第12章 位运算 12.1 位运算符和位运算 12.2 位运算举例 12.3 位段

苫味和甜味同样依赖于分子的立体化学结构,两种感觉都受到分子特性 的制约,从而使某些分子产生苦味和甜味感觉。糖分子必须含有两个可以由 非极性基团补充的极性基团,而苦味分子只要求有一个极性基团和一个非极 性基团。有些人认为,大多数苦味物质具有和甜味物质分子一样的AH/B部分 和疏水基团,位于感觉器腔扁平底部的专一感觉器部位内的AH/B单位的取向, 能够对苦味和甜味进行辨别。适合苦味化合物定位的分子,产生苦味反应, 适合甜味定位的分子引起甜味反应,如果一种分子的几何形状能够在两个方 位定位,那么将会引起苦味-甜味反应

基底节区出血约占高血压脑出血的70%以上 ,是临床上最常见的脑出血部位。随着微创 清除术在脑出血中的应用,如何能快速、准 确的定位,一直是基层医院临床工作者关注 的问题,特别是对初学者。 ·目前,临床上定位的方法较多,如应用立体 定向仪或CT扫描下定位等,这些方法要么操 作较繁琐,要么不易掌握,而且,增加了病 人的搬动次数,尤其对危重病人不利。笔者 总结近5年来的临床经验,摸索出一套快速 、简便、准确的根据CT片的定位方法,简称 “331定位法

7-1基本概念 (一)配位键与配位化合物 第6章曾讲到:由一个原子或原子团提供一对e,另一个 原子提供一个空轨道,形成的化学键(如CO中)为配位键 ·配位键普遍存在于配位化合物 Coordinate compounds ·过去称为络合物 Complex——结构复杂的化合物 ·近来发现其结构也谈不上复杂→改称为配位化合物 ·配位化合物中除都存在配位键外,一般还存在其他化学 键,如离子键,因此: (二)配位化合物的组成

转炉炼钢利用供氧枪位的改变实现前期化渣、中期脱碳升温以及后期强化搅拌的目的.本文基于100t炼钢转炉，研究了四孔超音速氧枪喷吹时枪位变化对熔池流动状况的影响.研究发现：低枪位有利于增加射流冲击深度，加速熔池表层钢液；高枪位有利于增大射流冲击面积，促进钢液速度在径向方向上均匀分布，增加熔池底部钢液速度.随着枪位从1.2m提高至1.8m，冲开渣层的直径从2.119m增加为2.645m，射流的冲击深度显著降低

利用激光-超高压电子显微镜系统在500℃对SUS316L奥氏体不锈钢进行了电子束辐照和脉冲激光-电子束双束同时辐照(以下简称:同时辐照),通过观察和分析辐照后自由晶界处无空洞区域以及元素偏析,以电子束辐照结果为标准,对比研究了同时辐照对空位扩散的影响.结果表明:同时辐照后的无空洞区域宽度为48 ±16 nm,小于电子辐照的71 ±27 nm;不论在偏析程度还是偏析宽度上,同时辐照条件下Cr和Ni的偏析都小于对应的电子束辐照;同时辐照下空位的扩散通量仅为电子束辐照的45.7%.通过分析得出,和电子辐照相比,同时辐照促进了空位与间隙原子的再结合,限制空位向尾闾扩散,进而造成流入尾闾的空位数量减少,极大地抑制了辐照偏析与肿胀.脉冲激光-电子束双束同时辐照可以为探索抑制肿胀方法提供新的思路

第十章位移法 10.1概述 10.2等截面直杆的转角位移方程 10.3位移法的基本未知量和基本结构 10.4位移法的典型方程及计算步骤 10.5直接由平衡条件建立位移法基本方程 10.6对称性的利用

内容 3.1结构位移计算概述 3.2虚功原理 3.3结构位移计算的一般公式 3.4静定结构在载荷作用下的位移计算 3.5温度作用时的位移计算 3.6支座下沉的位移计算 3.7图乘法

第一章绪论 一、微机硬件基础 1、发展概况(CPU) 第一代:4位, Intel44004, 第二代:8位,Inte188080等, 第三代:16位, Intel88086,80186,80286等, 第四代:32位, Intel80386,80486等, 第五代:64位, Intel5586(Pentium), Power PC等, 第六代:64位, Pentium Pro, Pentium2及以上

一、填空题(每空1分,共30分) 1、GPS定位的误差按来源不同,可分为与()有关的误差、与()有关的误差和与()有关的误差。 2、按所选参考点不同,定位方法可分为()定位和()定位;按接收机所处状态不同,定位方法可分为()定位和()