9-1概述 9-2等截面直杆的转角位移方程 9-3位移法的基本未知量和基本结构 9-4位移法的典型方程及计算步骤 9-5直接由平衡条件建立位移法基本方程 9-6对称性的利用

夹紧是工件装夹过程中的重要组成部分。工件定位后必须通过一定的机构产生 夹紧力，把工件压紧在定位元件上，使其保持准确的定位位置，不会由于切削力、 工件重力、离心力或惯性力等的作用而产生位置变化和振动，以保证加工精度和安 全操作。这种产生夹紧力的机构称为夹紧装置

7-1概述 7-2变形体系的虚功原理 7-3位移计算的一般公式 7-4静定结构在荷载作用下的位移计算 7-5图乘法 7-6静定结构温度变化时的位移计算 7-7静定结构支座移动时的位移计算 7-8线弹性结构的互等定理

一、夹具的功用 在机床上加工零件时，为保证加工精度，必须先使工件在机床上占据一个正确 的位置，即定位。然后将其压紧夹牢，使其在加工中保持这一正确位置不变，即夹 紧。从定位到夹紧的全过程称为工件的装夹

为了对分区分级双P型燃气辐射管喷口结构、位置进行优化，提高燃烧效率.首先对分区分级双P型燃气辐射管进行了实验和数值研究，结果发现，除NOx体积分数的误差为11.6%外，其他参数的偏差都在1%以内，证明该模型具有可靠性.在此基础上，通过研究主管和支管的喷口位置及喷口结构等参数，进行了气体温度和壁面温度的研究分析.结果显示：随着主管喷口位置向外移动，分区分级燃气辐射管表面温度的最高值逐渐减小，壁面温度的最低值逐渐增大.支管喷口位于三通管与支管交线处时，可以减少高温气体对辐射管管壁的冲击作用，提高支管径向的温度均匀性，延长辐射管使用寿命；主管喷口的形式为完全预混式喷口时，壁面温差最小；支管喷口的形式为不对称式时，分区分级燃气辐射管壁面温差最小，燃烧热效率最高

在局部腐蚀微区中,金属离子水解而造成PH下降的事实虽已由不少研究工作证实,但因研究技术上的困难,这方面原位的、定量的测量数据尚不充分,现在的数据多为模拟实验提供。本文把生理学上曾得到应用的钨电极引入局部腐蚀中来,较为系统地究究了钨电极的电位与溶液pH值的线性关系,钨电极的电位随温度、时间的变化,以及腐蚀介质和某些腐蚀研究中常见的离子对钨电极的电位的影响。证明:在PH值为0.5~5.0的范围内,钨电极的电位与溶液PH值有良好的线性关系:EP=+a×pH。式中a、b为与电极表面状态有关的常数,但a的数值一般在f0mv/pH左右。温度系数<2mv/度。Cl-、SO42-、NH4+、Na+、Mg2+、Mn2+、Zn2+、Al2+、Ni2+对测定干扰很少,Cr3+及Fe3+在浓度不大时干扰也较小,因此钨电极与微参比电极配合,可以应用在局部腐蚀的微区测量中

本文用薄晶体电镜,x射线衍射形貌和金相腐蚀坑法研究了氢区熔硅单晶热处理缺陷形成机理。通过变温热处理,发现氢区熔硅单晶热处理缺陷主要是由氢沉淀引起的。沉淀过程可能首先是Si-H键分解,然后是氢的扩散聚集,测出沉淀过程激活能是56.000±3000卡/克分子,它可能是Si-H键的分解激活能。沉淀物的析出面是{111}晶面,几何形态起始近似球状,然后变成扁椭球,最后是沿方向拉长的片状沉淀物。随着沉淀物的长大,在一定温度下(约600-700℃)会在沉淀物周围发射稜柱位错环,其分布形态和热处理温度有关。高温热处理时,沉淀物周围能发射出高对称的多组稜柱位错环,形成\星形\位错群。稜柱位错的稜柱面是{111}晶面,柏氏矢量是a╱2。发射方向是方向,位错线是方向

采用前驱体法合成了钙钛矿型B位离子氧化物固溶体,以此作为B位先驱体与碳酸铅通过固相反应在740℃合成A位缺铅的亚稳态钙钛矿型锆钛酸铅(PZT)固溶体.烧结过程中纳米级四方和单斜ZrO2纳米粒子从固溶体中析出.借助X射线衍射仪、扫描电镜和透射电镜对物相、组成和微观结构进行了分析.随ZrO2的加入量增加,断口从沿晶穿晶混合断裂变为穿晶断裂.研究表明,采用聚合物B位前驱体法成功制备出内晶型锆钛酸铅纳米复相陶瓷

前面介绍了梁的挠曲线及其挠度、转角 的求解,用挠曲线确定梁的位移是很方便的 ,但这种方法并不适于求结构的位移(如图5 -10)。 下面来讨论静定结构在荷载作用下任一 点的位移计算

矩阵位移法是以结构位移为基本未知量,借助矩阵进行分析,并用计算机解决各种杆系结构受力、变形等计算的方法。 理论基础:位移法 分析工具:矩阵 计算手段:计算机