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API圆螺纹套管接头应力场分布实验
文档格式:PDF 文档大小:439.4KB 文档页数:4
套管接头在装配、内压和拉伸载荷工况条件作用下,沿接头的应力分布规律及上扣扭矩和滑脱力的大小,对分析套管接头粘扣、泄漏和滑脱失效有重要参考价值.使用目前先进的全尺寸实物评价试验设备,对套管接头进行了综合实验测试,并分析了测试结果.实验和分析结论提高了全面认识套管接头力学性能的水平,而且为从理论上进一步深入研究提供了可靠的数据
西安电子科技大学:《现代测试导论》课程PPT教学课件(测量方法与测量理论)第二章 测试信号的时域分析与处理(南京理工大学)
文档格式:PPT 文档大小:1.36MB 文档页数:99
2.1 信号时域特征的获取方法 2.2 信号与数据的插值方法及实现 2.3 信号与数据的拟合方法及实现 2.4 数值微分和数值积分及实现 2.5 时域信号的平滑与建模方法及实现 2.6 MATLAB在时域分析与处理中的应用
《机械测试技术基础》课程教学实验指导书(共六个实验)
文档格式:DOC 文档大小:8.27MB 文档页数:39
实验一 信号时域频域分析.2 实验二 测试系统静态特性测定.10 实验三 电阻应变电桥性能比较及动态应变测量.14 实验四 不同材质对电涡流传感器的影响.18 实验五 机械振动测量及分析.20 实验六 转子轴心轨迹测量.27 附录: 转子实验台简介.30 数字式应变仪采集软件使用说明.32
清华大学考研辅导强化班课程:《英语翻译》
文档格式:DOC 文档大小:244.5KB 文档页数:33
第一部分:考研英语翻译状况分析与策略 I.翻译考试的内容与考生状况分析 研究生英语入学考试中的翻译项目旨在通过翻译测试考生正确理解英文原文的能力及汉语的表 达能力。此项测试方法是通过阅读一篇难度适中的短文(题材不限,长度约400字上下),翻 译其中较为复杂的5个句子。翻译共5题,每题2分,满分为10分;每题划分为若干个给分 段,每一分段的分值为0.5或1。对考生的要求是对原文理解正确,译文表达清楚准确,对汉 语不作过高要求
清华大学:《测试与检测技术基础》课程教学资源(PPT课件讲稿)旋转机械振动故障分析
文档格式:PPT 文档大小:607KB 文档页数:74
旋转机械振动故障分析 1.机械振动与转子动力学的基本概念 2.旋转机械振动测试的基本概念 3.转子平衡的基本概念与方法 4.机组振动的标准
云南财经大学(云南财贸学院):《审计学》课程教学资源_教学大纲
文档格式:DOC 文档大小:224.5KB 文档页数:29
通过本门课程的学习,学生应能掌握“审计”、“审计对象”、“审计职 能”、“审计分类”、“审计组织”、“审计目标”、“审计计划”、“审计 方法”、“审计证据”、“审计工作底稿”、“重要性”、“审计风险” “内部控制”“符合性测试”、“实质性测试”、“审计报告”、“政府审 计”、“内部审计”、“计算机审计”等基本概念、基本方法与基本理论:了 解审计产生发展的历程和审计产生的动因;熟悉收集审计证据的各种方法;在 熟练掌握上述内容的基础上,应能利用有关理论和方法,分析审计中的具体问 题,并能初步提出解决问题的方案
《工程测试技术》讲义ppt电子课件
文档格式:PPT 文档大小:7.69MB 文档页数:115
第一章信号分析基础 第二章测试系统的特性 第三章电阻应变式传感器 第四章电感式传感器 第五章电容式传感器 第六章压电式传感器 第七章光电式传感器 第八章热电传感器 第九章记录仪器
多晶黑硅的制备及其组织性能
文档格式:PDF 文档大小:750.49KB 文档页数:4
利用等离子体浸没离子注入技术在多晶硅基底上制备了黑硅材料,利用扫描电镜、分光光度计和微波光电导衰减测试仪对黑硅的组织结构、光吸收率和少数载流子寿命进行了测试分析,发现黑硅呈现多孔组织,在可见光波段的平均吸收率大于94%,其平均少数载流子寿命为5.68μs.研究了注入工艺参数对黑硅的影响,发现工作气体SF6和O2流量比对黑硅的组织性能影响最大,当其为2.80时制备的黑硅组织性能最好
西安石油大学:《软件工程 Software Engineering》课程教学资源_各章习题解答
文档格式:DOC 文档大小:105.5KB 文档页数:24
第一章 概述 第二章 可行性研究 第三章 需求分析 第四章 概要设计 第五章 详细设计 第六章 实现 第七章 软件测试 第八章 软件维护 第九章 测试 第十章 面向对象技术 第十一章 软件质量保证 第十二章 软件工程管理
n型4H-SiC湿氧二次氧化退火工艺与SiO2/SiC界面研究
文档格式:PDF 文档大小:509.21KB 文档页数:4
在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV·cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1·cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求
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