作业一: 1.在立方晶系的晶胞内画出具有下列密勒指数的晶面和晶向: (11)n12,(10与[1],(132)与[123 2.在立方晶系的一个晶胞中画出(111)和(112)晶面,并写出两晶面交线的晶向指数。 3.立方晶系的(111),(110),(123)晶面族各包含多少晶面,写出它们的密勒指数

用透射电镜(TEM)对大气中火焰法沉积(CFD)金刚石薄膜的组织结构进行了分析研究。结果表明,所沉积的金刚石晶体中{111}面上存在着大量层错及显微孪晶;在{111}面上晶粒边界处的位错密度较低。此外,在金刚石薄膜中还观察到存在于金刚石颗粒间的非金刚石型碳(C),即无定形碳及微晶石墨

在750、800、825和850℃温度下，利用Gleeble1500热模拟试验机对430不锈钢冷轧薄板的等温退火过程进行了详细的实验研究，分析了退火过程中再结晶织构和组织的变化规律，并对关键织构体积分数的演变进行了定量分析.结果发现：随着退火过程的进行，α取向线上的织构强度逐渐减弱，而γ取向线上的织构强度则略有加强，并保持在较高的值；再结晶过程中，{111}和{112}织构的体积分数逐渐降低，而{100}和随机取向晶粒的体积分数逐渐增加.定量分析表明，退火温度越低，完全再结晶后材料内部关键织构的体积分数越偏离冷轧态.最后，针对{111}、{112}、{100}和随机取向织构的体积分数在再结晶过程中的演变规律，建立了JMAK型再结晶织构演变动力学模型

利用扫描电镜、背散射电子衍射(EBXD)和X射线衍射技术研究了三种方式热变形后保温时铁素体的长大行为.结果表明,回复、再结晶和长大的相对程度与第二相粒子的状态及铁素体的取向分布有关.形变强化相变产生的超细铁素体中形变储存能较低,退火时难以发生静态再结晶,而以晶粒长大为主,铁素体因第二相出现较晚而充分生长:A1温度以下纯铁素体区形变的铁素体虽然形变储存能最高,形变量最大,但第二相钉扎最明显,铁素体仅发生部分再结晶,取向形变晶粒比取向形变晶粒更明显地被削弱;α+γ两相区形变时,铁素体(亚)晶粒发生回复式长大,取向晶粒和取向晶粒有不同的再结晶倾向

采用金相观察和极图分析方法进行了研究。研究表明,回复阶段,再结晶晶粒和结构均未出现;再结晶完成阶段.由于具有较高的冷轧变形储能,{111}取向的晶粒优先形核、长大;晶粒长大阶段,{111}取向的品粒吞并其他取向的品粒而继续长大并趋于均匀;通过增大退火均热温度和均热时间来延长品粒长大阶段是提高深冲性的有效措施

本文用薄晶体电镜,x射线衍射形貌和金相腐蚀坑法研究了氢区熔硅单晶热处理缺陷形成机理。通过变温热处理,发现氢区熔硅单晶热处理缺陷主要是由氢沉淀引起的。沉淀过程可能首先是Si-H键分解,然后是氢的扩散聚集,测出沉淀过程激活能是56.000±3000卡/克分子,它可能是Si-H键的分解激活能。沉淀物的析出面是{111}晶面,几何形态起始近似球状,然后变成扁椭球,最后是沿方向拉长的片状沉淀物。随着沉淀物的长大,在一定温度下(约600-700℃)会在沉淀物周围发射稜柱位错环,其分布形态和热处理温度有关。高温热处理时,沉淀物周围能发射出高对称的多组稜柱位错环,形成\星形\位错群。稜柱位错的稜柱面是{111}晶面,柏氏矢量是a╱2。发射方向是方向,位错线是方向

采用脉冲电镀法在黄铜表面制备出具有(111)、(200)和(220)晶面择优生长织构的纳米晶纯镍镀层.采用扫描电镜对镀层的显微形貌进行观察,采用X射线衍射对不同晶面织构的择优性进行表征,并对镀层在3.5%NaCl溶液中的动电位极化曲线和交流阻抗谱进行了测试,研究不同织构镀层的耐蚀性能.不同织构镀层的耐蚀性能存在显著差异:具有(220)强织构的镀层耐蚀性最差,其自腐蚀电流密度最大,为1.23μA·cm-2,镀层的电荷转移电阻为2.09kΩ·cm2;具有(200)强织构的镀层耐蚀性能最佳,镀层的电荷转移电阻为27.32kΩ·cm2,自腐蚀电流密度为0.15μA·cm-2;具有(111)织构镀层的耐蚀性居中.认为织构引起的表面胞状物的差别是造成纯镍镀层耐蚀性能不同的原因

AMCM88问题A确定毒品走私船的位置 相距5.43哩的监听站收听到一个短暂的无线电讯号。收听到讯早的时候测向仪分别定位在111和 119°处(见图88A-1),测向仪的精度为±2°,该讯号来自一个毒品交换活跃的地方,据推测该处有一只 机动船正等着有人来取毒品。当时正值黄昏、无风、无潮流。一架小型直升飞机离开监听站①的简易机场 并能精确地沿111°角方向飞行

《孟子两章》之《得道多助，失道寡助》课件_111《得道多助，失道寡助》课件

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