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Introduction to Insulated Gate Bipolar Transistors Prepared by: Jack Takesuye and scott Deuty Motorola inc INTRODUCTION As power conversion relies more on switched applications The IGBT is, in fact, a spin-off from power MOSFET
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MITSUBISHI FAST RECOVERY DIODE MODULE RM400DY665 HIGH POWER SWITCHING USE HVDi(High Voltage Diode) Module INSULATED TYPE
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1SR154400/1sR154-600 Diodes Rectifier diode 1SR154400/1sR154600 EXternal dimensions(Units: mm) (1)General purpose rectification (2) Surge absorption
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1. 电路组成 2. RC串并联选频网络的选频特性 3. 振荡电路工作原理 4. 稳幅措施
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中国科学技术大学:《电子技术基础》课程教学资源(课件讲稿,模拟电路部分)电路分析简介
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1、 了解集成运放的组成及电路模型 2、 掌握集成运放的线性应用
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§3.1 负反馈的概念 §3.2 负反馈的类型及分析方法 §3.3 负反馈对放大电路的影响
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1.下列a~f电路哪些具有放大作用?
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§10.1 概述 §10.2 单相整流及滤波电路 §10.3 串联反馈型线性稳压电路
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放大电路 半导体、PN结、 BJT载流子运动 物理、化学
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