8-1溶液 8-2非电解质稀溶液的依数性 8-3溶胶

采用交流阻抗谱研究了无电镀镍浸金处理电路板在模拟电解质溶液(0.1mol·L-1 NaHSO3)中的电化学腐蚀行为,并结合体视学显微镜、扫描电镜、X射线能谱分析等手段分析了试样表面腐蚀产物形貌、组成和镀层失效机制.无电镀镍浸金处理电路板在NaHSO3溶液中的耐蚀性较差,浸泡12h试样表面局部即发生变色,伴随有微裂纹的产生.电解液能够通过裂纹直接侵蚀Cu基底,并在微裂纹周围生成较多的枝晶状结晶产物,其主要组分为Cu2S.该结晶腐蚀产物的不断生成使局部区域中间Ni过渡层与Cu基底结合部位存在较大的横向剪切应力,最终造成Ni镀层的脱离与鼓泡现象

§7-1 强电解质和弱电解质 §7-2 溶液的酸碱性 §7-3 缓冲溶液 §7-4 酸碱质子理论

一、同离子效应 在弱电解质溶液中,加入含有相同离子的强电解质,会使弱电解质电离度降低,该现象叫 作同离子效应。(电离平衡向左移动) 例7:在0.10mol/LHAc溶液中加入少量NaAc,使其浓度为0.10mol/L,求该溶液的H浓 度和解离度

一、溶液是典型的多组分体系 定义:两种或两种以上的物质在分子水平上均匀混合所形成的单相体系即为溶液 olution)

拜耳法氧化铝生产过程中，草酸钠在铝酸钠溶液晶种分解工序造成诸多负面影响.本文对种分过程草酸钠结晶析出的行为进行研究.用含草酸钠的合成和工业铝酸钠溶液分别进行分解实验，考察草酸钠对分解产物粒度和形貌的影响，并对草酸钠的结晶习性、草酸钠与氢氧化铝之间的相互作用规律进行探究.结果表明，草酸钠在氢氧化铝表面或颗粒间隙结晶析出，使氢氧化铝二次成核增加，并严重阻碍氢氧化铝的附聚，这是其造成产品氢氧化铝粒度细化的主要原因

通过采用一步纳米金属颗粒辅助化学刻蚀法(MACE)成功制备了多孔硅纳米线, 并主要研究了硅片掺杂浓度、氧化剂AgNO3浓度以及HF浓度对硅纳米线阵列形貌结构的影响规律. 研究结果表明: 较高的掺杂浓度更有利于刻蚀反应的发生和硅纳米线阵列的形成, 这是由于高掺杂浓度在硅片表面引入了更多的杂质和缺陷, 同时高掺杂浓度的硅片与溶液界面形成的肖特基势垒更低, 更容易氧化溶解形成硅纳米线阵列; 在一步金属辅助化学刻蚀法制备多孔硅纳米线阵列的过程中, 溶液中AgNO3浓度对于其刻蚀形貌和结构起到主要作用, AgNO3浓度过低或过高时, 硅片表面会形成腐蚀凹坑或坍塌的纳米线簇, AgNO3浓度为0.02 mol·L-1时, 硅纳米线会生长变长, 最终形成多孔硅纳米线阵列. 随着硅纳米线的增长, 纳米线之间的毛细应力会使得一些纳米线顶部出现团聚现象; 且当HF溶液浓度超过4.6 mol·L-1时, 随着HF酸浓度的增加, 硅纳米线的长度随之增加. 同时, 硅纳米线的顶部有多孔结构生成, 且硅纳米线的孔隙率随HF浓度的增加而增多, 这是由于纳米线顶部大量的Ag+随机形核, 导致硅纳米线侧向腐蚀的结果. 最后, 根据实验现象提出相应模型对多孔硅纳米线的形成过程进行了解释, 归因于银离子的沉积和硅基底的氧化溶解

4.1 均相敞开系统的热力学基本关系 4.2 偏摩尔性质 4.3 混合变量 4.4 逸度和逸度系数 4.5 理想溶液和非理想溶液 4.6 活度及活度系数 4.7 超额性质 4.8 活度系数模型

第六节 滴定条件的选择 Choice of titration conditions 一、单一离子的滴定条件 single metal ion 1. 准确滴定的判别式 criterion 2. 滴定的适宜酸度范围 pH range 3. 滴定的最佳酸度 optimal acidity 4. 缓冲溶液的作用 buffer solution 二、混合离子的滴定条件 mixed metal ions 1. 控制酸度分步滴定 acidity control 2. 使用掩蔽剂选择性滴定 masking agent 第七节 标准溶液及配位滴定的主要方式 一、标准溶液的配制和标定 二、配位滴定的主要方式

全书共14章，包括气体、热力学第一定律、热力学第二定律、多组分系统热力学及其在溶液中的应用、相平衡、化学平衡、统计热力学基础、电解质溶液、可逆电池的电动势及其应用、电解与极化作用、化学动力学基础（一）、化学动力学基础（二）、表面物理化学与胶体分散系统和大分子溶液