第一章 引言 第二章 片上电感的物理模型与特性分析 第三章 片上电感的优化设计 第四章 测试与分析 第五章 结论

本文将三维附面层方程抛物型化,对不同尺寸的等温小加热块自然对流换热进行了数值模拟,并用来研究微电子集成电路芯片的冷却问题

一、薄膜制备工艺 二、光刻工艺 三、刻蚀工艺（Etch Process） 四、掺杂工艺 五、氧化工艺 六、其它工艺 • CMP(chemical mechanical planarization) • SOI (silicon on insulator) • 铜互连 • 硅片键合与背面腐蚀技术 • 注氧隔离技术(SIMOX) • 智能剥离技术

1.1 半导体器件基础 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6 集成电路中的元件

近年来，随着深亚微米工艺的出现，硅工艺技术将引发一场 TCAD 到 ECAD 的革命。 大家知道，片上系统（system on chip）今天已从概念成为现实。然而，在一个芯片上要嵌入 多种功能并非易事

集成电路的封装方法 双列直插式(DP: Dual In-line- Package) 表面安装封装(SMP: Surface Mounted Package) 球型阵列封装(BGA: Ball Grid Arrag) 芯片尺寸封装(CsP: Chip Scale Package) 晶圆级尺寸封装(LP: Wafer Level CSP) 薄型封装(PtP: Paper Thin Package) 多层薄型封装(Stack PTP) 裸芯片封装(co, Flip chip)

绪论 0.前言 1.IC的分类 2.描述IC工艺技术水平的五个技术指标 3.微电子科学技术的发展历史 4.微电子发展的规律 5.半导体IC技术发展趋势 6.我国微电子发展概况

项目一计算机基础知识 任务1了解计算机 1、计算机的发展过程 第一台电子计算机:美国宾夕法尼亚大学,1946年2月,命名为“ENIAC” 第一代(46-57年):以电子管为逻辑元件。 第二代(58-64年):以晶体管为逻辑元件。 第三代(65-71年):以集成电路为主要功能器件。 第四代(72—至今):将CPU、存储器及各接口做在大规模集成电路芯片上

一. 集成电路的摩尔定律——电荷行为 二. 神奇的磁性及其应用——自旋和电荷行为 三. 巨磁电阻效应——可爱活泼的自旋行为 四. 交换偏置效应——再次显示自旋的伟大 五. 锰氧化物庞磁电阻——自旋的又一非凡表现 六. 纳米尺度下自旋行为的调控——看我是多么配合 七. 目前存在的问题——未来世界属于你们

半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料