其蒸气压、熔点、沸点、(渗透压)与浓度的关系很简单。 （一）溶液的蒸气压下降 1、纯固体、纯液体的蒸气压 挥发因热运动部分高能分子克服表面张力逃逸出来

利用动电位极化、电化学阻抗、恒电位极化以及恒电流极化等电化学测试手段，并结合扫描电镜进行点蚀形态观察，探究了含Cl－溶液中SO2－4浓度对316L奥氏体不锈钢的钝化行为及点蚀行为的影响．结果表明，含Cl－溶液中SO2－4的加入能够使316L不锈钢钝化区变宽，使点蚀电位变正，维钝电流密度降低，进而提高316L的耐点蚀能力．但是在点蚀发生后，随着SO2－4浓度的升高，点蚀内部和边缘形态表现出更为复杂的趋势，蚀坑的周长面积比明显增大．

采用LiF‒HCl混合溶液刻蚀法刻蚀Ti3AlC2得到Ti3C2Tx(MXene)胶体溶液，通过真空抽滤法抽滤MXene胶体溶液得到柔性MXene薄膜.使用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量色散谱(EDS)和X射线光电子能谱(XPS)等方法表征MXene的物相、形貌及化学元素，并采用循环伏安、恒电流充放电、交流阻抗法等电化学测试手段研究MXene薄膜电极的电化学性能

溶液浓度的表示方法 稀溶液的通性 弱电解质的解离平衡

以次生硫化铜矿粉为原料，添加黏结剂、氯化钠制备矿粒，并借助CT扫描技术、图像处理及三维重构方法，开展了单个矿粒浸出试验，探究了溶浸前后矿粒内部的孔隙变化；运用COMSOL Multiphysics模拟仿真软件，构建了溶液在孔隙通道中流动的仿真模型。结果表明：经过一周时间的溶浸，矿粒内部孔隙的数目、平均体积、平均表面积及孔隙平均等效直径分别增长了99%、151%、223%和90%，孔隙率增长了4倍，孔隙连通度增长了近2倍。在孔隙通道较狭窄的区域和底部区域，溶液的流速、压力急剧增加，对矿粒结构的稳定性产生较大影响

碘化铅是有机无机杂化钙钛矿太阳能电池的关键原料, 其使用方法为溶解在二甲基甲酰胺(DMF)中然后制成膜.碘化铅在DMF中的溶解性对电池器件的性能有重要影响.本文经实验判断, 造成碘化铅在DMF中溶解性差的原因是H2O、PbO、PbO2等氧化物在碘化铅晶体表面形成氧化物薄膜, 阻碍其溶解.在一定范围内, 碘化铅在DMF中溶解性取决于碘化铅合成过程中反应溶液的pH值.经过扫描电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等分析检测, 确定有机无机杂化钙钛矿太阳能电池用碘化铅最佳合成pH值为2;且在一定范围内反应溶液pH值、滴速和溶液浓度不会影响碘化铅的微观形貌及其在DMF中的溶解性; 同时发现重结晶、热反应以及慢滴速反应条件会使碘化铅样品在(001)面择优生长

3.1 聚合物的溶解 3.2 高分子稀溶液热力学 3.3 高分子浓溶液

通过采用一步纳米金属颗粒辅助化学刻蚀法(MACE)成功制备了多孔硅纳米线, 并主要研究了硅片掺杂浓度、氧化剂AgNO3浓度以及HF浓度对硅纳米线阵列形貌结构的影响规律. 研究结果表明: 较高的掺杂浓度更有利于刻蚀反应的发生和硅纳米线阵列的形成, 这是由于高掺杂浓度在硅片表面引入了更多的杂质和缺陷, 同时高掺杂浓度的硅片与溶液界面形成的肖特基势垒更低, 更容易氧化溶解形成硅纳米线阵列; 在一步金属辅助化学刻蚀法制备多孔硅纳米线阵列的过程中, 溶液中AgNO3浓度对于其刻蚀形貌和结构起到主要作用, AgNO3浓度过低或过高时, 硅片表面会形成腐蚀凹坑或坍塌的纳米线簇, AgNO3浓度为0.02 mol·L-1时, 硅纳米线会生长变长, 最终形成多孔硅纳米线阵列. 随着硅纳米线的增长, 纳米线之间的毛细应力会使得一些纳米线顶部出现团聚现象; 且当HF溶液浓度超过4.6 mol·L-1时, 随着HF酸浓度的增加, 硅纳米线的长度随之增加. 同时, 硅纳米线的顶部有多孔结构生成, 且硅纳米线的孔隙率随HF浓度的增加而增多, 这是由于纳米线顶部大量的Ag+随机形核, 导致硅纳米线侧向腐蚀的结果. 最后, 根据实验现象提出相应模型对多孔硅纳米线的形成过程进行了解释, 归因于银离子的沉积和硅基底的氧化溶解

吉林大学：《医用基础化学》课程PPT教学课件（有机化学）第三章 缓冲溶液 3.2 缓冲溶液pH值的计算 3.3 缓冲溶液在医学上的意义应用

4-1 多组分系统概述 4-2 稀溶液的两个经验定律 4-3 偏摩尔量 4-4 化学势 4-5 气体的化学势 4-6 真实气体的逸度 4-7 理想液态混合物 4-8 理想稀溶液 4-9 稀溶液的依数性 4-10 真实液态系统与活度