常用的半导体器件有二极管、三极管和场效应管, 本章重点介绍常用半导体器件的结构,伏安特性和主 要参数。 半导体器件是构成电子电路的最基本单元。掌握半 导体器件的特征是分析电子电路的基础

一、工作中心(working center,简称WC) 1 一生产资源,包括机器、人和设备(模具); 2 一是生产加工单元或能力的总称; 3 一由一台或几台功能相同的设备,一个班组,一条自动生产线,一个装配场等组成;有时甚至是生产某种单一产品的封闭车间; 4 一是计划范畴,而不是固定资产或设备管理范畴

第一节引言 硅平面工艺是制造 MOS IC的基础。利用不同的 掩膜版,可以获得不同功能的集成电路。因此, 版图设计成为开发新品种和制造合格集成电路的关键。 1、手工设计 人工设计和绘制版图,有利于充分利用芯片面 积,并能满足多种电路性能要求。但是效率低、 周期长、容易出错,特别是不能设计规模很大的 电路版图。因此,该方法多用于随机格式的、产 量较大的MSI和LSI或单元库的建立

概念：由三个杂质半导体区（发射区，基区，集电区）及两个PN结（发射结和集电结）构成的，有两种载流子（自由电子和空穴）在其内部作扩散、复合、漂移等复杂运动的PNP或NPN晶体管

2002 年 1 月 8 日，通信业界翘首以待的联通新时空 CDMA 网开 通仪式在人民大会堂隆重举行。在花巨资请麦肯锡咨询后，联通 将 GSM 定位于低端用户，CDMA 定位于中高端用户（一般指每月通 话费在 200 元以上的用户）。但自 CDMA 推出以来，市场反应平 淡，在前 5 个月，用户数也只有 100 万，这其中还包括原长城网 转网用户 40 万户。在这种市场形势下，联通采取了各种市场促销 手段

第9章随机事件与概率 第三单元事件的运算 一、学习目标 通过本节课的学习,会进行事件的和、积和差等运算.我们讨论事件的运算,有事件的和、事件的积和事件的差 二、内容讲解 事件的运算

第八单元二维随机变量 一、学习目标 通过本节课的学习,知道全概率公式是加法公式和乘法公式的综合,是概率 论中的重要公式,要求会用它计算有关的概率问题. 二、内容讲解 1.离散型随机变量的联合分布 离散型的二维随机变量(X,Y

本文研究了少量Si(1.5%、2.5%)对Fe-25Cr合金在H2S-H2混合气氛中高温硫化行为的影响。在800℃以上加Si一定程度地提高了Fe-25Cr合金的抗硫化性能。由于硫化过程中硫化层发生开裂,使得含Si合金有些硫化增重曲线的规律性较差。含Si合金生成了比较完整、均匀的(Cr、Fe)2S3内硫化层,但保护作用不大。在对硫化动力学曲线、硫化层结构和组成分析的基础上探讨了Fe-25Cr-xSi合金的硫化机理及Si元素的作用

第三单元期望的区间估计 一、学习目标 通过本课学习,弄明白区间估计的意义会求总体参数从的区间估计 二、内容讲解 1.区间估计的概念 对于总体的未知参数θ,不仅需要估计它的值,有时还要按给定的可靠程度 (置信度)估计它的误差范围

第五单元分布函数与函数的分布 一、学习目标 通过本节课的学习,认识分布函数的概念,会求简单的分布函数.知道随机 变量的函数仍是随机变量,因此知道该函数有分布 二、内容讲解 1.分布函数 设X是连续型随机变量,密度函数为f(x),则事{xx}的概率,即