报导了锌还原、P204单级萃取富集稀土料液中的铕,再用萃取包层分离纯制荧光级氧化铕的工艺。通过条件试验,探索到还原,萃取及萃淋的最佳条件,探讨了萃取色层反应机理。经小型试制,各批产品纯度皆>99.98%,回收率皆>97%,工艺简短,设备简单,所耗原料价廉易得,且各项要求均达生产指标

本文研究了缺口对GH33A合金在高温低周疲劳及劳疲/蠕变交互作用下的力学行为。结果表明:缺口使GH33A合金低周疲劳寿命缩短,其缩短的程度随缺口尖锐程度的增加而加剧。低周疲劳高应力时,保载时间的作用引入了蠕变分量,促使低周疲劳寿命Nf降低。在低周疲劳固定最大应力,改变最小应力而造成蠕变/疲劳交互作用情况下,其断裂寿命在一定条件下具有最大值,断裂机制可由纯疲劳断裂逐步转化为纯蠕变断裂,其程度主要决定于蠕变应力(或疲劳应力)分量所占比例的大小

本文采用系列截面法,较系统地对退火纯铁晶粒的拓扑构形进行了实验研究,并着重分析了拓扑参量的分布特性及有关规律

本文提出:复合型疲劳的开裂角与一次断裂的开裂角有性质上的不同,而个仅在表面上,尤其是有些裂纹状态,当K11=0时（即纯Ⅰ型）,疲劳裂纹并不沿着原裂纹方向扩展;相反地,有些裂纹状态,当K11≠0时（即复合型）,疲劳裂纹却沿着原裂纹方向扩展。其次是复合型的裂纹扩展速率da/dN与纯Ⅰ型的da/dN,其规律性也不一致

报导了纯锰橄榄石的合成及鉴定。这种合成的纯锰榄橄石在室温时可以被盐酸,硫酸完全分解。由量热法测得此锰橄榄石和稀盐酸反应时放出(169±3.5)kJ.mol-1的热。这个由实验测得的反应热与按文献数据算出的H2180值相近。由测得的反应热值算出的Mn2SiO4的品格能是-8045kJ.mol-1,SiO44-g的水合焓是-4439.3kJ.mol-1

提高裂纹尖端应力强度因子值的计算精度,对于准确分析受力结构的起裂条件和破坏模式具有重要意义.本文采用3D打印技术获得了不含残余应力的平板模型,高精度打印预置裂纹避免了传统加工过程产生残余应力的缺点;综合考虑奇异场和非奇异场对裂纹尖端区域应力场的影响,引入远场边界控制的三个常数项应力,提出了光弹性多参数法;采用三点弯曲试验,运用最小二乘法计算了不同载荷下纯I型和I-Ⅱ混合型应力强度因子值,并与理论解对比分析.结果表明:对于纯I型应力强度因子,计算结果的平均误差为6.1%,对于I-Ⅱ混合型应力强度因子,计算结果的平均误差分别为6.4%和5.5%,多参数法与理论解相比较小的计算误差验证了该方法的可靠性和准确性,可为精确计算应力强度因子的光弹性实验研究提供借鉴

用纯氨做原料在钢铁表面进行化学气相沉积氮化钛时,可使沉积温度降到570℃以下。高速钢刀具经沉积后不需再行淬火处理。本文介绍了沉积反应时纯氨的制备以及为降低沉积温度的沉积条件选择等。样品经此处理后,涂层生长速率为2.7μ2.5（μm）/hr,涂展硬度HV0,05,约为1700kg/mm2。X射线衍射分析证明表面为TiN

Y /半导体的导电特性 1. 本征半导体 半导体材料与PN结 (1.2.1) 导电性能介于导体（如铜、铁等）与绝缘体（如 石头、木头）之间； 主要有：Si（硅） Ge（锗） GaAs（砷化镓）； 影响半导体的导电性能： 温度、纯度。 纯净的半导体称为本征半导体

一、实验目的与要求： （1） 掌握从环境（土壤、水体、活性污泥等）中分离培养细菌的方法，从而获得若干种细菌纯培养技能 （2） 掌握细菌纯种分离的方法：稀释平板分离法和平板划线法

在PLINT微动磨损试验机上附加电化学测试系统,采用十字交叉接触方式,位移幅值为100μm,法向载荷20、50和80 N条件下,研究NC30Fe合金传热管在氯化钠溶液中的微动腐蚀行为.使用电化学工作站记录微动腐蚀过程中开路电位变化,运用电位扫描法测量微动过程的极化曲线;采用扫描电子显微镜观察磨痕的表面形貌,光学轮廓仪测定磨痕的三维形貌及磨损量.微动磨损使损伤区域金属原子活性增大,腐蚀倾向增大,加速了NC30Fe合金的腐蚀.在氯化钠溶液中,NC30Fe合金由于微动磨损过程产生腐蚀产物膜起到润滑减摩作用,摩擦系数较纯水中降低;但因腐蚀与磨损的交互作用,在氯化钠溶液中的磨损量比纯水中高.氯化钠溶液中的磨损机制主要表现为磨粒磨损和剥层的共同作用