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《半导体物理习题》第一章 半导体中的电子状态
文档格式:DOC 文档大小:55.5KB 文档页数:3
例1.证明对于能带中的电子,K状态和K状态的电子速度大小相等,方向相反。即: v(k)=-v(-k),并解释为什么无外场时,晶体总电流等于零 思路与解:K状态电子的速度为 v(k)= 同理,一K状态电子的速度则为
电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(PPT课件讲稿)第一章 半导体中的电子状态
文档格式:DOC 文档大小:216KB 文档页数:8
例 1. 证明:对于能带中的电子,K 状态和-K 状态的电子速度大小相等,方向相反。即:v(k)= -v(-k),并解释为什么无外场时,晶体总电流等于零
电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(PPT课件讲稿)第四章 半导体中的载流子在电磁场中的运动
文档格式:PPTX 文档大小:1.07MB 文档页数:84
一、载流子的漂移运动和迁移率 二、迁移率和电导率随温度和杂质浓度的变化 三、载流子的散射 四、强电场效应 五、霍尔效应 六、磁阻效应
电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(PPT课件讲稿)第二章 半导体中的杂质和缺陷
文档格式:PPTX 文档大小:459.31KB 文档页数:37
一、根据杂质能级在禁带中的位置,将杂质分为: 二、浅能级杂质→能级接近导带底 Ec 或价带顶 Ev; 三、深能级杂质→能级远离导带底 Ec 或价带顶 Ev
《模拟电子技术》课程教学资源(PPT电子讲义课件,共九章)
文档格式:PPT 文档大小:2MB 文档页数:144
第1章 半导体二极管及其应用电路 第2章 半导体三极管及其放大电路 第3章 场效应管及其放大电路 第4章 负反馈放大电路 第5章 集成运算放大器 第6章 信号产生电路 第7章 功率放大电路 第8章 直流稳压电源 第9 章 模拟电子技术在实际中的应用
《数字电子技术基础》课程电子教案(PPT教学课件)第6章 半导体存储器和可编程逻辑器件
文档格式:PPT 文档大小:125KB 文档页数:12
重点掌握ROM/RAM的电路结构,工作 原理和主要控制端的功能, 掌握ROMRAM位扩展和字扩展的方法 掌握ROM(RAM)的基本应用 第1、2学 时:半导体存储器RAM、ROM 第3、4学 时:ROM、RAM的应用 第5、6学 时:PLD(PAL、PLA、GAL)
《模拟电子技术》课程教学资源(练习题)第一章 半导体基础知识
文档格式:DOC 文档大小:124KB 文档页数:4
一、(1)√理论上可以吧(2)×半导体电量平衡不带电(3)√(4)×集电极 电流少数载流子漂移运动产生(5)√(6)×耗尽型N沟道MOS管的UG将沟道 电阻变小不是影响输入电阻
《芯片制造半导体工艺实用教程》PPT教学课件:第四章 芯片制造概述
文档格式:PPT 文档大小:2.44MB 文档页数:10
概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)
《芯片制造半导体工艺实用教程》PPT教学课件:第一章 半导体工业介绍
文档格式:PPT 文档大小:1.73MB 文档页数:13
微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展
《电工技术》课程教学资源(PPT电子教案讲稿课件)第1章 半导体二极管
文档格式:PPT 文档大小:919KB 文档页数:41
第一章半导体二极管 本章要求: 一、理解PN结的单向导电性 二、了解二极管、稳压管工 三、会分析含有二极管的电路
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