§4.1 晶体三极管 §4.2 放大电路的组成原则 §4.3 放大电路的分析方法 §4.4 晶体管放大电路的三种接法 §4.5 放大电路的频率响应

一、功率晶体管GTR 二、功率功效应晶体管（P-MOSFET） 三、绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 四、自关断器件驱动电路

4.1 离⼦晶体与共价晶体 4.2 鲍林规则 4.3 共价键与共价晶体 4.4 无机单质材料 4.5 ⼆元无机化合物材料 4.6 三元无机化合物材料 4.7 硅酸盐材料

高分辨率电镜( High Resolution Electron Microscopy,HREM)直接 观察晶体中原子的规则排列

探讨以镍渣为主要原料采用熔融法制备建筑用微晶玻璃.研究引入Cr2O3作为晶核剂的镍渣微晶玻璃的成核及晶化过程.利用DSC测试来确定基础玻璃的晶化温度,并利用修正的Johnson-Mehl-Avrami(J/VIA)方法初步计算以镍渣为主要原料所制备的基础玻璃在加入质量分数2%的Cr2O3作为晶核剂后的结晶活化能E及结晶动力学参数k(Tp),计算结果分别为E=371.1kJ·mol-1,结晶动力学参数k(Tp)=0.29.采用XRD、SEM和光学显微镜测试、分析及观察方法来鉴定、分析微晶玻璃试样的主晶相及微观结构.结果显示,加入晶核剂的基础玻璃从930℃开始均匀地析出透辉石相晶体;随着温度的升高,晶体尺寸也逐渐增大,在温度达到950℃后,对样品进行30min保温热处理,样品中晶体尺寸达到10~15μm

一、衍射的本质是晶体中各原子相干散射波叠 加(合成)的结果。 二、衍射波的两个基本特征衍射线(束)在空间分布的方位(衍射方向)和强度,与晶体内原子分布规律(晶体结构)密切相关

利用RTO金属包埋切片微米-纳米表征法,通过高分辨透射电镜观察了γ-AlOOH薄膜切片中的晶格点阵条纹像,分析了添加复合添加剂后异型纳米AlOOH的微观晶体结构,从原子层面揭示了由于铁离子的同晶替代以及硫酸根离子的插层而导致的晶格畸变.阐述了极性添加剂在晶须生长过程中首先形成复合的高聚体、进而定向生长的诱导机理,并指出了非极性表面活性剂对异型纳米AlOOH晶体形貌表面的修复和\美容\作用.用能谱及红外光谱佐证了复合多聚体的存在

采用区域熔化定向凝固装置,对冷却速度在13~130K/s范围内Ni-5%Cu合金的结晶形貌研究表明:在温度梯度1300K/cm条件下,晶体生长速度v=500μm/s时,不同结晶取向晶粒的结晶形貌不同;当晶体生长速度v=800μm/s时,不同结晶取向晶粒的细胞晶间距不同,亚快速凝固条件下,晶体生长方向对结晶形貌的影响非常显著

1–1 半导体物理基础知识 1–2 PN结及晶体二极管 1–3 晶体二极管及其基本电路 1–4 其它二极管简介

分析了在均匀流场的作用下,金属凝固过程中晶体生长浓度的二维稳态方程的边值问题.运用有限差分法将微分方程数值离散化为线性代数方程组.用初等变换法将该代数方程组分解为多个方程组进行处理,提高了计算效率.模拟结果揭示了在均匀流场作用下, 沿枝晶生长的方向,晶体生长的浓度呈现振荡衰减的本质特征