以下略去函数空间的变量,且主要考虑分离空间形式。 三维空问中的变换:矢量平移,旋转等。 线性变换:7(aa)+b1B)=aTa)+b76) 线性变换⑦是一种对矢量的运算,可以是常数、微分等,但√不是线性变换。 线性变换T将一个矢量变为另一个矢量 若知道变换了对基矢|n)的作用,则对任意矢量()的作用也就知道 由完备性条件

一、通过本章学习因掌握以下内容: 1、什么是萃取过程? 2、萃取平衡的条件? 3、液液萃取的分类? 4、常见物理萃取体系由那些构成要素? 5、何谓萃取的分配系数?其影响因素有哪些?

一、导体 讨论导体中静电平衡条件下的 电荷分布、电场分布和电势分布 E=0,U=常数 导体静电平衡条件:表面为等势面,外部法线 由高斯定理推论:

导线中的电流:由大量自由电子的定向运动形成的 带电粒子运动在磁场中会受到力的作用~洛伦兹力 安培力的来源: 在洛伦兹力的作用下,导体中定向运动的自由电子 和金属导体中晶格上的正离子不断碰撞,将动量传给 导体,使整个导体在磁场中受到磁力作用

2.1 高斯定理与运动电荷 2.3 匀速直线运动点电荷的电场 2.2 在无磁场情况下电场的变换 2.4 电场对运动电荷的作用力

电介质(Dielectric),就是绝缘体一无自由电 荷,不导电。 本章讨论: 在电场作用下,电介质的电荷如何分布? 电介质如何影响电场? 如何计算有电介质存在时的电场分布? 请关注:电介质和导体在电学机制上的区 别

对于中规模、大规模和某些VLSI的IC，前面介绍的基本光刻工艺完全适用，然而 ，对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代，某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括：光学设备的物理局限；光刻胶分辨率的限制；晶园表面的反射现象和高低不平现象等

一、推导思路 宏观:器壁单位面积所受的压力 微观:大量气体分子频繁碰撞器壁对器壁单位面积的平均冲力标准状态下

16-1 热辐射 普朗克能量子假说 16-2 光电效应 16-3 康普顿效应

光波是电磁波,电磁波中起光作用的是电场矢量(光矢量) 一般地光矢量在光传播的垂直方向的 平面内的光矢量的振幅相同。 在许多情况下:光振动矢量在某个方向上显著较大,这种情况叫光的偏振