划伤，体现在随着表面缺陷的增多，表面粗糙度Ra明显增大，表面粗糙度Ra大小可以定量描述表面损伤的严重程度. 6005A铝合金在NaCl质量分数3.5%的模拟海水溶液中发生全面腐蚀和点蚀，表面缺陷越多，粗糙度越大，耐蚀性越差；电化学测试结果表明，表面缺陷越多，粗糙度越大，腐蚀电位越低，腐蚀电流密度越大，耐蚀性越差. 6005A铝合金表面损伤对其耐海水腐蚀性能产生影响的原因为：表面损伤造成铝合金商品原表面膜被破坏，表面缺陷越多，粗糙度越大，表面膜的破坏和表面塑性变形越严重，铝元素会因为被活化而迅速溶解，有着更高的腐蚀速率，而缺陷较少表面有较为均匀致密的氧化膜，对基体有着较好的保护性

第一章半导体材料导电型号、电阻率、少数载流子寿命的测量 第二章化学腐蚀一光学方法检测晶体缺陷和晶向 第三章霍尔系数、迁移率和杂质补偿度的测量 第四章外延片的物理测试 第五章红外吸收光谱在半导体测试技术中的应用 第六章扫描电子显微镜及其在半导体测试技术中的应用 第七章透射电子显微镜晶体缺陷分析 第八章Ⅹ射线在半导体测试技术中的应用 第九章结电容和CV测试技术 第十章半导体中痕量杂质分析

9.1 晶体的基本知识 9.2 离子键和离子晶体 9.3 原子晶体和分子晶体 9.4 金属键和金属晶体 9.5 晶体的缺陷和非整比化合物 9.6 离子极化

应用扫描Kelvin探针原位研究盐雾和干湿周浸环境中缺陷涂层膜下的腐蚀行为.结果显示:在两种腐蚀环境中,缺陷涂层均分为缺陷、阴极剥离及完好涂层区域;Kelvin电位的分布相同,缺陷处最高,完整涂层处最低.Kelvin电位分布峰的直径随时间的延长而增大,表明剥离区域扩大.干湿周浸环境中,Kelvin电位的最大值Vmax随时间变化不明显,Vmin在逐渐下降后达到谷值,随后升高;盐雾环境中由于电解质溶液持续扩散和盐雾颗粒极强的腐蚀性,Kelvin电位随时间的变化规律为Vmin在起始阶段达到最小值,随后升高.由Vmax-Vmin的变化规律得出,干湿周浸环境下腐蚀倾向性在试验开始5h后达到最大,而在盐雾环境下,试验开始阶段腐蚀倾向性就达到最大,且要高于干湿周浸环境

新型聚合物石英压电传感器制备过程中，AT切型石英压电传感器基体的表面粗糙度及其基膜界面化学性质影响聚合物薄膜的生长，导致聚合物薄膜厚度不均匀、表面存在缺陷，使得传感器采集的频率信号不稳定.本文建立了新型聚合物石英压电传感器在考虑薄膜厚度不均、中心缺陷条件下的力学模型，利用ANSYS有限元软件对其进行模态分析，得到复杂条件下传感器振动特性.模态分析结果发现，传感器固有频率值随聚合物薄膜缺陷的半径值增大呈现出从稳定到发散的趋势、随薄膜的厚度值增大呈现出线性增大的趋势.研究结果表明，新型聚合物石英压电传感器的生产应确保薄膜厚度均匀且严格控制中心缺陷半径小于0.5 mm，该结果为制备稳定的新型聚合物石英压电传感器提供了重要依据

采用激光快速成型技术制备出316L不锈钢薄壁矩形管和663锡青铜扭曲薄壁方管.所成型金属零件的组织均匀、致密,没有缺陷.沿金属薄壁零件高度方向的化学成分分析表明,零件中的化学成分分布均匀,且与金属粉末的化学成分相同,未发生成分偏析.同时,激光快速成型的金属薄壁零件的力学性能与常规加工方法制造出的零件相当.使用表明激光快速成型的金属零件可以满足直接使用要求

植物非侵染性病害 (noninfectious disease)是由于植物自身的生理缺陷或遗传性疾病，或由于生长环境中有不适宜的物理、化学等因素直接或间接引起的一类病害。 没有病原生物的侵染，在植物的不同个体间不能互相传染，又叫非传染性病害或生理性病害。 第一节 物理因素 一、温度不适 二、水分、湿度不适 三、光照不适 四、其它因素 第二节 化学因素 第三节 植物非侵染性病害的诊断