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《电子线路》 第四章(4-4) 差分放大器
文档格式:PPT 文档大小:2.09MB 文档页数:70
第4章放大器基础 4.4差分放大器 差分放大器具有抑制零点漂移的作用,广泛用于集成电路的输入级,是另一类基本放大器
《单片机》第1章 单片机概述
文档格式:PPT 文档大小:95.5KB 文档页数:6
何谓单片机一台能够工作的计算机要有这样几个 部份构成:CPU(进行运算、控制)、RAM(数 据存储)、ROM(程序存储)、输入/输出设备 (例如:串行口、并行输出口等)。在个人计算 机上这些部份被分成若干块芯片,安装一个称之 为主板的印刷线路板上。而在单片机中,这些部 份,全部被做到一块集成电路芯片中了,所以就 称为单片(单芯片)机,而且有一些单片机中除 了上述部份外,还集成了其它部份如A/D,D/A 等
复旦大学:《光子学器件与工艺 Photonics Devices and Technology》教学课件_第九章 集成电路工艺简介——光子学器件中用到的微电子工艺(部分有源和无源器件用到的工艺)
文档格式:PDF 文档大小:5.93MB 文档页数:287
一、薄膜制备工艺 二、光刻工艺 三、刻蚀工艺(Etch Process) 四、掺杂工艺 五、氧化工艺 六、其它工艺 • CMP(chemical mechanical planarization) • SOI (silicon on insulator) • 铜互连 • 硅片键合与背面腐蚀技术 • 注氧隔离技术(SIMOX) • 智能剥离技术
三峡大学:《电子技术基础 Fundamental of Electronic Technology》课程教学资源(PPT课件讲稿)第一章 常用半导体器件
文档格式:PPT 文档大小:1.2MB 文档页数:83
1.1 半导体器件基础 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6 集成电路中的元件
清华大学:《VLSI设计导论》课程教学资源(讲义)第一章 概论、第二章 集成电路工艺基础
文档格式:DOC 文档大小:846KB 文档页数:22
近年来,随着深亚微米工艺的出现,硅工艺技术将引发一场 TCAD 到 ECAD 的革命。 大家知道,片上系统(system on chip)今天已从概念成为现实。然而,在一个芯片上要嵌入 多种功能并非易事
清华大学:《VLSI设计导论》课程教学课件(PPT讲稿)第九章 系统封装与测试
文档格式:PPT 文档大小:731.5KB 文档页数:35
集成电路的封装方法 双列直插式(DP: Dual In-line- Package) 表面安装封装(SMP: Surface Mounted Package) 球型阵列封装(BGA: Ball Grid Arrag) 芯片尺寸封装(CsP: Chip Scale Package) 晶圆级尺寸封装(LP: Wafer Level CSP) 薄型封装(PtP: Paper Thin Package) 多层薄型封装(Stack PTP) 裸芯片封装(co, Flip chip)
电子科技大学成都学院微电子技术系:《集成电路原理》讲义
文档格式:PPT 文档大小:2.5MB 文档页数:117
绪论 0.前言 1.IC的分类 2.描述IC工艺技术水平的五个技术指标 3.微电子科学技术的发展历史 4.微电子发展的规律 5.半导体IC技术发展趋势 6.我国微电子发展概况
21世纪高职高专规划教材:《计算机基础》项目一 计算机基础知识
文档格式:PPT 文档大小:74.5KB 文档页数:12
项目一计算机基础知识 任务1了解计算机 1、计算机的发展过程 第一台电子计算机:美国宾夕法尼亚大学,1946年2月,命名为“ENIAC” 第一代(46-57年):以电子管为逻辑元件。 第二代(58-64年):以晶体管为逻辑元件。 第三代(65-71年):以集成电路为主要功能器件。 第四代(72—至今):将CPU、存储器及各接口做在大规模集成电路芯片上
四川大学:《固体物理学》课程教学资源(教案讲义)第七章 半导体电子论
文档格式:PDF 文档大小:586.29KB 文档页数:28
半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料
北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案(数字集成电路原理与设计)chap3-1 第三章 长沟道MOS器件模型
文档格式:PDF 文档大小:4.42MB 文档页数:70
3.1.1 MOS晶体管阈值电压分析 3.1.2 MOS晶体管电流方程 3.2.1 MOS晶体管的亚阈值电流 3.2.2 MOS晶体管的瞬态特性 3.2.3 MOS器件模型
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