第一章 有机化合物的结构和性质 第二章 烷烃 第三章 烯烃 第四章 炔烃、二烯烃、红外光谱 第五章 脂环烃 第六章 单环芳烃 第七章 多环芳烃和非苯芳烃 第八章 立体化学 第九章 卤代烃 第十章 醇和醚 第十一章 酚和醌 第十二章 醛和酮 第十三章 羧酸及其衍生物 第十四章 β-二羰基化合物 第十五章 硝基化合物和胺 第十六章 重氮化合物和偶氮化合物 第十七章 杂环化合物 第十八章 碳水化合物 第十九章 氨基酸、蛋白质、核酸 第二十章 元素有机化合物

对金属的晶体结构和物性的研究，在固体研究中占有特殊的地位。一方面，人们对 非金属物性的认识和理解，往往是在对金属物性的认识和理解的基础上发展起来的。例 如，在认识了铜的良好导电性的本质以后，人们才对离子晶体不导电给出了正确合理的 解释。其次，人们通过对金属普遍具有的优良的热导和电导、特有的金属光泽和延展性 的认识和研究，有力地促进了固体物理学的发展

前面所分析的逻辑电路，基于输入/输出都是在稳定的逻辑电平下进 行的，没有考虑动态变化状态。实际上，输入信号有变化，或者某个变 量通过两条以上路经到达输出端。由于路经不同，到达的时间就有先有 后，这一现象叫做竞争

分析了传统的双电层理论或Donnan膜平衡理论在解释离子交换膜的选择透过性机理上存在的局限性,提出了“空穴传导-双电层”假说,认为离子交换膜在溶液中由于反离子的迁移在膜内留下“离子空穴”,同时在膜的两侧形成“双电层”结构,“空穴”和“双电层”共同作用的结果使溶液中与反离子同号的离子能够通过离子交换膜,而与反离子异号的离子无法进入离子交换膜,从而使其具有选择透过性.在此基础上,用“空穴传导-双电层”假说对离子交换膜在无电场和有电场作用的选择透过性进行了合理的分析

利用常规电镜及高分辨电镜等方法,研究了热锻Ti-45Al-8Nb-2.5Mn-0.05B合金中具有较高应变能的非平衡片层界面,在随后的800℃,15min与1000℃,4min退火过程中的结构变化.这些结构松弛主要有:片层界面趋于更加弯曲,α2片层的缩颈与球化和γ片层中形成许多小角度晶界等

将去耦电容直接放在IC封装内可以有效控制EMI并提高信号的完整性,本文从IC内 部封装入手,分析EM的来源、IC封装在EM控制中的作用,进而提出11个有效控制EM 的设计规则,包括封装选择、引脚结构考虑、输出驱动器以及去耦电容的设计方法等,有助 于设计工程师在新的设计中选择最合适的集成电路芯片,以达到最佳EM抑制的性能 现有的系统级EM控制技术包括

555定时器是电子工程领域中广泛使用的一种中规模集成电路,它将模拟与 逻辑功能巧妙地组合在一起,具有结构简单、使用电压范围宽、工作速度快、定 时精度高、驱动能力强等优点。555定时器配以外部元件,可以构成多种实际应 用电路。广泛应用于产生多种波形的脉冲振荡器、检测电路、自动控制电路、家 用电器以及通信产品等电子设备中

采用开尔文探针技术(SKP)测量AZ91D镁合金与H62铜合金偶接试样在盐雾加速实验中的电偶腐蚀规律.研究表明:AZ91D镁合金的电偶腐蚀效应受到阳极与阴极的电位差的影响,AZ91D镁合金与H62铜合金偶接试样之间的伏打电位差约为-1.22V,AZ91D镁合金存在显著的电偶腐蚀效应.由于存在较大的伏打电位差,在盐雾实验初始阶段,电偶腐蚀主要发生在偶接界面AZ91D镁合金一侧附近区域,而H62黄铜没有发生明显腐蚀.由于AZ91D镁合金在盐雾中生成的腐蚀产物对基体具有一定的保护作用,AZ91D镁合金表面腐蚀产物与基体间存在显著的伏打电位差,导致AZ91D镁合金基体形成新的腐蚀产物.因此,随着盐雾实验时间延长,AZ91D镁合金电偶腐蚀效应降低,H62铜合金腐蚀加快

提出了一个基于合金组元原子半径和电负性判断非晶形成能力的方法.建立了原子半径差与电负性差之比Δd/Δe与临界冷却速度Rc的数值模型,并在所有五种不同合金系中获得一致且开口向上的抛物线关系.在此基础上,设计并制备了四种不同成分的Zr-Al-Ni-Cu金属玻璃,并测量它们的临界尺寸Zmax、过冷液相区间ΔTx和约化玻璃转变温度Trg.结果表明,Zr54Al13Ni15Cu18的玻璃形成能力最佳,而且用Δd/Δe模型预测的四种金属玻璃的玻璃形成能力顺序与所有实测参数(包括Zmax、ΔTx和Trg)表征的顺序基本一致.因此,用Δd/Δe的预测方法比较同一合金系内不同合金之间玻璃形成能力的优劣是可靠的

循环伏安法证明,二氯化锰浓度和温度对铝-锰电沉积的影响极显著,在静止的熔盐中,较高的二氯化锰浓度和较低的温度有利于形成单一的非晶铝-锰相。恒电位法研究证明,非晶铝-锰的电沉积时,其成核速度很小,而且具有二维生长的特征,所以缺陷少、性能好