用磁控溅射镀膜方法，制成了巨磁电阻自族间多层膜Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta.它具有优良的特性.其室温磁电阻比率MR＞2%，自由层矫顽力Hc1<160A/m，自由层零磁场漂Hf<800A/m和钉扎层交换场Hex≈20×103 A/m.作为新型磁功能材料，它满足高灵敏磁性传感器和硬盘读出头的要求.对多层膜制备的方法也作了系统研究，并讨论了缓冲层和钉扎层的制备工艺和微结构对磁性能的影响

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