分析了传统的双电层理论或Donnan膜平衡理论在解释离子交换膜的选择透过性机理上存在的局限性,提出了“空穴传导-双电层”假说,认为离子交换膜在溶液中由于反离子的迁移在膜内留下“离子空穴”,同时在膜的两侧形成“双电层”结构,“空穴”和“双电层”共同作用的结果使溶液中与反离子同号的离子能够通过离子交换膜,而与反离子异号的离子无法进入离子交换膜,从而使其具有选择透过性.在此基础上,用“空穴传导-双电层”假说对离子交换膜在无电场和有电场作用的选择透过性进行了合理的分析

利用常规电镜及高分辨电镜等方法,研究了热锻Ti-45Al-8Nb-2.5Mn-0.05B合金中具有较高应变能的非平衡片层界面,在随后的800℃,15min与1000℃,4min退火过程中的结构变化.这些结构松弛主要有:片层界面趋于更加弯曲,α2片层的缩颈与球化和γ片层中形成许多小角度晶界等

将去耦电容直接放在IC封装内可以有效控制EMI并提高信号的完整性,本文从IC内 部封装入手,分析EM的来源、IC封装在EM控制中的作用,进而提出11个有效控制EM 的设计规则,包括封装选择、引脚结构考虑、输出驱动器以及去耦电容的设计方法等,有助 于设计工程师在新的设计中选择最合适的集成电路芯片,以达到最佳EM抑制的性能 现有的系统级EM控制技术包括

555定时器是电子工程领域中广泛使用的一种中规模集成电路,它将模拟与 逻辑功能巧妙地组合在一起,具有结构简单、使用电压范围宽、工作速度快、定 时精度高、驱动能力强等优点。555定时器配以外部元件,可以构成多种实际应 用电路。广泛应用于产生多种波形的脉冲振荡器、检测电路、自动控制电路、家 用电器以及通信产品等电子设备中

采用开尔文探针技术(SKP)测量AZ91D镁合金与H62铜合金偶接试样在盐雾加速实验中的电偶腐蚀规律.研究表明:AZ91D镁合金的电偶腐蚀效应受到阳极与阴极的电位差的影响,AZ91D镁合金与H62铜合金偶接试样之间的伏打电位差约为-1.22V,AZ91D镁合金存在显著的电偶腐蚀效应.由于存在较大的伏打电位差,在盐雾实验初始阶段,电偶腐蚀主要发生在偶接界面AZ91D镁合金一侧附近区域,而H62黄铜没有发生明显腐蚀.由于AZ91D镁合金在盐雾中生成的腐蚀产物对基体具有一定的保护作用,AZ91D镁合金表面腐蚀产物与基体间存在显著的伏打电位差,导致AZ91D镁合金基体形成新的腐蚀产物.因此,随着盐雾实验时间延长,AZ91D镁合金电偶腐蚀效应降低,H62铜合金腐蚀加快

提出了一个基于合金组元原子半径和电负性判断非晶形成能力的方法.建立了原子半径差与电负性差之比Δd/Δe与临界冷却速度Rc的数值模型,并在所有五种不同合金系中获得一致且开口向上的抛物线关系.在此基础上,设计并制备了四种不同成分的Zr-Al-Ni-Cu金属玻璃,并测量它们的临界尺寸Zmax、过冷液相区间ΔTx和约化玻璃转变温度Trg.结果表明,Zr54Al13Ni15Cu18的玻璃形成能力最佳,而且用Δd/Δe模型预测的四种金属玻璃的玻璃形成能力顺序与所有实测参数(包括Zmax、ΔTx和Trg)表征的顺序基本一致.因此,用Δd/Δe的预测方法比较同一合金系内不同合金之间玻璃形成能力的优劣是可靠的

循环伏安法证明,二氯化锰浓度和温度对铝-锰电沉积的影响极显著,在静止的熔盐中,较高的二氯化锰浓度和较低的温度有利于形成单一的非晶铝-锰相。恒电位法研究证明,非晶铝-锰的电沉积时,其成核速度很小,而且具有二维生长的特征,所以缺陷少、性能好

利用扫描Kelvin探针(SKP)技术,结合腐蚀产物的形貌分析和物相分析,研究了Q235碳钢和Q450耐候钢在盐雾腐蚀实验早期阶段的腐蚀行为和电位分布.结果表明,Cl-对碳钢有强烈的侵蚀作用,在盐雾腐蚀过程的初期,金属表面出现明显的阴极区和阳极区,表面电位随时间逐步正移,呈现局部腐蚀的特征,且由于合金元素的作用,Q450耐候钢腐蚀较为均匀,SKP测试的表面电位高于Q235碳钢,形成的锈层较为致密,耐大气腐蚀性能优于Q235碳钢

两定理是计算网络的有力工具,应用颇广,戴维宁 定理曾称为等效发电机定理。 戴维宁定理任何线性含源电 阻网络N就其两个端钮而言,可 以用一个独立电压源v与一个z 电阻R的串联组合来等效

一、电子系统与信号 二、电子系统由基本电路组成的具有特定功能的电路整体信号信号是信息的载体